-
SiC Wafer Baglanyşygynyň Düşündirilişi
SiC Wafer Baglanyşygy: Usullar, Ulanylyşy we Kynçylyklar Iki wafer düýbünden tekiz görünse-de, ygtybarly baglanyşmagy ret edip biler. Esasy ölçegde, ýüz himiýasy, atom bükülmesi, bölejikler we tutulan gazlar kontaktyň çydamly serhet bolup biljekdigini kesgitleýär. Kremniý karbidi kynçylygy döredýär...Köpräk okaň -
Kiçi gönüburçlukly kremniý plitalarynyň ýörite kesilmegi: Gollandiýanyň optika kompaniýasy 10 sany standart däl plastinka üçin pes döwülmegi we pes gödekligi nähili deňleşdirdi
Esasy gysgaça maglumat: Gollandiýaly optiki gözleg kompaniýasynyň spin-off kompaniýasy ilki bilen kesilenden soň nol gyra döwülmesi bilen 0,1 nm ýüziň gödekligini talap edýän, 29,2 mm × 70 mm, 230 µm galyňlykdaky 10 sany ýörite gönüburçly kremniý plitalaryny sargyt etdi. Bahalandyrmadan soň, tehniki topar bu iki sp...Köpräk okaň -
Grafit esasly SiC bilen örtülen materiallar we gaty (köp mukdarda) SiC: Ýarymgeçiriji proses komponentleri üçin materiallary nädip saýlamaly
Material saýlamagy enjamlaryň öndürijiligine, tehniki hyzmatyň bahasyna we hyzmat möhletine gönüden-göni täsir edýär. Häzirki wagtda senagatda iki esasy tehniki çemeleşme agdyklyk edýär: • Grafit esasly SiC bilen örtülen material (CVD SiC bilen örtülen grafit) • Gaty/köp sanly SiC materialy (adatça CVD prosesi tarapyndan hem öndürilýär...Köpräk okaň -
SiC bilen örtülen grafit susseptory näme?
Giň zolakly aralyk (WBG) elektrik enjamlarynyň, 5G RF aragatnaşygynyň we ösen optoelektronikanyň ösüşi bilen çalt ösýän ýarymgeçirijiler senagatynda kristallaryň ösüşi wagtynda örän ýokary arassalyga we takyk atom gatlagynyň birmeňzeşligine ýetmek iň möhümdir. Semicera-da biz ýokary öndürijilikli ...Köpräk okaň -
Ýürek-damar örtükleriniň prosesi: Prinsipleriň, ulanylyşlaryň we geljekki ewolýusiýanyň çuňňur seljermesi
Nanoölçegli ýarymgeçirijileriň önümçiliginiň we birleşdirilen ýarymgeçirijileriň (SiC we GaN ýaly) güýçli ösüşi arasynda, çipleriň önümçiligini we enjamlaryň ömrüni kesgitleýän köplenç gözden gaçyrylýan "görlüp-eşidilmedik gahryman" bar: himiki bug çökündisi (HBÇ) bilen örtmek prosesi. HBÇ bilen örtmek pl...Köpräk okaň -
6 dýuýmlyk kremniý esasly AlN inçe plýonkasyny özleşdirmek ýagdaýy: MOCVD geteroepitaksial stress-ýarylma meselesini nähili çözdi?
Gysgaça mazmuny: 500nm-den 100nm-e çenli, 3-4 hepdede bir gezekde spesifikasiýa boýunça eltip berildi. Esasy netije: Müşderiniň ilki isleýän zady 500nm galyňlygyndaky plýonkady. Ahyrsoňy biz tassyklanan, töwekgelçilik gözegçiligi astyndaky 100nm çözgüdini hödürledik — bu işiň maksady diňe spesifikasiýa ýetmek däl, eýsem...Köpräk okaň -
MOCVD nähili işleýär? Atom derejesindäki inçe plýonka çökündisi boýunça gollanma
Ⅰ. Giriş Häzirki zaman ýarymgeçiriji enjamlary barha güýçli, kiçi we energiýa tygşytlaýjy bolýar. Bu täzelikleriň köpüsiniň arkasynda inženerlere atom ölçeginde ýarymgeçiriji materiallary gatlak-gatlak gurmaga mümkinçilik berýän örän ösen önümçilik tehnologiýasy bar — Met...Köpräk okaň -
Ýokary arassalykly kremniý karbid poroşogy: bu näme we näme üçin möhüm
Giriş Ýarymgeçiriji tehnologiýalar ýokary woltlylyga, ýokary ýygylyga we ýokary temperatura işleýşine tarap öňe gitmegi dowam etdirýän mahaly, kremniý karbidi (SiC) indiki nesil elektron enjamlary üçin iň möhüm giň zolakly ýarymgeçiriji materiallarynyň birine öwrüldi. Şeýle-de bolsa, öndürijilik...Köpräk okaň -
Semicera ýarymgeçirijili wafer üpjün edijisi | SiC, kremniý, Ga₂O₃, sapfir wafer OEM özleşdirmesi
Semicera ýarymgeçirijili wafer üpjün edijisi | SiC, kremniý, Ga₂O₃, Safir wafer OEM sazlamasy Semicera-nyň wafer bölümi ýarymgeçirijili waferleri we substrat materiallaryny, şol sanda kremniý karbidini (SiC), kremniýi, galliý oksidini (β-Ga₂O₃), sapfiri, SOI, galliý nitridini (GaN) we galliýi üpjün edýär ...Köpräk okaň -
Uglerodly uglerod kompozit CFC näme? Ýarymgeçiriji önümçilikde häsiýetleri, ulanylyşy we artykmaçlyklary
Uglerodly uglerod kompoziti, şeýle hem C/C kompoziti ýa-da uglerod süýümi bilen güýçlendirilen uglerod kompoziti hökmünde hem tanalýar, uglerod matrisasynyň içine ýerleşdirilen uglerod süýümlerinden ybarat bolan ösen uglerod materialydyr. Adaty grafit materiallaryndan tapawutlylykda, CFC uglerodyň ajaýyp termal häsiýetlerini mehaniki...Köpräk okaň -
Tantal karbid planetar diski häzirki zaman ýarymgeçiriji epitaksiýasy üçin näme üçin möhüm?
Ýarymgeçiriji tehnologiýasy uly wafer ölçeglerine, ýokary proses temperaturalaryna we has berk hapalanma gözegçiligine tarap öňe gitmegini dowam etdirýänligi sebäpli, reaktor bölekleriniň iş görkezijileri barha talap edilýär. Bu möhüm bölekleriň arasynda Tantal Karbidi (TaC) Planetar D...Köpräk okaň -
Ereýän kwarts kruçlaryny häzirki zaman ýarymgeçiriji kristallarynyň ösmegi üçin näme möhüm edýär?
Ýarymgeçiriji tehnologiýasynyň yzygiderli ösüşi material arassalygyna, termal durnuklylygyna we prosesiň yzygiderliligine barha berk talaplary goýdy. Kristal çekijilere, epitaksiýa reaktorlaryna we çökündi enjamlaryna köp üns berilýän bolsa-da, iň esasy bölekleriň biri...Köpräk okaň