Kompaniýamyz üpjün edýärSiC örtügiGrafit, keramika we beýleki materiallaryň ýüzünde CVD usuly bilen işleme hyzmatlaryny hödürleýär, şonuň üçin uglerod we kremniý saklaýan ýörite gazlar ýokary temperaturada reaksiýa girip, ýokary arassa Sic molekulalaryny alyp bilýärler, bu molekulalar bolsa örtülen materiallaryň ýüzünde ýerleşdirilip bilner.SiC gorag gatlagyepitaksiýa üçin barrel görnüşli gipopnotik.
Esasy aýratynlyklar:
1. Ýokary arassalykly SiC örtülen grafit
2. Ýokary gyzgynlyga garşylyk we gyzgynlygyň birmeňzeşligi
3. GowySiC kristal örtülentekiz ýüz üçin
4. Himiki arassalamaga garşy ýokary berklik
Esasy tehniki häsiýetnamalaryCVD-SIC örtügi
| SiC-CVD aýratynlyklary | ||
| Kristal gurluşy | FCC β fazasy | |
| Dykyzlyk | g/sm³ | 3.21 |
| Gatylyk | Wickers gatylygy | 2500 |
| Däne ölçegi | μm | 2~10 |
| Himiki arassalyk | % | 99.99995 |
| Yssylyk kuwwaty | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Sublimasiýa temperaturasy | ℃ | 2700 |
| Fleksural güýç | MPa (RT 4-nokat) | 415 |
| Ýaşyň moduly | Gpa (4pt bükülme, 1300℃) | 430 |
| Termal giňelme (TGG) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Ýylylyk geçirijiligi | (W/mK) | 300 |
