Epitaksiýa üçin kremniý karbidi bilen örtülen grafit guraly

Gysgaça düşündiriş:

“Semicera” dürli epitaksiýa reaktorlary üçin niýetlenen susseptorlaryň we grafit komponentleriniň giň toplumyny hödürleýär.

Senagatyň öňdebaryjy OEM-leri bilen strategik hyzmatdaşlyk, giň materiallar boýunça tejribe we ösen önümçilik mümkinçilikleri arkaly Semicera siziň ulanyşyňyzyň anyk talaplaryna laýyk gelýän ýörite dizaýnlary hödürleýär. Kämillige ygrarlylygymyz epitaksiýa reaktoryňyzyň zerurlyklary üçin iň gowy çözgütleri almagyňyzy üpjün edýär.

Bize e-poçta iberiň

Önümiň jikme-jiklikleri

Önümiň tegleri

Beýany

Kompaniýamyz grafit, keramika we beýleki materiallaryň ýüzünde CVD usuly bilen SiC örtük proses hyzmatlaryny hödürleýär, şonuň üçin uglerod we kremniý saklaýan ýörite gazlar ýokary temperaturada reaksiýa girip, ýokary arassalykdaky SiC molekulalaryny, ýagny örtülen materiallaryň ýüzünde ýerleşdirilen molekulalary, SIC gorag gatlagyny emele getirýär.

(1) barada

(2) barada

Esasy aýratynlyklar

1. Ýokary arassalykly SiC örtülen grafit

2. Ýokary gyzgynlyga garşylyk we gyzgynlygyň birmeňzeşligi

3. Tekiz ýüz üçin örtülen inçe SiC kristaly

4. Himiki arassalamaga garşy ýokary berklik

CVD-SIC örtüginiň esasy aýratynlyklary

SiC-CVD aýratynlyklary
Kristal gurluşy	FCC β fazasy
Dykyzlyk	g/sm³	3.21
Gatylyk	Wickers gatylygy	2500
Däne ölçegi	μm	2~10
Himiki arassalyk	%	99.99995
Yssylyk kuwwaty	J·kg-1 ·K-1	640
Sublimasiýa temperaturasy	℃	2700
Fleksural güýç	MPa (RT 4-nokat)	415
Ýaşyň moduly	Gpa (4pt bükülme, 1300℃)	430
Termal giňelme (TGG)	10-6K-1	4.5
Ýylylyk geçirijiligi	(W/mK)	300