Tantal karbid bilen örtülen halka

Gysgaça düşündiriş:

Tantal karbid örtügi, substratyň ýüzünde berk, aşynma çydamly we korroziýa çydamly gorag gatlagyny emele getirmek üçin tantal karbid materialyny ulanýan ösen ýüz örtük tehnologiýasydyr. Bu örtük materialyň gatylygyny, ýokary temperatura çydamlylygyny we himiki garşylygyny ep-esli ýokarlandyrýan, şol bir wagtyň özünde sürtülmäni we aşynmany azaldýan ajaýyp häsiýetlere eýedir. Tantal karbid örtükleri materialyň ömrüni uzaltmak, önümçiligiň netijeliligini ýokarlandyrmak we tehniki hyzmat çykdajylaryny azaltmak üçin senagat önümçiligi, awiakosmos, awtoulag inženerçiligi we lukmançylyk enjamlary ýaly dürli ugurlarda giňden ulanylýar. Metall ýüzleri korroziýadan goramak ýa-da mehaniki bölekleriň aşynma çydamlylygyny we oksidlenme çydamlylygyny ýokarlandyrmak bolsun, tantal karbid örtükleri dürli ulanylyşlar üçin ygtybarly çözgüt hödürleýär.

Bize e-poçta iberiň

Önümiň jikme-jiklikleri

Önümiň tegleri

“Semicera” dürli komponentler we daşaýjylar üçin ýöriteleşdirilen tantal karbid (TaC) örtüklerini hödürleýär.Semicera öňdebaryjy örtük prosesi tantal karbid (TaC) örtükleriniň ýokary arassalyga, ýokary temperatura durnuklylygyna we ýokary himiki çydamlylyga ýetmegine mümkinçilik berýär, SIC/GAN kristallarynyň we EPI gatlaklarynyň önüm hilini ýokarlandyrýar (Grafit bilen örtülen TaC susseptory) we esasy reaktor bölekleriniň ömrüni uzaltmak. Tantal karbid TaC örtügini ulanmak gyra meselesini çözmek we kristal ösüş hilini ýokarlandyrmak üçin niýetlenendir we Semicera Semicera tantal karbid örtük tehnologiýasyny (CVD) täze çözüp, halkara ösen derejä ýetdi.

Ýyllaryň dowamynda işlenip düzülenden soň, Semicera tehnologiýany basyp aldyÝürek-damar keseliniň bejergisi (CVD)ylmy-barlag we işläp düzmek bölüminiň bilelikdäki tagallalary bilen. SiC waferleriniň ösüş prosesinde kemçilikleriň ýüze çykmagy aňsat, ýöne ulanylandan soňTaC, tapawut uly. Aşakda TaC bilen we TaC-siz waferleriň, şeýle hem monokristal ösüş üçin Simicera bölekleriniň deňeşdirilmegi berilýär.

Ösüş üçin monokristal üçin Tac bölegi

Eşiklere garşy tantal karbid örtügi_ Enjamlary aşynmakdan we poslamadan goraýar. Görkezilen surat

TaC bilen örtülen halkaly grafit

TaC bilen we TaC-siz

TaC ulanylandan soň (sagda)

Mundan başga-da, “Semicera” kompaniýasynyň TaC örtük önümleriniň hyzmat ediş möhleti SiC örtügine garanyňda has uzak we ýokary temperatura has çydamlydyr. Laboratoriýa ölçegleriniň maglumatlarynyň uzak wagtlap toplanmagyndan soň, biziň TaC iň köp 2300 gradus Selsiý temperaturasynda uzak wagtlap işläp bilýär. Aşakda biziň käbir nusgalarymyz görkezilen: