Silikon karbid örtügine giriş
Himiki bug çökündisi (CVD) kremniý karbidi (SiC) örtügimiz ýokary derejede berk we aşynma çydamly gatlak bolup, ýokary korroziýa we termal garşylyk talap edýän gurşawlar üçin idealdyr.Silikon karbid örtügiCVD prosesi arkaly dürli substratlara inçe gatlaklarda ulanylýar we ýokary öndürijilik häsiýetlerini hödürleýär.
Esasy aýratynlyklar
● -Aýratyn arassalyk: Ultra arassa düzümi bilen öwünýär99.99995%, biziňSiC örtügiduýgur ýarymgeçiriji operasiýalarynda hapalanma töwekgelçiligini azaldýar.
● -Ýokary derejeli garşylyk: Aşynma we korroziýa garşy ajaýyp çydamlylyk görkezýär, bu bolsa ony kyn himiki we plazma şertleri üçin ajaýyp edýär.
● -Ýokary ýylylyk geçirijiligiAjaýyp termal häsiýetleri sebäpli ekstremal temperatura şertlerinde ygtybarly işlemegi üpjün edýär.
● -Ölçegli DurnuklylykPes termal giňelme koeffisiýenti sebäpli dürli temperatura aralygynda gurluş bitewüligini saklaýar.
● -Güýçlendirilen berklik: Gatylyk derejesi bilen40 GPa, biziň SiC örtügimiz uly zarbalara we aşynmalara çydamlydyr.
● -Ýüziň tekiz örtügiAýna ýaly örtük üpjün edýär, bölejikleriň döremegini azaldýar we iş netijeliligini ýokarlandyrýar.
Programmalar
Semicera SiC örtükleriýarymgeçirijileriň önümçiliginiň dürli tapgyrlarynda ulanylýar, şol sanda:
● -LED çipleriniň öndürilişi
● -Polisilikon önümçiligi
● -Ýarymgeçiriji kristallaryň ösüşi
● -Kremniý we SiC Epitaksiýasy
● -Termal Oksidlenme we Diffuziýa (TO&D)
Biz suwuklaşdyrylan gatlakly reaktorlar üçin niýetlenen, ýokary berklikli izostatik grafitden, uglerod süýümi bilen güýçlendirilen ugleroddan we 4N gaýtadan kristallaşdyrylan kremniý karbidinden ýasalan SiC bilen örtülen komponentleri üpjün edýäris,STC-TCS konwertorlary, CZ birlik reflektorlary, SiC wafer gaýygy, SiCwafer kürek, SiC wafer turbasy we PECVD-de, kremniý epitaksiýasynda, MOCVD proseslerinde ulanylýan wafer daşaýjylary.
Peýdalar
● -Ömrüň uzaldylmagyEnjamlaryň işden çykmagyny we tehniki hyzmat çykdajylaryny ep-esli azaldýar, umumy önümçiligiň netijeliligini ýokarlandyrýar.
● -Ýokarlandyrylan hilÝarymgeçirijileri gaýtadan işlemek üçin zerur bolan ýokary arassa ýüzleri gazanýar, şeýlelik bilen önümiň hilini ýokarlandyrýar.
● - Netijeliligiň ýokarlanmagyTermal we ýürek-damar proseslerini optimizirleýär, netijede sikl wagty gysgalýar we hasyl has ýokary bolýar.
Tehniki aýratynlyklar
● -Gurluşy: FCC β fazaly polikristalin, esasan (111) ugurly
● -Dykyzlyk: 3.21 g/sm³
● -Gatylyk: 2500 Vickes gatylygy (500g ýük)
● -Synmak üçin berklik: 3.0 MPa·m1/2
● -Termiki giňelme koeffisiýenti (100–600 °C): 4.3 x 10-6k-1
● -Elastik Modul (1300℃):435 GPa
● -Adaty plýonkanyň galyňlygy:100 µm
● -Ýüziň gödekligi:2-10 µm
Arassalyk maglumatlary (Ýalpyldawuklyk bilen zyňylýan massa spektroskopiýasy arkaly ölçenýär)
| Element | ppm | Element | ppm |
| Li | < 0.001 | Cu | < 0.01 |
| Be | < 0.001 | Zn | < 0.05 |
| Al | < 0.04 | Ga | < 0.01 |
| P | < 0.01 | Ge | < 0.05 |
| S | < 0.04 | As | < 0.005 |
| K | < 0.05 | In | < 0.01 |
| Ca | < 0.05 | Sn | < 0.01 |
| Ti | < 0.005 | Sb | < 0.01 |
| V | < 0.001 | W | < 0.05 |
| Cr | < 0.05 | Te | < 0.01 |
| Mn | < 0.005 | Pb | < 0.01 |
| Fe | < 0.05 | Bi | < 0.05 |
| Ni | < 0.01 |
|
