SiC Wafer gaýyk
Silikon karbid wafli gaýykesasan gün we ýarymgeçirijiniň diffuziýa proseslerinde ulanylýan wafli üçin ýük göteriji enjam.Onda aşaga garşylyk, poslama garşylyk, ýokary temperatura täsirine garşylyk, plazma bombalanmagyna garşylyk, ýokary temperatura göterijilik ukyby, ýokary ýylylyk geçirijiligi, ýokary ýylylygyň ýaýramagy we egilmek we deformasiýa etmek aňsat däl uzak möhletli ulanmak ýaly aýratynlyklary bar.Kompaniýamyz, hyzmat möhletini üpjün etmek üçin ýokary arassa kremniy karbid materialyny ulanýar we ýöriteleşdirilen dizaýnlary, şol sanda üpjün edýär.dürli dik we keseliginewafli gaýyk.
SiC Paddle
Thekremniý karbid kantilewer paddeliesasan kremniý wafli (diffuziýa) örtüginde ulanylýar, ýokary temperaturada kremniy wafli ýüklemekde we daşamakda möhüm rol oýnaýar.Munuň esasy düzüm bölegiýarymgeçiriji wafliýüklemek ulgamlary we aşakdaky esasy aýratynlyklary bar:
1. temperatureokary temperaturaly şertlerde deformasiýa etmeýär we wafli ýokary ýük göteriji güýje eýe;
2. Gaty sowuk we çalt yssylyga çydamly we uzak ömri bar;
3. malylylyk giňelme koeffisiýenti kiçi bolup, tehniki hyzmat we arassalaýyş siklini ep-esli giňeldýär we hapalaýjylary ep-esli azaldýar.
SiC peç turbasy
Silikon karbid prosesi turbasymetal arassalygy bolmadyk ýokary arassa SiC-den ýasalan, wafli hapalamaýar we ýarymgeçiriji we fotowoltaik diffuziýa, anneal we okislenme prosesi ýaly amatlydyr.
SiC Robot Arm
SiC robot golywafli geçiriji ahyrky effektory hökmünde hem tanalýar, ýarymgeçiriji wafli daşamak üçin ulanylýan robot gol bolup, ýarymgeçiriji, optoelektron we gün energiýasy pudaklarynda giňden ulanylýar.Highokary arassalygy bolan kremniý karbidini ulanmak, gaty gatylygy, könelmegine garşylyk, seýsmiki garşylyk, deformasiýa bolmazdan uzak möhletleýin ulanmak, uzak ömri we ş.m. ýöriteleşdirilen hyzmatlary berip biler.
Kristal ösmek üçin grafit
Grafit ýylylyk galkany
Grafit elektrod turbasy
Grafit deflektor
Grafit
Icarymgeçirijiniň kristallaryny ösdürmek üçin ulanylýan ähli amallar ýokary temperaturada we poslaýjy şertlerde işleýär.Kristal ösüş peçiniň gyzgyn zonasy, adatça ýylylyga çydamly we poslama garşy ýokary arassalygy bilen üpjün edilýär.grafit gyzdyryjylar, çüýler, silindrler, deflektor, çukurlar, turbalar, halkalar, saklaýjylar, hozlar we ş.m. ýaly grafit komponentleri Taýýar önümimiz 5ppm-den az kül düzümine ýetip biler.
Ondarym geçiriji epitaksiýa üçin grafit
Grafit bazasy
Grafit epitaksial barrel
Monokri stallin kremniniň epitaksial bazasy
MOCVD grafit bölekleri
Ondarymgeçiriji grafit armatura
Epitaksial proses, bir kristal substratda substrat bilen birmeňzeş berkitme bilen bir kristal materialyň ösmegini aňladýar.Oňa aşa ýokary arassalyk grafit bölekleri we SIK örtügi bilen grafit bazasy gerek.Ondarymgeçiriji epitaksiýasy üçin ulanylýan ýokary arassalyk grafiti, pudakda iň köp ulanylýan enjamlara gabat gelip bilýän köp sanly amaly ýerine ýetirýär, şol bir wagtyň özünde-de gaty ýokary.arassalygy, birmeňzeş örtük, ajaýyp hyzmat ömri we aşa ýokary himiki garşylyk we ýylylyk durnuklylygy.
Izolýasiýa materialy we başgalar
Ondarymgeçiriji önümçiliginde ulanylýan ýylylyk izolýasiýa materiallary grafit gaty, ýumşak, grafit folga, uglerod birleşýän materiallar we ş.m. Çig malymyz, müşderileriň spesifikasiýalaryna görä kesilip bilinýän we satylyp bilinýän grafit materiallarydyr. tutuşlygyna.Uglerod birleşýän material, adatça gün monokristal we polisilikon öýjük öndürmek prosesi üçin daşaýjy hökmünde ulanylýar.