Habarlar

  • Ondarymgeçiriji prosesi we enjamlary (4/7) - Fotolitografiýa prosesi we enjamlary

    Ondarymgeçiriji prosesi we enjamlary (4/7) - Fotolitografiýa prosesi we enjamlary

    Bir syn Integrirlenen zynjyr önümçiliginde, fotolitografiýa integral zynjyrlaryň integrasiýa derejesini kesgitleýän esasy prosesdir. Bu amalyň wezipesi, zynjyr grafiki maglumatlary maskadan wepalylyk bilen geçirmek we maska ​​(şeýle hem maska ​​diýilýär) ...
    Dowamyny oka
  • Silikon karbid meýdançasy

    Silikon karbid meýdançasy

    Silikon Karbid meýdançasy ýarymgeçirijini öndürmek we gaýtadan işlemek üçin döredilen ýokary öndürijilikli göteriji guraldyr. Esasan kremniý wafli we kremniy karbid wafli ýaly takyk materiallary daşamak üçin ulanylýar. Örän gaty gatylygy, ýokary temperatura garşylygy we himiki ...
    Dowamyny oka
  • Silikon karbid çüýşesi näme

    Silikon karbid çüýşesi näme

    Silikon karbid gaplary, SiC gaplar diýlip hem atlandyrylýar, ýarymgeçiriji önümçilik prosesinde kremniý wafli daşamak üçin ulanylýan möhüm materiallardyr. Silikon karbidiň ýokary gatylygy, ýokary temperatura garşylygy we poslama garşylygy ýaly ajaýyp häsiýetleri bar, şonuň üçin ol ýuwaş-ýuwaşdan söwdany çalyşýar ...
    Dowamyny oka
  • Ondarymgeçiriji prosesi we enjamlary (3/7) atingyladyş prosesi we enjamlary

    Ondarymgeçiriji prosesi we enjamlary (3/7) atingyladyş prosesi we enjamlary

    1. Gysgaça syn ýylylyk gaýtadan işlemek diýlip hem atlandyrylýan ýylylyk, ýokary temperaturada işleýän, adatça alýuminiň ereýän nokadyndan has ýokary önümçilik proseduralaryna degişlidir. Heatingyladyş prosesi adatça ýokary temperaturaly peçde amala aşyrylýar we okislenme, ...
    Dowamyny oka
  • Ondarymgeçiriji tehnologiýa we enjamlar (2/7) - Wafli taýýarlamak we gaýtadan işlemek

    Ondarymgeçiriji tehnologiýa we enjamlar (2/7) - Wafli taýýarlamak we gaýtadan işlemek

    Wafli integral zynjyrlary, aýratyn ýarymgeçiriji enjamlary we güýç enjamlaryny öndürmek üçin esasy çig maldyr. Integrirlenen zynjyrlaryň 90% -den gowragy ýokary arassa, ýokary hilli wafli öndürilýär. Wafli taýýarlaýyş enjamlary arassa polikristally kremnini ýasamak prosesine degişlidir ...
    Dowamyny oka
  • RTP wafli göterijisi näme?

    RTP wafli göterijisi näme?

    Ondarymgeçiriji önümçiliginde onuň ornuna düşünmek RTP wafli göterijileriniň ösen ýarymgeçirijini gaýtadan işlemekde möhüm roluny öwrenmek icarymgeçiriji öndürmek dünýäsinde häzirki zaman elektronikasyny güýçlendirýän ýokary hilli enjamlary öndürmek üçin takyklyk we gözegçilik möhümdir. Biri ...
    Dowamyny oka
  • Epi daşaýjy näme?

    Epi daşaýjy näme?

    Epitaksial wafli gaýtadan işlemekde onuň möhüm roluny öwrenmek icarymgeçiriji önümçiliginde epi göterijileriň ähmiýetine düşünmek icarymgeçiriji pudagynda ýokary hilli epitaksial (epi) wafli öndürmek önümçilik enjamlarynda möhüm ädimdir ...
    Dowamyny oka
  • Ondarymgeçiriji prosesi we enjamlary (1/7) - Toplumlaýyn zynjyr öndürmek prosesi

    Ondarymgeçiriji prosesi we enjamlary (1/7) - Toplumlaýyn zynjyr öndürmek prosesi

    1. Integrirlenen zynjyrlar barada 1.1 Integrirlenen zynjyrlaryň düşünjesi we döremegi Integrirlenen zynjyr (IC): tranzistorlar we diodlar ýaly işjeň enjamlary rezistorlar we kondensatorlar ýaly passiw komponentler bilen birleşdirýän enjamy aňladýar ...
    Dowamyny oka
  • “Epi Pan Carrier” näme?

    “Epi Pan Carrier” näme?

    Ondarymgeçiriji pudagy ýokary hilli elektron enjamlaryny öndürmek üçin ýokary hünärli enjamlara bil baglaýar. Epitaksial ösüş prosesinde şeýle möhüm komponentleriň biri epi pan göterijidir. Bu enjam ýarymgeçiriji waflerde epitaksial gatlaklaryň çökmeginde möhüm rol oýnaýar ...
    Dowamyny oka
  • MOCVD Susceptor näme?

    MOCVD Susceptor näme?

    MOCVD usuly häzirki wagtda pudakda ýokary hilli ýeke kristal inçe filmleri ösdürip ýetişdirmek üçin ulanylýan iň durnukly proseslerden biridir, meselem, bir fazaly InGaN epilaýerleri, III-N materiallary we köp kwant guýy gurluşly ýarymgeçiriji filmler we uly alamatdyr ...
    Dowamyny oka
  • SiC örtügi näme?

    SiC örtügi näme?

    Silikon Karbid (SiC) örtükleri, ajaýyp fiziki we himiki aýratynlyklary sebäpli dürli ýokary öndürijilikli programmalarda çalt ähmiýete eýe bolýar. Fiziki ýa-da himiki buglary çökdürmek (CVD) ýa-da pürkmek usullary bilen ulanylýan SiC örtükleri ýerüsti pro ...
    Dowamyny oka
  • MOCVD Wafer göterijisi näme?

    MOCVD Wafer göterijisi näme?

    Ondarymgeçiriji öndürmek pudagynda MOCVD (Metal Organiki Himiki Bug Depozisi) tehnologiýasy çaltlyk bilen möhüm prosese öwrülýär, MOCVD Wafer Carrier esasy komponentlerinden biri. MOCVD Wafer Carrier-de gazanylan üstünlikler diňe önümçilik prosesinde däl, eýsem ...
    Dowamyny oka