Silikon karbid epitaksial ösüş enjamlarynda optimallaşdyrylan we terjime edilen mazmun

Silikon karbid (SiC) substratlarynda gönüden-göni gaýtadan işlemegiň öňüni alýan köp sanly kemçilikler bar. Çip wafli döretmek üçin, epitaksial proses arkaly SiC substratynda belli bir kristal film ösdürilmeli. Bu film epitaksial gatlak hökmünde bellidir. SiC enjamlarynyň hemmesi diýen ýaly epitaksial materiallarda amala aşyrylýar we ýokary hilli gomoepitaksial SiC materiallary SiC enjamyny ösdürmegiň esasyny düzýär. Epitaksial materiallaryň öndürijiligi SiC enjamlarynyň işleýşini gönüden-göni kesgitleýär.

Currentokary tokly we ýokary ygtybarly SiC enjamlary ýerüsti morfologiýa, kemçilik dykyzlygyna, doping birmeňzeşligine we galyňlygynyň birmeňzeşligine berk talaplary girizýär.epitaksialmateriallar. Uly göwrümli, pes kemçilikli dykyzlygy we ýokary birmeňzeş SiC epitaksiýasyna ýetmek SiC pudagynyň ösmegi üçin möhüm ähmiýete eýe boldy.

Qualityokary hilli SiC epitaksini öndürmek ösen proseslere we enjamlara daýanýar. Häzirki wagtda SiC epitaksial ösüşi üçin iň giňden ulanylýan usulHimiki bug çöketligi (CVD).CVD epitaksial filmiň galyňlygyna we doping konsentrasiýasyna, pes kemçilik dykyzlygyna, ortaça ösüş depginine we awtomatiki proses gözegçiligine takyk gözegçilik edýär, bu üstünlikli täjirçilik amaly programmalary üçin ygtybarly tehnologiýa bolýar.

SiC CVD epitaksiýasyköplenç gyzgyn diwar ýa-da ýyly diwarly CVD enjamlaryny ulanýar. Growthokary ösüş temperaturasy (1500–1700 ° C) 4H-SiC kristal görnüşiniň dowam etmegini üpjün edýär. Gaz akymynyň ugry bilen aşaky gatlagyň arasyndaky baglanyşyga esaslanyp, bu CVD ulgamlarynyň reaksiýa otaglary keseligine we dik gurluşlara bölünip bilner.

SiC epitaksial peçleriň hili esasan üç jähetden kesgitlenýär: epitaksial ösüş öndürijiligi (galyňlygyň birmeňzeşligi, doping birmeňzeşligi, kemçilik derejesi we ösüş depgini), enjamyň temperatura öndürijiligi (ýyladyş / sowadyş nyrhlary, iň ýokary temperatura we temperatura birmeňzeşligi). ) we çykdajylaryň netijeliligi (birligiň bahasy we önümçilik kuwwatyny goşmak bilen).

SiC epitaksial ösüş peçleriniň üç görnüşiniň arasyndaky tapawutlar

1. Gyzgyn diwar Gorizontal CVD ulgamlary:

-Aýratynlyklary:Adatça, gazyň aýlanmagy bilen dolandyrylýan, wafli içerki ölçeglere ýetip, bir wafli uly göwrümli ösüş ulgamlary bar.

- Wekilçilikli model:900 ° C-de awtomatiki wafli ýüklemäge / düşürmäge ukyply LPE-iň Pe1O6. Growthokary ösüş depgini, gysga epitaksial sikller we yzygiderli içerki we aralykara öndürijilik bilen tanalýar.

-Çykyş:Galyňlygy ≤30μm bolan 4-6 dýuým 4H-SiC epitaksial wafli üçin, içerde galyňlygy birmeňzeş däl ≤2%, doping konsentrasiýasy birmeňzeş däl ≤5%, ýerüsti kemçilik dykyzlygy ≤1 sm-and we kemçiliksiz bolýar ýerüsti meýdany (2mm × 2mm öýjük) ≥90%.

-Içerki öndürijiler: Jingsheng Mechatronics, CETC 48, Demirgazyk Huachuang we Nasset Intelligent ýaly kompaniýalar göwrümli önümçiligi bilen birmeňzeş wafli SiC epitaksial enjamlaryny döretdiler.

2. Armyly diwar Planeta CVD ulgamlary:

-Aýratynlyklary:Çykyşyň netijeliligini ep-esli ýokarlandyryp, her topara köp wafli ösmek üçin planetar ýerleşdiriş esaslaryny ulanyň.

-Wekil modelleri:“Aixtron” -yň AIXG5WWC (8x150mm) we G10-SiC (9x150mm ýa-da 6x200mm) seriýasy.

-Çykyş:Galyňlygy ≤10μm bolan 6 dýuým 4H-SiC epitaksial wafli üçin, wafler arasyndaky galyňlygyň gyşarmasy ± 2,5%, wafli içindäki galyňlygy birmeňzeş däl 2%, wafler arasyndaky doping konsentrasiýasynyň gyşarmasy ± 5% we wafli içindäki doping konsentrasiýasy birmeňzeş däl <2%.

-Kynçylyklar:Topar önümçilik maglumatlarynyň ýoklugy, temperatura we akym meýdanyna gözegçilik etmekdäki tehniki päsgelçilikler we uly göwrümli durmuşa geçirilmezden dowam etdirilýän gözleg we barlaglar sebäpli içerki bazarlarda çäkli kabul edilmegi.

3. Kwazi-gyzgyn diwar Dik CVD ulgamlary:

- Aýratynlyklary:Defokary tizlikli substratyň aýlanmagy üçin daşarky mehaniki kömegi ulanyň, araçäk gatlagynyň galyňlygyny peseldiň we epitaksial ösüş depginini gowulandyryň, kemçiliklere gözegçilik etmekde mahsus artykmaçlyklar bilen.

- Wekilçilikli modeller:Nuflare-iň ýeke wafli EPIREVOS6 we EPIREVOS8.

-Çykyş:50μm / sag-dan ýokary ösüş depginlerine, 0,1 sm-below-dan pes ýerüsti kemçilikleriň dykyzlygyna gözegçilik, we içerde galyňlyk we doping konsentrasiýasy degişlilikde 1% we 2,6% deň däl.

-Içerki ösüş:“Xingsandai” we “Jingsheng Mechatronics” ýaly kompaniýalar şuňa meňzeş enjamlary tasladylar, ýöne uly göwrümli peýdalanyp bilmediler.

Gysgaça mazmun

SiC epitaksial ösüş enjamlarynyň üç gurluş görnüşiniň hersiniň aýratyn aýratynlyklary bar we amaly talaplara esaslanyp belli bazar segmentlerini eýeleýär. Gyzgyn diwar gorizontal CVD ultra çalt ösüş depginlerini we deňagramly hil we birmeňzeşligi hödürleýär, ýöne bir wafli gaýtadan işlemek sebäpli önümçilik netijeliligi pes. Armyly diwarly planetar CVD önümçiligiň netijeliligini ep-esli ýokarlandyrýar, ýöne köp wafli yzygiderliligi dolandyrmakda kynçylyklar bilen ýüzbe-ýüz bolýar. Kwazi-gyzgyn diwar dik CVD çylşyrymly gurluşy bilen kemçilikleri dolandyrmakda ýokarydyr we giň tehniki hyzmat we iş tejribesini talap edýär.

Senagatyň ösmegi bilen, bu enjam gurluşlarynyň iteratiw optimizasiýasy we kämilleşdirilmegi has inçe konfigurasiýalara getirer, galyňlygy we kemçilik talaplary üçin dürli epitaksial wafli spesifikasiýalaryny ýerine ýetirmekde möhüm rol oýnar.

Dürli SiC epitaksial ösüş peçleriniň artykmaçlyklary we kemçilikleri

Senagatyň üznüksiz ösmegi bilen, bu üç görnüşli enjam iteratiw gurluş optimizasiýasyny we kämilleşdirişini başdan geçirer, galyňlygy we kemçilik talaplary üçin dürli epitaksial wafli spesifikasiýalaryna laýyk gelýän barha arassalanan konfigurasiýalara getirer.