Ondarymgeçirijiler:
Ondarymgeçiriji pudagy “tehnologiýanyň bir nesli, bir nesil proses we bir nesil enjam” senagat kanunyna eýerýär we ýarymgeçiriji enjamlaryň kämilleşdirilmegi we gaýtalanmagy esasan takyk bölekleriň tehnologiki açyşyna baglydyr. Olaryň arasynda takyk keramiki bölekler, ýarymgeçirijiniň takyk bölekleri materiallary bolup, himiki buglaryň çökmegi, fiziki buglaryň çökmegi, ion implantasiýasy we ekiş ýaly esasy ýarymgeçiriji önümçilik baglanyşyklarynyň bir toparynda möhüm goşundylary bar. Rulmanlar, ýol görkeziji relsler, pollar, elektrostatik çuklar, mehaniki işleýiş gollary we ş.m. Esasanam enjam boşlugynyň içinde goldaw, goramak we sowmak roluny ýerine ýetirýär.
2023-nji ýyldan bäri Gollandiýa we Japanaponiýa yzygiderli gözegçilik etmek üçin täze düzgünleri ýa-da daşary söwda kararlaryny çykardylar, ýarymgeçiriji enjamlar üçin daşbasma enjamlary üçin eksport ygtyýarnamasy düzgünlerini goşdy we ýarymgeçirijiniň globallaşma garşy tendensiýasy kem-kemden ýüze çykdy. Üpjünçilik zynjyryna garaşsyz gözegçilik etmegiň ähmiýeti barha artdy. Ondarymgeçiriji enjamlaryň bölekleriniň lokalizasiýasyna bolan isleg bilen ýüzbe-ýüz bolup, içerki kompaniýalar senagatyň ösüşini işjeň ösdürýärler. “Zhongci Electronics”, ýarymgeçiriji enjamlar pudagynyň “kynçylyk” meselesini çözüp, ýyladyş plitalary we elektrostatik çuklar ýaly ýokary tehnologiýaly takyk bölekleriň lokalizasiýasyna göz ýetirdi; SiC örtülen grafit bazalary we SiC halka halkalaryny öňdebaryjy içerki üpjün ediji Dezhi New Materials, 100 million ýuana we ş.m. maliýeleşdirmegi üstünlikli tamamlady… ..
Condokary geçirijilikli kremniý nitrid keramiki substratlar:
Silikon nitrid keramiki substratlar esasan elektrik birliklerinde, ýarymgeçiriji enjamlarda we arassa elektrik ulaglarynyň (EV) we gibrid elektrik ulaglarynyň (HEV) inwertorlarynda ulanylýar we uly bazar potensialyna we amaly mümkinçiliklerine eýe.
Häzirki wagtda täjirçilik goşundylary üçin ýokary ýylylyk geçirijilik kremniý nitrid keramiki substrat materiallary ýylylyk geçirijiligini ≥85 W / (m · K), egilmek güýji ≥650MPa we döwük berkligi 5 ~ 7MPa · m1 / 2 talap edýär. Highokary ýylylyk geçirijilikli kremniý nitrid keramiki substratlary köpçülikleýin öndürmek ukybyna eýe bolan kompaniýalar esasan Toshiba Group, Hitachi Metals, Japan Electric Chemical, Japan Maruwa we Japan Fine Ceramics.
Silikon nitrit keramiki substrat materiallary boýunça içerki gözlegler hem käbir ösüşlere eýe boldy. Sinoma ýokary tehnologiýaly Nitride keramika kärhanasynyň Pekin şahamçasynyň lenta guýmak prosesi bilen taýýarlanan kremniý nitrid keramiki substratyň ýylylyk geçirijiligi 100 W / (m · K); Pekin Sinoma emeli kristal gözleg instituty Ltd., egilmek güýji 700-800MPa, döwük berkligi ≥8MPa · m1 / 2 we ýylylyk geçirijiligi ≥80W / (m · K) bilen kremniy nitrit keramiki substraty üstünlikli taýýarlady. süzgüç usulyny we amalyny optimizirlemek arkaly.
Iş wagty: Oktýabr-29-2024