Silikon karbid (SiC) wafli gaýyklaryýokary hilli elektron enjamlarynyň öndürilmegini ýeňilleşdirip, ýarymgeçiriji pudagynda möhüm rol oýnaýar. Bu makala ajaýyp aýratynlyklara seredýärSiC wafli gaýyklaryajaýyp güýjüne we gatylygyna ünsi jemleýär we ýarymgeçiriji pudagynyň ösüşini goldamakdaky ähmiýetini görkezýär.
DüşünmekSilikon karbid wafli gaýyklary:
Silikon karbid wafli gaýyklary, SiC gaýyklary diýlip hem atlandyrylýar, ýarymgeçirijileriň önümçilik prosesinde ulanylýan möhüm komponentlerdir. Bu gaýyklar ýarymgeçiriji önümçiliginiň dürli döwürlerinde kremniý wafli üçin daşaýjy, arassalamak we diffuziýa ýaly hyzmat edýär. SiC wafli gaýyklary, ýokary aýratynlyklary sebäpli adaty grafit gaýyklaryndan has ileri tutulýar.
Deňi-taýy bolmadyk güýç:
Üýtgeşik aýratynlyklaryndan biriSiC wafli gaýyklaryajaýyp güýji. Silikon karbid ýokary flexural güýje eýe bolup, gaýyklara ýarymgeçiriji önümçilik prosesleriniň talap edilýän şertlerine garşy durmaga mümkinçilik berýär. SiC gaýyklary, gurluş bitewiligine zyýan bermezden ýokary temperatura, mehaniki streslere we poslaýjy şertlere çydap biler. Bu berklik, näzik kremniy wafli howpsuz daşamagy we işlemegi üpjün edýär, önümçilik wagtynda döwülmek we hapalanmak howpuny azaldýar.
Täsirli gatylyk:
Anotherene bir görnükli häsiýetSiC wafli gaýyklaryolaryň gatylygydyr. Silikon karbid, Mohs 9,5 gatylygyna eýe bolup, ony adama mälim bolan iň kyn materiallaryň birine öwürýär. Bu ajaýyp gatylyk, SiC gaýyklaryny ajaýyp könelişme garşylygy bilen üpjün edýär, göterýän kremniý waflileriniň çyzylmagynyň ýa-da zaýalanmagynyň öňüni alýar. SiC-iň gatylygy, gaýyklaryň uzak ömrüne hem goşant goşýar, sebäbi ýarymgeçiriji önümçilik proseslerinde yzygiderli öndürijiligi we ygtybarlylygy üpjün edip, könelişmegiň möhüm alamatlary bolmazdan uzak wagtlap ulanylmagyna çydap biler.
Grafit gaýyklaryndan artykmaçlyklar:
Adaty grafit gaýyklary bilen deňeşdirilende,kremniý karbid wafli gaýyklarybirnäçe artykmaçlygy teklip ediň. Grafit gaýyklary ýokary temperaturada okislenmäge we zaýalanmaga sezewar bolsa-da, SiC gaýyklary termiki zaýalanmaga we okislenmä has ýokary garşylyk görkezýär. Mundan başga-da,SiC wafli gaýyklarygrafit gaýyklaryna garanyňda ýylylyk giňelme koeffisiýenti pes bolup, temperaturanyň üýtgemegi wagtynda termiki stres we deformasiýa howpuny azaldýar. SiC gaýyklarynyň ýokary güýji we gatylygy olary döwmäge we könelmäge has ýykgyn edýär, netijede ýarymgeçiriji önümçiliginde iş wagty azalýar we öndürijilik ýokarlanýar.
Netije:
Silikon karbid wafli gaýyklary, öwgüli güýji we gatylygy bilen ýarymgeçiriji pudagynda aýrylmaz komponentler hökmünde ýüze çykdy. Olaryň agyr şertlere garşy durmak ukyby, has ýokary eşik garşylygy bilen birlikde, önümçilik döwründe kremniy wafli howpsuz işlemegini üpjün edýär. SiC wafli gaýyklary ýarymgeçiriji pudagynyň ösmegine we täzeligine itergi bermekde möhüm rol oýnamagyny dowam etdirýär.
Iş wagty: 15-2024-nji aprel