Antioksidlenme ýokary arassalykly SiC örtükli MOCVD tabagy

Gysgaça düşündiriş:

“Semicera Energy Technology Co., Ltd.” plastinka we öňdebaryjy ýarymgeçiriji materiallary öndürmekde ýöriteleşen öňdebaryjy üpjün edijidir.Biz ýarymgeçirijiler önümçiligine ýokary hilli, ygtybarly we innowasion önümleri hödürlemäge bagyşlanýarys,fotowoltaik senagatwe beýleki degişli ugurlar.

Önümlerimiziň liniýasy kremniý karbidi, kremniý nitridi we alýumin oksidi ýaly dürli materiallary öz içine alýan SiC/TaC örtülen grafit önümlerini we keramiki önümleri öz içine alýar.

Ynamdar üpjün ediji hökmünde, biz önümçilik prosesinde sarp ediş materiallarynyň ähmiýetini düşünýäris we müşderilerimiziň isleglerini kanagatlandyrmak üçin iň ýokary hil standartlaryna laýyk gelýän önümleri hödürlemäge borçlanýarys.

Bize e-poçta iberiň

Önümiň jikme-jiklikleri

Önümiň tegleri

Beýany

Kompaniýamyz üpjün edýärSiC örtügiGrafit, keramika we beýleki materiallaryň ýüzünde CVD usuly bilen işleme hyzmatlaryny hödürleýär, şonuň üçin uglerod we kremniý saklaýan ýörite gazlar ýokary temperaturada reaksiýa girip, ýokary arassalykdaky SiC molekulalaryny, örtülen materiallaryň ýüzünde ýerleşdirilen molekulalary emele getirýär.SiC gorag gatlagy.

Esasy aýratynlyklar

1. Ýokary temperatura oksidlenme garşylygy:
temperatura 1600 C çenli ýokary bolanda hem oksidlenme garşylygy örän gowy bolýar.
2. Ýokary arassalyk: ýokary temperatura hlorlamak şertinde himiki bug çökündisi arkaly ýasalýar.
3. Eroziýa garşylygy: ýokary gatylyk, ykjam ýüz, ownuk bölejikler.
4. Korroziýa garşylygy: kislota, aşgar, duz we organiki reagentler.

CVD-SIC örtüginiň esasy aýratynlyklary

SiC-CVD aýratynlyklary
Kristal gurluşy	FCC β fazasy
Dykyzlyk	g/sm³	3.21
Gatylyk	Wickers gatylygy	2500
Däne ölçegi	μm	2~10
Himiki arassalyk	%	99.99995
Yssylyk kuwwaty	J·kg-1 ·K-1	640
Sublimasiýa temperaturasy	℃	2700
Fleksural güýç	MPa (RT 4-nokat)	415
Ýaşyň moduly	Gpa (4pt bükülme, 1300℃)	430
Termal giňelme (TGG)	10-6K-1	4.5
Ýylylyk geçirijiligi	(W/mK)	300