Hytaý Wafer Öndürijileri, Üpjünçileri, Zawody
Ýarymgeçiriji plastina näme?
Ýarymgeçiriji plastinka integral mikrosxemalaryň (IC) we beýleki elektron enjamlaryň öndürilmegi üçin esas bolup hyzmat edýän ýarymgeçiriji materialyň inçe, tegelek bölegidir. Plitalar dürli elektron bölekleriň gurlan tekiz we birmeňzeş ýüzi üpjün edýär.
Plastinka öndürmek prosesi birnäçe ädimden ybarat bolup, şol sanda islenýän ýarymgeçiriji materialdan uly monokristal ösdürip ýetişdirmek, kristaly almaz arra bilen inçe plastinalara bölmek, soňra bolsa plastinalary jylamak we arassalamak arkaly ýüzdäki kemçilikleri ýa-da hapaçylyklary aýyrmak ýaly işler bar. Netijede, plastinalar ýokary derejede tekiz we ýumşak ýüze eýedir, bu bolsa soňraky önümçilik prosesleri üçin örän möhümdir.
Plastinkalar taýýarlanandan soň, elektron bölekleri gurmak üçin zerur bolan çylşyrymly nagyşlary we gatlaklary döretmek maksady bilen, olar fotolitografiýa, aşındyrma, çökündi we lehimleme ýaly birnäçe ýarymgeçiriji önümçilik proseslerinden geçýärler. Bu prosesler birnäçe integral mikroshemalary ýa-da beýleki enjamlary döretmek üçin bir plastinada birnäçe gezek gaýtalanýar.
Öndüriş prosesi tamamlanandan soň, aýry-aýry çipler öňünden kesgitlenen çyzyklaryň boýunça waferi böleklere bölmek arkaly aýrylýar. Soňra bölünen çipler olary goramak we elektron enjamlara integrasiýa üçin elektrik birikmelerini üpjün etmek üçin gaplanýar.
Waferde dürli materiallar
Ýarymgeçirijili plastinkalar, esasan, köp mukdarda bolmagy, ajaýyp elektrik häsiýetleri we standart ýarymgeçiriji önümçilik prosesleri bilen utgaşyklylygy sebäpli monokristally kremniýden ýasalýar. Şeýle-de bolsa, belli bir ulanylyşlara we talaplara baglylykda, plastinkalary ýasamak üçin başga materiallar hem ulanylyp bilner. Ine, käbir mysallar:
Kremniý karbidi (SiC) giň zolakly ýarymgeçiriji material bolup, däp bolan materiallar bilen deňeşdirilende has gowy fiziki häsiýetleri hödürleýär. Ol netijeliligi ýokarlandyrýan mahaly, aýratyn enjamlaryň, modullaryň we hatda tutuş ulgamlaryň ölçeglerini we agramyny azaltmaga kömek edýär.
SiC-niň esasy häsiýetnamalary:
- -Giň zolak aralygy:SiC-niň zolak aralygy kremniýden üç esse köp, bu bolsa onuň 400°C çenli ýokary temperaturada işlemegine mümkinçilik berýär.
- -Ýokary derejeli kritik döwülme meýdany:SiC kremniýiň elektrik meýdanynyň on esse güýçli täsirine çydap bilýär, bu bolsa ony ýokary woltly enjamlar üçin amatly edýär.
- -Ýokary ýylylyk geçirijiligi:SiC ýylylygy netijeli ýaýradýar, enjamlaryň optimal iş temperaturasyny saklamaga we ömrüni uzaltmaga kömek edýär.
- -Ýokary doýgunlykly elektron sürüş tizligi:Kremniýiň iki esse ýokary sürüş tizligi bilen SiC has ýokary geçiş ýygylyklaryny üpjün edýär we enjamyň kiçileşdirilmegine kömek edýär.
Ulanyşlar:
-
-Elektrik elektronikasy:SiC elektrik enjamlary ýokary woltly, ýokary tokly, ýokary temperaturaly we ýokary ýygylykly gurşawlarda ajaýyp işläp, energiýany öwürmegiň netijeliligini ep-esli ýokarlandyrýar. Olar elektrik awtoulaglarynda, zarýad beriş stansiýalarynda, fotowoltaik ulgamlarda, demir ýol ulaglarynda we akylly elektrik ulgamlarynda giňden ulanylýar.
-
-Mikrotolkunly aragatnaşyk:SiC esasyndaky GaN RF enjamlary simsiz aragatnaşyk infrastrukturasy, esasanam 5G baza stansiýalary üçin örän möhümdir. Bu enjamlar SiC-iň ajaýyp ýylylyk geçirijiligini GaN-yň ýokary ýygylykly, ýokary kuwwatly RF çykyşy bilen birleşdirýär, bu bolsa olary indiki nesil ýokary ýygylykly telekommunikasiýa ulgamlary üçin iň gowy saýlawa öwürýär.
Galliý nitridi (GaN)uly zolak aralygy, ýokary ýylylyk geçirijiligi, ýokary elektron doýgunlygynyň sürüş tizligi we ajaýyp döwülme meýdanynyň häsiýetnamalary bolan üçünji nesil giň zolak aralygy ýarymgeçiriji materialdyr. GaN enjamlary LED energiýa tygşytlaýjy yşyklandyryş, lazer proýeksiýa displeýleri, elektrik awtoulaglary, akylly torlar we 5G aragatnaşyk ýaly ýokary ýygylykly, ýokary tizlikli we ýokary kuwwatly ugurlarda giň ulanylyş mümkinçiliklerine eýedir.
Galliý arsenid (GaAs)ýokary ýygylygy, ýokary elektron hereketliligi, ýokary kuwwatlylygy, pes sesi we gowy çyzyklylygy bilen tanalýan ýarymgeçiriji materialdyr. Ol optoelektronika we mikroelektronika senagatynda giňden ulanylýar. Optoelektronikada GaAs substratlary LED (ýagtylyk çykarýan diodlar), LD (lazer diodlary) we fotowoltaik enjamlary öndürmek üçin ulanylýar. Mikroelektronikada olar MESFET-leriň (metal-ýarymgeçiriji meýdan täsirli tranzistorlar), HEMT-leriň (ýokary elektron hereketli tranzistorlar), HBT-leriň (geterogeçişli bipolýar tranzistorlar), IC-leriň (integral mikrosxemalar), mikrotolkun diodlarynyň we Holl täsirli enjamlarynyň önümçiliginde ulanylýar.
Indiý fosfidi (InP)ýokary elektron hereketliligi, ajaýyp radiasiýa garşylygy we giň zolak aralygy bilen tanalýan möhüm III-V birleşme ýarymgeçirijileriniň biridir. Ol optoelektronika we mikroelektronika senagatynda giňden ulanylýar.
Wafer üçin teklip soraň
Plastinka materialyňyzy, diametriňizi, galyňlygyňyzy, geçirijilik görnüşiňizi, garşylygyňyzy, kristalyň ugryny, ýüz talaplaryňyzy we mukdaryňyzy bize iberiň. Semicera talap edilen konfigurasiýany gözden geçirer we elýeterli tehniki şertlere esaslanyp önüm saýlamagy we baha bermegi üpjün eder.
