Silikon wafli ýarymgeçiriji önümçiliginiň jikme-jik prosesi

640

Ilki bilen polikristally kremnini we dopantlary bir hrustal peçde iň möhüm kwarsda goýuň, temperaturany 1000 derejeden ýokary galdyryň we eredilen ýagdaýda polikristally kremnini alyň.

640 (1)

Silikon ingotyň ösüşi polikristally kremnini ýeke kristal kremnine öwürmekdir. Polikristally kremniý suwuklyga gyzdyrylandan soň, ýokary hilli ýeke kristallara öwrülmegi üçin ýylylyk gurşawy takyk gözegçilikde saklanýar.

Degişli düşünjeler:
Cryeke kristal ösüşi:Polikristally kremniniň ergininiň temperaturasy durnukly bolansoň, tohum kristaly ýuwaş-ýuwaşdan kremniniň eremegine düşýär (tohum kristaly hem kremniniň eremeginde ereýär), soňra tohum kristaly ekiş üçin belli bir tizlikde göterilýär; prosesi. Soňra, ekiş döwründe emele gelen ýerler boýn amallary arkaly ýok edilýär. Boýn ýeterlik uzynlyga gysylanda, ýekeje kristal kremniniň diametri çekiş tizligini we temperaturasyny sazlamak bilen maksat bahasyna çenli ulalýar we soňra deň diametri maksat uzynlygyna çenli saklanýar. Ahyrynda, süýşmegiň yza çekilmeginiň öňüni almak üçin, ýekeje kristal ingot gutarýan ýekeje kristal ingot almak üçin gutarýar we temperatura sowadylandan soň çykarylýar.

Singleeke kristal kremnini taýýarlamagyň usullary:CZ usuly we FZ usuly. CZ usuly gysgaldyldy CZ usuly. CZ usulynyň häsiýeti, polikristally kremnini ýokary arassa kwarsda eritmek üçin grafit garşylykly ýyladyşdan peýdalanyp, soňra kebşirlemek üçin tohum kristalyny eritmek üçin göni silindrli ýylylyk ulgamynda jemlenendir. tohum kristalyny aýlamak, soň bolsa çüýşäni tersine öwürmek. Tohum kristaly ýuwaş-ýuwaşdan ýokaryk galdyrylýar we ekiş, ulalmak, egin aýlanmak, deň diametrli ulalmak we guýruk amallaryndan soň ýekeje kristal kremniý alynýar.

Zonany eretmek usuly, ýarymgeçiriji kristallary dürli ýerlerde eritmek we kristallaşdyrmak üçin polikristally ingotlary ulanmagyň usulydyr. Malylylyk energiýasy ýarymgeçiriji çybygyň bir ujunda ereýän zonany döretmek üçin ulanylýar, soň bolsa ýekeje kristal tohum kristaly kebşirlenýär. Ereýän zonany hasanyň beýleki ujuna ýuwaş-ýuwaşdan geçirmek üçin temperatura sazlanýar we tutuş hasanyň üsti bilen ýekeje kristal ösýär we kristal ugry tohum kristalynyňky bilen deňdir. Zonany eretmek usuly iki görnüşe bölünýär: gorizontal zonany eretmek usuly we dik asma zonany eretmek usuly. Öňküsi esasan germaniý we GaA ýaly materiallary arassalamak we ýekeje kristal ösmek üçin ulanylýar. Ikinjisi, bir kristal tohum kristalynyň we onuň üstünde asylan polikristally kremniniň hasasynyň arasyndaky kontaktda eredilen zonany döretmek üçin atmosferada ýa-da wakuum peçinde ýokary ýygylykly rulony ulanmak, soňra eredilen zonany ýokaryk herekete getirmekdir. kristal.

Silikon wafli takmynan 85% Czochralski usuly bilen, kremniý wafli 15% zonany eritmek usuly bilen öndürilýär. Programma laýyklykda, Czochralski usuly bilen ösdürilip ýetişdirilen ýeke kristal kremniý, esasan, integral zynjyr komponentlerini öndürmek üçin ulanylýar, zonany eritmek usuly bilen ösdürilip ýetişdirilen ýeke kristal kremniý esasan güýç ýarymgeçirijiler üçin ulanylýar. Czochralski usuly kämillik ýaşyna ýetýär we uly diametrli ýeke kristal kremnini ösdürmek has aňsat; zonany eretmek usuly konteýner bilen baglanyşmaýar, hapalanmak aňsat däl, arassalygy has ýokary we ýokary güýçli elektron enjamlaryny öndürmek üçin amatly, ýöne uly diametrli ýeke kristal kremnini ösdürmek has kyn, we adatça diňe 8 dýuým ýa-da ondanam az diametr üçin ulanylýar. Wideoda Czochralski usuly görkezilýär.

640 (2)

Singleeke kristal çekmek prosesinde ýekeje kristal kremniniň hasasynyň diametrine gözegçilik etmekdäki kynçylyk sebäpli, 6 dýuým, 8 dýuým, 12 dýuým we ş.m. ýaly adaty diametrli kremniy çybyklary almak üçin. kristal, kremniniň ingotynyň diametri togalanar we ýere öwrüler. Aýlanylandan soň kremniniň hasasynyň ýüzi tekiz we ululygy has kiçi.

640 (3)

Öňdebaryjy sim kesmek tehnologiýasyny ulanyp, ýekeje kristal ingot, dilimlemek enjamlary arkaly laýyk galyňlykdaky kremniý waflere bölünýär.

640 (4)

Silikon wafli az galyňlygy sebäpli, kremniý wafli kesilenden soň gyrasy gaty ýiti. Gyrasy üwemegiň maksady tekiz gyrasy emele getirmek we geljekki çip önümçiliginde döwmek aňsat däl.

640 (6)

LAPPING, agyr saýlama plastinka bilen aşaky kristal plastinanyň arasynda wafli goşmak, wafli tekizlemek üçin basyş we abraziw bilen aýlanmakdyr.

640 (5)

Dökmek, wafliň üstki zeperini aýyrmak üçin bir prosesdir we fiziki gaýtadan işlemek arkaly zeper ýeten ýerüsti gatlak himiki ergin bilen erär.

640 (8)

Iki taraplaýyn üwemek, wafli tekizlemek we üstündäki ownuk aýlawlary aýyrmak.

640 (7)

RTP, wafli birnäçe sekundyň içinde çalt gyzdyrmak prosesi, şonuň üçin wafliň içki kemçilikleri birmeňzeş, metal hapalary basylýar we ýarymgeçirijiniň kadaly işlemeginiň öňüni alýar.

640 (11)

Polishing, ýerüsti takyk işlemek arkaly ýeriň tekizligini üpjün edýän prosesdir. Ishingumşak we ýalpyldawuk matalary ulanmak, degişli temperatura, basyş we aýlanma tizligi bilen utgaşyp, öňki prosesde galan mehaniki zeper gatlagyny ýok edip biler we ajaýyp tekizligi bilen kremniy wafli alyp biler.

640 (9)

Arassalamagyň maksady, kremniniň wafli ýüzüniň arassalygyny üpjün etmek we indiki prosesiň hil talaplaryna laýyk gelmek üçin, kremniý wafliniň üstünde galan organiki maddalary, bölejikleri, metallary we ş.m. aýyrmakdyr.

640 (10)

Tekizlik we garşylyk synagy, ýalpyldawuk we arassalanandan soň kremniý wafli kesgitleýär, ýalpyldawuk kremniý wafli galyňlygynyň, tekizliginiň, ýerli tekizliginiň, egriliginiň, sahypasynyň, garşylygynyň we ş.m. müşderileriň isleglerini kanagatlandyrýar.

640 (12)

HYZMATDAŞLYK HASABATY, wafliň ýüzüni takyk barlamak üçin bir prosesdir, üstündäki kemçilikler we mukdar lazeriň ýaýramagy bilen kesgitlenýär.

640 (14)

EPI ÖSÜŞ, bug fazasynyň himiki çökdürilmegi bilen ýalpyldawuk kremniý wafli boýunça ýokary hilli kremniniň ýeke kristal filmlerini ösdürmek üçin bir prosesdir.

Degişli düşünjeler:Epitaksial ösüş: belli bir talaplar bilen bir kristal gatlagyň ösmegini we bir kristal substratda (substratda) substrat bilen birmeňzeş kristal ugrunyň ösmegini aňladýar, edil bir bölüm üçin daşarky uzalýan asyl kristal ýaly. Epitaksial ösüş tehnologiýasy 1950-nji ýyllaryň ahyrynda we 1960-njy ýyllaryň başynda işlenip düzüldi. Şol döwürde ýokary ýygylykly we ýokary kuwwatly enjamlary öndürmek üçin kollektor seriýasyna garşylygy azaltmalydy, material ýokary woltly we ýokary tokly çydamly bolmalydy, şonuň üçin inçe ýokary ösmeli boldy- pes garşylykly substratda epitaksial gatlak. Epitaksial taýdan ösdürilip ýetişdirilen täze ýekeje kristal gatlak, geçirijilik görnüşi, garşylyk we ş.m. taýdan substratdan tapawutlanyp biler we dürli galyňlyk we talaplar boýunça köp gatlakly ýeke kristallar hem ösdürilip bilner, şeýlelik bilen enjam dizaýnynyň çeýeligini ep-esli ýokarlandyrar we enjamyň öndürijiligi.

640 (13)

Gaplamak, soňky hünärli önümleriň gaplanyşydyr.


Iş wagty: Noýabr-05-2024