Kremniý karbidi (SiC) epitaksiýasy
SiC epitaksial bölegini ösdürmek üçin SiC substratyny saklaýan epitaksial taba reaksiýa kamerasyna ýerleşdirilýär we gönüden-göni wafer bilen aragatnaşyk saklaýar.
Ýokarky ýarym aý bölegi Sic epitaksiýa enjamlarynyň reaksiýa kamerasynyň beýleki aksessuarlary üçin daşaýjy bolup hyzmat edýär, aşaky ýarym aý bölegi bolsa kwars turbasyna birikdirilip, susseptor binýadynyň aýlanmagyna itergi berýän gazy girizýär. Olar temperatura gözegçilik edilip bilner we plastinka bilen gönüden-göni aragatnaşyk saklamazdan reaksiýa kamerasyna gurnalýar.
Si epitaksiýasy
Si epitaksial bölegini ösdürmek üçin Si substratyny saklaýan taba reaksiýa kamerasyna ýerleşdirilip, gönüden-göni wafer bilen baglanyşykly.
Öňünden gyzdyryş halkasy Si epitaksial substrat tabagynyň daşky halkasynda ýerleşýär we kalibrlemek we gyzdyrmak üçin ulanylýar. Ol reaksiýa kamerasyna ýerleşdirilýär we wafer bilen gönüden-göni gatnaşykda bolmaýar.
Si epitaksial bölegini ösdürmek üçin Si substratyny saklaýan epitaksial susseptor reaksiýa kamerasyna ýerleşdirilip, plastina bilen gönüden-göni aragatnaşyk saklaýar.
Epitaksial barrel dürli ýarymgeçiriji önümçilik proseslerinde ulanylýan esasy bölekler bolup, adatça MOCVD enjamlarynda ulanylýar, ajaýyp termal durnuklylyga, himiki garşylyga we aşynma garşylygyna eýedir, ýokary temperatura proseslerinde ulanmak üçin örän amatlydyr. Ol plastinalar bilen aragatnaşyk saklaýar.
| Gaýtadan kristallaşdyrylan kremniý karbidiniň fiziki häsiýetleri | |
| Emläk | Adaty gymmatlyk |
| Iş temperaturasy (°C) | 1600°C (kislorod bilen), 1700°C (reduksasiýa gurşawy) |
| SiC mazmuny | > 99.96% |
| Mugt Si mazmuny | <0.1% |
| Köp mukdarda dykyzlyk | 2.60-2.70 g/sm33 |
| Görünýän gözeneklilik | < 16% |
| Sykyş güýji | > 600 MPa |
| Sowuk egilme güýji | 80-90 MPa (20°C) |
| Gyzgyn egilme güýji | 90-100 MPa (1400°C) |
| Termal giňelme @1500°C | 4.70 10-6/°C |
| Ýylylyk geçirijiligi @1200°C | 23 W/m•K |
| Elastik modul | 240 GPa |
| Termal şoka garşylyk | Örän gowy |
| Sinterlenen kremniý karbidiniň fiziki häsiýetleri | |
| Emläk | Adaty gymmatlyk |
| Himiki düzümi | SiC>95%, Si<5% |
| Toplu dykyzlyk | >3.07 g/sm³ |
| Görünýän gözeneklilik | <0.1% |
| 20℃-de döwülme moduly | 270 MPa |
| 1200℃-de döwülme moduly | 290 MPa |
| 20℃-de gatylyk | 2400 Kg/mm² |
| Synmagyň berkligi 20% | 3.3 MPa · m1/2 |
| 1200℃-de ýylylyk geçirijiligi | 45 w/m .K |
| 20-1200℃ temperaturada termal giňelme | 4.5 1 × 10 -6/℃ |
| Maksimum iş temperaturasy | 1400℃ |
| 1200℃ temperaturada termal şoka garşylyk | Gowy |
| CVD SiC plyonkalarynyň esasy fiziki häsiýetleri | |
| Emläk | Adaty gymmatlyk |
| Kristal gurluşy | FCC β fazaly polikristal, esasan (111) ugurly |
| Dykyzlyk | 3.21 g/sm³ |
| Gatylyk 2500 | （500g ýük） |
| Däne ölçegi | 2~10μm |
| Himiki arassalyk | 99.99995% |
| Yssylyk kuwwaty | 640 J·kg-1·K-1 |
| Sublimasiýa temperaturasy | 2700℃ |
| Bükülme güýji | 415 MPa RT 4-nokat |
| Ýaşyň Moduly | 430 Gpa 4pt bükülme, 1300℃ |
| Termal geçirijilik | 300W·m-1·K-1 |
| Termal giňelme (CTE) | 4.5×10-6 K -1 |
Esasy aýratynlyklar
Ýüzü dykyz we gözenekleri ýok.
Ýokary arassalyk, umumy hapaçylyk mukdary <20ppm, howa geçirmezligi gowy.
Ýokary temperatura garşylygy, ulanyş temperaturasynyň ýokarlanmagy bilen berkligi artýar, 2750℃-de iň ýokary gymmata ýetýär, sublimasiýa 3600℃-de.
Pes elastiklik moduly, ýokary ýylylyk geçirijiligi, pes ýylylyk giňelme koeffisiýenti we ajaýyp ýylylyk şokuna garşylyk.
Gowy himiki durnuklylyk, kislota, aşgar, duz we organiki reagentlere çydamly we ereýän metallara, şlaklara we beýleki aşyndyryjy serişdelere täsir etmeýär. 400°C-den aşak atmosferada düýpli oksidlenmeýär we 800°C-de oksidlenme tizligi düýpli ýokarlanýar.
Ýokary temperaturada hiç hili gaz çykarman, ol takmynan 1800°C temperaturada 10-7 mm sim.st. wakuumy saklap bilýär.
Önümiň ulanylyşy
Ýarymgeçiriji senagatynda buharlandyrmak üçin ereýän tigel.
Ýokary kuwwatly elektron turbaly derweze.
Voltaž regulýatoryna degýän çotka.
Rentgen we neýtron üçin grafit monohromatory.
Grafit substratlarynyň we atom siňdiriş turbalarynyň örtüginiň dürli görnüşleri.
500X mikroskop astynda, bitewi we möhürlenen ýüz bilen pirolitik uglerod örtüginiň täsiri.
TaC örtügi täze nesil ýokary temperatura çydamly material bolup, SiC-den has gowy ýokary temperatura durnuklylygyna eýedir. Korroziýa garşy örtük, antioksidleşme örtügi we aşynma garşy örtük hökmünde 2000C-den ýokary temperatura şertlerinde ulanylyp bilner, awiakosmosda örän ýokary temperaturaly gyzgyn uç böleklerinde, üçünji nesil ýarymgeçiriji monokristal ösüş meýdanlarynda giňden ulanylýar.
| TaC örtüginiň fiziki häsiýetleri | |
| Dykyzlyk | 14.3 (g/sm3) |
| Aýratyn emissiýa | 0.3 |
| Termal giňelme koeffisiýenti | 6.3 10/K |
| Gatylyk (HK) | 2000 Gonkong |
| Garşylyk | 1x10-5 Om*sm |
| Termal durnuklylyk | <2500℃ |
| Grafitiň ölçegleriniň üýtgemegi | -10~-20um |
| Örtük galyňlygy | ≥220um adaty gymmat (35um ± 10um) |
Gaty CVD KREMNIÝ KARBID bölekleri RTP/EPI halkalary we esaslary, şeýle hem ýokary ulgam talap edýän iş temperaturalarynda (> 1500°C) işleýän plazma aşyndy boşluk bölekleri üçin esasy saýlaw hökmünde ykrar edilýär, arassalyk talaplary has ýokary (> 99.9995%) we himiki maddalara garşylyk has ýokary bolanda iş öndürijiligi has gowy bolýar. Bu materiallarda däne gyrasynda ikinji fazalar ýok, şonuň üçin olaryň bölekleri beýleki materiallara garanyňda az bölejik öndürýär. Mundan başga-da, bu bölekleri az dargamak bilen gyzgyn HF/HCI ulanyp arassalap bolýar, netijede bölejikler az bolýar we hyzmat möhleti uzaldylýar.
