Keramiki ýarymgeçirijiniň aýratynlyklary

Aýratynlyklary:

Icarymgeçiriji häsiýetli keramikanyň garşylygy takmynan 10-5 ~ 107ω.cm, keramiki materiallaryň ýarymgeçiriji häsiýetleri doping ýa-da stoiometrik gyşarmanyň netijesinde dörän kemçiliklere sebäp bolup biler. Bu usuly ulanýan keramika TiO2,

ZnO, CdS, BaTiO3, Fe2O3, Cr2O3 we SiC. Dürli aýratynlyklaryýarymgeçiriji keramikakeramiki duýgur enjamlary ýasamak üçin ulanyp boljak daşky gurşaw bilen elektrik geçirijiliginiň üýtgemegi.

Heatylylyga duýgur, gaz duýgur, çyglylyga duýgur, basyşa duýgur, ýagtylyga duýgur we beýleki datçikler. Fe3O4 ýaly ýarymgeçiriji şpil materiallary, gözegçilik edilýän gaty erginlerde MgAl2O4 ýaly geçirijisiz spinel materiallary bilen garylýar.

MgCr2O4 we Zr2TiO4, temperatura bilen üýtgeýän garşylykly enjamlar bilen berk gözegçilik edilýän termistor hökmünde ulanylyp bilner. ZnO, Bi, Mn, Co we Cr ýaly oksidleri goşup üýtgedilip bilner.

Bu oksidleriň köpüsi ZnO-da gaty eränok, ýöne ZnO varistor keramiki materiallaryny almak üçin barýer gatlagyny emele getirmek we varistor keramikasynda iň oňat öndürijilikli materialdyr.

SiC doping (adam uglerod gara, grafit tozy) taýýarlap bilerýarymgeçiriji materiallardürli garşylykly ýyladyş elementleri, ýagny ýokary temperaturaly elektrik peçlerinde kremniy uglerod çybyklary hökmünde ulanylýan ýokary temperatura durnuklylygy bilen. Islenýän zatlara ýetmek üçin SiC-iň garşylygyna we kesişine gözegçilik ediň

Işleýiş şertleri (1500 ° C çenli), garşylygyny ýokarlandyrýar we ýyladyş elementiniň kesiş bölegini azaldýar, öndürilýän ýylylygy artdyrar. Howadaky kremniý uglerod hasasy okislenme reaksiýasyny döreder, temperaturanyň ulanylyşy adatça kremniniň uglerod çybygynyň aşaky görnüşi 1600 ° C bilen çäklenýär.

Ygtybarly iş temperaturasy 1350 ° C. SiC-de Si atomy N atomy bilen çalşyrylýar, sebäbi N-de has köp elektron bar, artykmaç elektron bar we energiýa derejesi aşaky geçiriji zolaga ýakyn we geçiriji zolaga götermek aňsat, şonuň üçin bu energiýa ýagdaýy donor derejesi hem diýilýär, bu ýarym

Geçirijiler N görnüşli ýarymgeçirijiler ýa-da elektroniki ýarymgeçirijilerdir. Si atomynda Si atomyny çalyşmak üçin Al atomy ulanylsa, elektronyň ýoklugy sebäpli emele gelen maddy energiýa ýagdaýy ýokardaky walent elektron zolagyna ýakyn bolsa, elektronlary kabul etmek aňsat, şonuň üçin kabul ediji diýilýär

Elektronlary geçirip bilýän walent zolagynda boş ýer galdyrýan esasy energiýa derejesi, pozitiw zarýad göteriji bilen birmeňzeş hereket edýändigi üçin P görnüşli ýarymgeçiriji ýa-da deşik ýarymgeçiriji diýilýär (H. Sarman, 1989).