CVD köpçülikleýin kremniý karbidi (SiC)
Umumy maglumat:Ýürek-damar keselleriköpçülikleýin kremniý karbidi (SiC)plazma aşındyryş enjamlarynda, çalt termal işleme (RTP) ulanylyşlarynda we beýleki ýarymgeçiriji önümçilik proseslerinde örän isleg bildirilýän materialdyr. Onuň ajaýyp mehaniki, himiki we termal häsiýetleri ony ýokary takyklygy we berkligi talap edýän öňdebaryjy tehnologiýa ulanylyşlary üçin ideal materiala öwürýär.
CVD köpçülikleýin SiC ulanylyşlary:Köp mukdarda SiC ýarymgeçiriji senagatynda, esasanam plazma aşındyryş ulgamlarynda möhüm ähmiýete eýedir, bu ýerde fokus halkalary, gaz duş başlyklary, gyra halkalary we plastinkalar ýaly komponentler SiC-niň ajaýyp korroziýa garşylygyndan we ýylylyk geçirijiliginden peýdalanýar. Onuň ulanylyşy şuňa çenli giňelýärRTPSiC-niň düýpli zaýalanmasyz çalt temperatura üýtgemelerine çydap bilmegi sebäpli ulgamlar.
Oýmak enjamlaryna goşmaça, CVDköpçülikleýin SiCýokary termal durnuklylygy we berk himiki gurşawlara garşylyk talap edilýän diffuziýa peçlerinde we kristal ösüş proseslerinde has amatlydyr. Bu häsiýetler SiC-ni ýokary temperatura we hlor we ftor saklaýan ýaly poslaýan gazlar bilen baglanyşykly ýokary talap edilýän ulanyşlar üçin saýlanýan materiala öwürýär.
CVD köpçülikleýin SiC komponentleriniň artykmaçlyklary:
•Ýokary dykyzlyk:3.2 g/sm³ dykyzlygy bilen,CVD köpçülikleýin SiCbölekleri aşynmaga we mehaniki täsirlere ýokary derejede çydamlydyr.
•Ýokary ýylylyk geçirijiligi:300 W/m·K ýylylyk geçirijiligini hödürleýän uly SiC ýylylygy netijeli dolandyrýar, bu bolsa ony ekstremal ýylylyk sikllerine sezewar bolýan bölekler üçin amatly edýär.
•Ajaýyp himiki garşylyk:SiC-niň hlor we ftor esasly himiki maddalar ýaly aşyndyryjy gazlar bilen pes reaksiýa ukyplylygy komponentleriň uzak ömürli bolmagyny üpjün edýär.
•Sazlanyp bilinýän garşylyk: CVD köpçülikleýin SiC-lergarşylygy 10⁻²–10⁴ Ω-sm aralygynda sazlap bolýar, bu bolsa ony belli bir aşındyrma we ýarymgeçiriji önümçilik zerurlyklaryna uýgunlaşdyrýar.
•Termal giňelme koeffisiýenti:4.8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C) termal giňelme koeffisiýenti bilen, CVD göwrümli SiC termal şoklara garşy durup, çalt gyzdyrma we sowadyş sikllerinde hem ölçeg durnuklylygyny saklaýar.
•Plazmadaky çydamlylyk:Ýarymgeçiriji proseslerde plazma we reaktiv gazlara täsir etmek hökmandyr, ýöneCVD köpçülikleýin SiCkorroziýa we zaýalanmaga garşy ýokary derejeli garşylyk görkezýär, çalşyryş ýygylygyny we umumy tehniki hyzmat çykdajylaryny azaldýar.
Tehniki aýratynlyklar:
•Diametri:305 mm-den uly
•Garşylyklylyk:10⁻²–10⁴ Ω-sm aralygynda sazlanyp bilner
•Dykyzlyk:3.2 g/sm³
•Ýylylyk geçirijiligi:300 W/m·K
•Termal giňelme koeffisiýenti:4.8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C)
Özleşdirme we çeýelik:WagtyndaSemicera ýarymgeçirijisi, biz her ýarymgeçiriji ulanylyşynyň dürli aýratynlyklary talap edip biljekdigini düşünýäris. Şonuň üçin biziň CVD köpçülikleýin SiC böleklerimiz doly özleşdirilip bilner, sazlanyp bilýän garşylyk we enjamyňyzyň zerurlyklaryna laýyk gelýän ölçegler bilen. Plazma aşındyryş ulgamlaryňyzy optimizirleseňiz ýa-da RTP ýa-da diffuziýa proseslerinde berk bölekleri gözleseňiz, biziň CVD köpçülikleýin SiC deňsiz-taýsyz öndürijiligi üpjün edýär.
