CVD SiC örtük
Silikon karbid (SiC) epitaksiýasy
SiC epitaksial dilimini ösdürip ýetişdirmek üçin SiC substratyny saklaýan epitaksial tarelka, reaksiýa kamerasyna ýerleşdirilip, wafli bilen göni aragatnaşyk saklaýar.
Upperokarky ýarym aý bölegi, Sic epitaksi enjamlarynyň reaksiýa kamerasynyň beýleki esbaplary üçin daşaýjydyr, aşaky ýarym aý bölegi kwars turbasyna birikdirilip, duýgur bazanyň aýlanmagy üçin gaz girizýär.temperatura bilen dolandyrylýan we wafli bilen göni aragatnaşyk saklamazdan reaksiýa kamerasynda oturdylýar.
Epitaksiýa
Si epitaksial dilimini ösdürmek üçin Si substratyny saklaýan tarelka, reaksiýa kamerasyna ýerleşdirildi we wafli bilen göni aragatnaşyk saklaýar.
Gyzdyryjy halka Si epitaksial substrat lýubkanyň daşky halkasynda ýerleşýär we kalibrleme we ýyladyş üçin ulanylýar.Reaksiýa kamerasyna ýerleşdirildi we wafli bilen göni aragatnaşyk saklamaýar.
Si epitaksial dilimini ösdürmek üçin Si substratyny saklaýan epitaksial duýgur, reaksiýa kamerasyna ýerleşdirilýär we wafli bilen göni aragatnaşyk saklaýar.
Epitaksial barrel dürli ýarymgeçiriji önümçilik prosesinde ulanylýan, adatça MOCVD enjamlarynda ulanylýan, ajaýyp ýylylyk durnuklylygy, himiki garşylygy we könelişme garşylygy, ýokary temperatura proseslerinde ulanmak üçin örän amatly komponentlerdir.Wafli bilen habarlaşýar.
| 重 结晶 碳化硅 物理 特性 Gaýtadan gurlan kremniy karbidiň fiziki aýratynlyklary | |
| 性质 / emläk | 典型 数值 / Adaty baha |
| 使用 温度 / Iş temperaturasy (° C) | 1600 ° C (kislorod bilen), 1700 ° C (daşky gurşawy azaltmak) |
| SiC 含量 / SiC mazmuny | > 99,96% |
| 自由 Si 含量 / Mugt Si mazmuny | <0,1% |
| 体积 密度 / Köp dykyzlygy | 2.60-2,70 g / sm3 |
| 气孔 率 / Görünýän gözenek | <16% |
| 抗压强度 / gysyş güýji | > 600 MPa |
| 常温 抗弯 强度 / Sowuk egilme güýji | 80-90 MPa (20 ° C) |
| 高温 抗弯 强度 Gyzgyn egilme güýji | 90-100 MPa (1400 ° C) |
| 热 膨胀 系数 / malylylyk giňelişi @ 1500 ° C. | 4.70 10-6/ ° C. |
| 导热 系数 / malylylyk geçirijiligi @ 1200 ° C. | 23 W / m • K. |
| 杨氏 模 量 / Elastik modul | 240 GPa |
| 抗热 震 性 / malylylyk zarbasyna garşylyk | Örän gowy |
| 烧结 碳化硅 物理 特性 Sintirlenen kremniy karbidiň fiziki aýratynlyklary | |
| 性质 / emläk | 典型 数值 / Adaty baha |
| 化学 成分 / Himiki düzümi | SiC> 95%, Si <5% |
| 体积 密度 / Bularyň dykyzlygy | > 3.07 g / sm³ |
| 显 气孔 率 / Görünýän gözenek | <0,1% |
| 常温 抗弯 强度 / 20 at ýarylmagynyň moduly | 270 MPa |
| 高温 抗弯 强度 / 1200 at ýarylyş moduly | 290 MPa |
| 硬度 / 20 at gatylygy | 2400 Kg / mm² |
| 断裂 韧性 / 20% -de döwük berkligi | 3.3 MPa · m1/2 |
| 导热 系数 / 1200 at ýylylyk geçirijiligi | 45 w / m .K |
| 热 膨胀 系数 / 20-1200 at ýylylyk giňelmesi | 4.5 1 × 10 -6/ ℃ |
| 最高 工作 温度 / Maks. Işleýän temperatura | 1400 ℃ |
| 热 震 稳定性 / 1200 at ýylylyk zarbasyna garşylyk | Gowy |
| CVD SiC 薄膜 基本 物理 性能 CVD SiC filmleriniň esasy fiziki aýratynlyklary | |
| 性质 / emläk | 典型 数值 / Adaty baha |
| 晶体 结构 / Kristal gurluş | FCC β fazaly polikristally, esasan (111) gönükdirilen |
| 密度 / Dykyzlygy | 3.21 g / sm³ |
| 硬度 / Gatylyk 2500 | 维 氏 硬度 g 500g ýük） |
| 晶粒 大小 / däne SiZe | 2 ~ 10μm |
| Chemical / Himiki arassalygy | 99.99995% |
| 热 容 / atylylyk kuwwaty | 640 J · kg-1· K.-1 |
| 升华 温度 / Sublimasiýa temperaturasy | 2700 ℃ |
| 抗弯 强度 / Fleksural güýç | 415 MPa RT 4 bal |
| 杨氏 模 Young / ’aş moduly | 430 Gpa 4pt egilmek, 1300 ℃ |
| 导热 系数 / malylylyk geçirijiligi | 300W · m-1· K.-1 |
| 热 膨胀 系数 / malylylyk giňelişi (CTE) | 4.5 × 10-6 K -1 |
Pirolitiki uglerod örtügi
Esasy aýratynlyklary
Surfaceerüsti dykyz we gözeneksiz.
Purokary arassalygy, haramlygyň umumy mukdary <20ppm, gowy howa geçirijiligi.
Temperatureokary temperatura garşylyk, güýç ulanyş temperaturasynyň ýokarlanmagy bilen ýokarlanýar, iň ýokary bahasy 2750 at, sublimasiýa 3600 at.
Pes elastik modul, ýokary ýylylyk geçirijiligi, pes ýylylyk giňelme koeffisiýenti we ajaýyp termiki zarba garşylygy.
Gowy himiki durnuklylyk, kislota, aşgar, duz we organiki reagentlere çydamly we eredilen metallara, şlaklara we beýleki poslaýjy serişdelere täsir etmeýär.400 C-den pes atmosferada ep-esli okislenmeýär we okislenme derejesi 800 at-da ep-esli ýokarlanýar.
Highokary temperaturada gaz goýbermezden, 1800 ° C töwereginde 10-7mmHg wakuumy saklap biler.
Haryt amaly
Ondarymgeçiriji pudagynda bugarmak üçin möhüm eriş.
Powerokary kuwwatly elektron turba derwezesi.
Naprýatageeniýe sazlaýjysy bilen aragatnaşyk saklaň.
Rentgen we neýtron üçin grafit monohromator.
Grafit substratlaryň dürli görnüşleri we atom siňdiriş turbasynyň örtügi.
Pirolitiki uglerod örtügi 500X mikroskop astynda, bitewi we möhürlenen.
CVD Tantal Karbid örtügi
TaC örtügi, SiC-den has ýokary temperatura durnuklylygy bilen täze nesil ýokary temperatura çydamly materialdyr.Poslama garşy örtük, oksidlenmä garşy örtük we könelişme örtük hökmünde 2000C-den ýokary gurşawda ulanylyp bilner, howa giňişliginde aşa ýokary temperatura gyzgyn uç böleklerinde, üçünji nesil ýarymgeçiriji ýeke kristal ösüş meýdanlarynda giňden ulanylýar.
| C TaC örtüginiň fiziki aýratynlyklary | |
| 密度 / Dykyzlygy | 14.3 (g / cm3) |
| 比 辐射 率 / ificörite emissiýa | 0.3 |
| 热 膨胀 系数 / malylylyk giňelme koeffisiýenti | 6.3 10 / K. |
| 努 氏 硬度 / Gatylyk (HK) | 2000 HK |
| 电阻 / Garşylyk | 1x10-5 Ohm * sm |
| 热 稳定性 / malylylyk durnuklylygy | <2500 ℃ |
| 石墨 尺寸 变化 / Grafitiň ululygy üýtgeýär | -10 ~ -20um |
| 涂层 厚度 / Örtügiň galyňlygy | 20220um adaty bahasy (35um ± 10um) |
Gaty kremniy karbid (CVD SiC)
Gaty CVD SILICON CARBIDE bölekleri, RTP / EPI halkalary we esaslary we ýokary ulgamda işleýän iş temperaturasynda (> 1500 ° C) işleýän plazma eti boşluk bölekleri üçin esasy saýlama hökmünde ykrar edildi, arassalyga bolan talaplar has ýokary (> 99.9995%) we garşylykly himiki maddalar has ýokary bolanda öndürijilik aýratyn gowy.Bu materiallarda däne gyrasynda ikinji derejeli fazalar ýok, şonuň üçin toprak bölekleri beýleki materiallara garanyňda az bölejikleri öndürýär.Mundan başga-da, bu komponentleri az zaýalanmak bilen gyzgyn HF / HCI ulanyp arassalap bolýar, netijede bölejikler az bolýar we ömrüň uzak bolýar.
