Gury dökülme prosesi, adatça, dört esasy ýagdaýdan ybaratdyr: dökülmezden ozal, bölekleýin gyjyndyrma, diňe gyjyndyrma we aşgarlamak. Esasy aýratynlyklary, çişme derejesi, saýlama, kritiki ölçeg, birmeňzeşlik we ahyrky nokady kesgitlemekdir.
1-nji surat
2-nji surat
3-nji surat
4-nji surat
(1) Dykma derejesi: bir wagtyň dowamynda aýrylan materialyň çuňlugy ýa-da galyňlygy.
5-nji surat
(2) Saýlaw: dürli eriş materiallarynyň dykylmagynyň derejesi.
6-njy surat Saýlaw diagrammasy
(3) Kritiki ölçeg: nagyş gutarandan soň belli bir ýerdäki nagşyň ululygy.
7-nji surat Kritiki ölçeg diagrammasy
.
8-nji surat Birmeňzeş shema diagrammasy
(5) Ahyrky nokady kesgitlemek: Dökmek prosesinde ýagtylygyň intensiwliginiň üýtgemegi yzygiderli ýüze çykarylýar. Belli bir ýagtylyk intensiwligi ýokarlananda ýa-da ep-esli peselende, filmiň belli bir gatlagynyň gutarandygyny bellemek üçin çişirilýär.
9-njy surat Ahyrky nokadyň shemasy
Gury gury ýerde, gaz ýokary ýygylyk bilen tolgundyrylýar (esasan 13.56 MGs ýa-da 2,45 GGs). 1-den 100 Pa çenli basyşda onuň ortaça erkin ýoly birnäçe millimetrden birnäçe santimetre çenli. Gury ekişiň üç esasy görnüşi bar:
•Fiziki gury eriş: çaltlaşdyrylan bölejikler wafli ýüzüni fiziki taýdan geýýärler
•Himiki gury eriş: gaz wafli bilen himiki reaksiýa berýär
•Himiki fiziki gury eriş: himiki aýratynlyklary bolan fiziki çişme prosesi
1. Ion şöhlesi
Ion şöhlesi (Ion Beam Etching), fiziki gury gaýtadan işlemek prosesi bolup, material ýüzüni şöhlelendirmek üçin takmynan 1 to3 kW energiýa bilen ýokary energiýaly argon ion şöhlesini ulanýar. Ion şöhlesiniň energiýasy, ýerüsti materiallara täsir etmegine we aýrylmagyna sebäp bolýar. Dökmek prosesi dik ýa-da obli hadysa ion şöhleleri bolan ýagdaýynda anizotropdyr. Şeýle-de bolsa, saýlamagyň ýoklugy sebäpli dürli derejedäki materiallaryň arasynda takyk tapawut ýok. Döredilen gazlar we çykarylan materiallar wakuum nasosy bilen tükenýär, ýöne reaksiýa önümleri gaz däl bolansoň, bölejikler wafli ýa-da kameranyň diwarlaryna goýulýar.
Bölejikleriň emele gelmeginiň öňüni almak üçin kamera ikinji gaz girizilip bilner. Bu gaz argon ionlary bilen reaksiýa döreder we fiziki we himiki eriş prosesine sebäp bolar. Gazyň bir bölegi ýerüsti materiallar bilen reaksiýa berer, ýöne ýalpyldawuk bölejikler bilen reaksiýa berip, gaz önümlerini emele getirer. Materiallaryň ähli görnüşi diýen ýaly bu usul bilen alnyp bilner. Dik radiasiýa sebäpli dik diwarlardaky köýnek gaty az (ýokary anizotropiýa). Şeýle-de bolsa, pes seçimliligi we haýal süýşmegi sebäpli bu ýarymgeçiriji önümçiliginde seýrek ulanylýar.
2. Plazma ýokaşmagy
Plazma dökülmesi, himiki gury efirme diýlip hem atlandyrylýan mutlak himiki siňdiriş prosesi. Onuň artykmaçlygy, wafli ýüzüne ion zeper ýetirmezligi. Dökýän gazdaky işjeň görnüşler erkin hereket edip bilýändigi we dökülme prosesi izotrop bolany üçin, bu usul tutuş film gatlagyny aýyrmak üçin amatlydyr (mysal üçin, termiki oksidlenenden soň arka tarapyny arassalamak).
Aşaky reaktor, köplenç plazma dökülmegi üçin ulanylýan reaktoryň bir görnüşidir. Bu reaktorda, plazma 2,45 GGs ýokary ýygylykly elektrik meýdanynda täsir ionlaşmagy netijesinde emele gelýär we wafli bilen bölünýär.
Gaz çykarylýan sebitde erkin radikallary goşmak bilen täsir we tolgunma sebäpli dürli bölejikler emele gelýär. Erkin radikallar bitarap atomlar ýa-da doýmadyk elektronlar bilen molekulalar, şonuň üçin olar gaty reaktiw. Plazma emele gelişinde, ionlaşma ýa-da dargamak arkaly işjeň görnüşleri döretmek üçin gaz çykarylýan ýere tetrafluorometan (CF4) ýaly käbir bitarap gazlar ulanylýar.
Mysal üçin, CF4 gazynda gaz çykarylýan ýere girizilýär we ftor radikallaryna (F) we uglerod diflorid molekulalaryna (CF2) bölünýär. Şonuň ýaly-da, ftor (F) kislorod (O2) goşup CF4-den dargap biler.
2 CF4 + O2 -> 2 COF2 + 2 F2
Ftor molekulasy, gaz çykarylýan sebitiň energiýasy astynda iki sany garaşsyz ftor atomyna bölünip biler, olaryň her biri ftor erkin radikal. Her ftor atomynda ýedi walentli elektron bar we inert gazynyň elektron konfigurasiýasyna ýetmäge ýykgyn edýänligi sebäpli, hemmesi gaty reaktiw. Bitarap ftor erkin radikallardan başga-da, gaz çykarylýan sebitde CF + 4, CF + 3, CF + 2 we ş.m. zarýadly bölejikler bolar. Netijede, bu bölejikleriň we erkin radikallaryň hemmesi keramiki turbanyň üsti bilen çykýan kamera girýär.
Zarýadlanan bölejikler çykarylýan örtükler bilen ýapylyp ýa-da bitýän kamerada özüni alyp barşyna gözegçilik etmek üçin bitarap molekulalary emele getirmekde birleşdirilip bilner. Ftor erkin radikallar hem bölekleýin rekombinasiýany başdan geçirerler, emma henizem otaga girmek, wafli ýüzüne himiki täsir etmek we materialyň kesilmegine sebäp bolmak üçin henizem işjeňdir. Beýleki bitarap bölejikler dökülme prosesine gatnaşmaýarlar we reaksiýa önümleri bilen bilelikde sarp edilýär.
Plazma çişirilip bilinýän inçe filmleriň mysallary:
• Silikon: Si + 4F—> SiF4
• Silikon dioksidi: SiO2 + 4F—> SiF4 + O2
• Silikon nitrid: Si3N4 + 12F—> 3SiF4 + 2N2
3.Raktiw ionyň dökülmegi (RIE)
Reaktiw ionyň emele gelmegi himiki-fiziki arassalama prosesi bolup, seçimlilige, profil profiline, dykylma derejesine, birmeňzeşligine we gaýtalanmagyna gaty takyk gözegçilik edip biler. Izotrop we anizotrop görnüşli profillere ýetip biler we şonuň üçin ýarymgeçiriji önümçiliginde dürli inçe filmleri gurmak üçin iň möhüm proseslerden biridir.
RIE wagtynda wafli ýokary ýygylykly elektroda (HF elektrod) ýerleşdirilýär. Täsir ionizasiýasy arkaly erkin elektronlar we pololyitel zarýadly ionlar bar bolan plazma emele gelýär. HF elektrodyna polo positiveitel naprýa .eniýe ulanylsa, erkin elektronlar elektrodyň üstünde ýygnanýar we elektron ýakynlygy sebäpli elektrody täzeden goýup bilmeýär. Şonuň üçin elektrodlar -1000V (ikitaraplaýyn naprýa .eniýe) zarýadlanýar, şonuň üçin haýal ionlar çalt üýtgeýän elektrik meýdanyny negatiw zarýadly elektroda yzarlap bilmezler.
Ion çykarylanda (RIE), ionlaryň ortaça erkin ýoly ýokary bolsa, wafli ýüzüne perpendikulýar diýen ýaly urýarlar. Şeýlelik bilen, çaltlaşdyrylan ionlar materialy kakýar we fiziki eriş arkaly himiki reaksiýa döredýär. Gapdal gyralary täsir etmeýänligi sebäpli, profil anizotrop bolup galýar we üstki köýnek az. Şeýle-de bolsa, saýlama gaty ýokary däl, sebäbi fiziki taýdan arassalamak prosesi hem bolýar. Mundan başga-da, ionlaryň tizlenmegi, abatlamak üçin termiki ýanmagy talap edýän wafli ýüzüne zeper ýetirýär.
Dökmek prosesiniň himiki bölegi, erkin radikallar bilen reaksiýa we ionlar materialy fiziki taýdan urmak bilen, wafli ýa-da kameranyň diwarlaryna düşmezligi üçin, ion şöhleleriniň dökülmegi ýaly gaýtalanma hadysasynyň öňüni alar. Dykma kamerasyndaky gaz basyşy ýokarlananda, ionlaryň ortaça erkin ýoly azalýar, bu bolsa ionlar bilen gaz molekulalarynyň arasyndaky çaknyşyklaryň sanyny köpeldýär we ionlar dürli tarapa ýaýraýarlar. Bu bolsa az ugrukdyrylmagyna sebäp bolýar we dökülme prosesini has himiki edýär.
Anizotrop etç profilleri kremniniň dökülmegi wagtynda gyralary passiwleşdirmek arkaly gazanylýar. Kislorod eriş kamerasyna girizilýär, ol ýerde dik kremniý bilen reaksiýa edip, dik gyralarynda ýerleşdirilen kremniniň dioksidini emele getirýär. Ion bombalanmagy sebäpli, keseligine ýerlerdäki oksid gatlagy aýrylýar we gapdal ekiş prosesiniň dowam etmegine mümkinçilik berýär. Bu usul, profiliň görnüşine we pyýadalaryň dikligine gözegçilik edip biler.
Dökülme derejesi basyş, HF generator güýji, gaýtadan işleýän gaz, hakyky gaz akymynyň tizligi we wafli temperaturasy ýaly faktorlara täsir edýär we üýtgeýiş aralygy 15% -den pes saklanýar. Anizotropiýa HF güýjüniň ýokarlanmagy, basyşyň peselmegi we temperaturanyň peselmegi bilen ýokarlanýar. Dökmek prosesiniň birmeňzeşligi gaz, elektrod aralygy we elektrod materialy bilen kesgitlenýär. Elektrodyň aralygy gaty az bolsa, plazma deň derejede dargap bilmez, netijede birmeňzeş bolmaz. Elektrodyň aralygyny köpeltmek, plazmanyň has uly mukdarda paýlanýandygy sebäpli, çişme derejesini peseldýär. Uglerod, ileri tutulýan elektrod materialy, sebäbi birmeňzeş dartylan plazma öndürýär, şonuň üçin wafliň gyrasy wafliň merkezi ýaly täsir eder.
Amal gazy, seçimlilikde we peselmekde möhüm rol oýnaýar. Silikon we kremniniň birleşmeleri üçin esasan ftor we hlor ulanylýar. Degişli gazy saýlamak, gaz akymyny we basyşyny sazlamak we temperatura we güýç ýaly beýleki parametrlere gözegçilik etmek islenýän tizlige, saýlama we birmeňzeşlige ýetip biler. Bu parametrleriň optimizasiýasy adatça dürli programmalar we materiallar üçin düzülýär.
Dökmek prosesi diňe bir gaz, gaz garyndysy ýa-da kesgitlenen proses parametrleri bilen çäklenmeýär. Mysal üçin, polisilikondaky ýerli oksidi ilki bilen ýokary derejeli we pes saýlama bilen aýryp bolýar, polisilikon bolsa aşaky gatlaklara garanyňda has ýokary seçimlilik bilen çykarylyp bilner.
——————————————————————————————————————— ————————————
“Semicera” üpjün edip bilergrafit bölekleri, ýumşak / gaty duýuldy, kremniniň karbid bölekleri,CVD kremniy karbid bölekleri, weSiC / TaC örtükli bölekler bilen 30 günüň içinde.
Aboveokardaky ýarymgeçiriji önümler bilen gyzyklanýan bolsaňyz,ilkinji gezek biziň bilen habarlaşmakdan çekinmäň.
Telefon: + 86-13373889683
WhatsAPP: + 86-15957878134
Email: sales01@semi-cera.com
Iş wagty: 12-2024-nji sentýabr