-
Ondarymgeçirijiniň önümçilik prosesi - Etch tehnologiýasy
Wafli ýarymgeçirijä öwürmek üçin ýüzlerçe amal gerek. Iň möhüm prosesleriň biri hem efirlemekdir, ýagny wafli inçe zynjyr nagyşlaryny oýmakdyr. Dökmek prosesiniň üstünligi, belli bir paýlanyş çäginde dürli üýtgeýänleri dolandyrmaga we her göçürme ...Dowamyny oka -
Plazma ýelme enjamlarynda fokus halkalary üçin amatly material: Silikon Karbid (SiC)
Plazma arassalaýjy enjamlarda keramiki komponentler fokus halkasyny goşmak bilen möhüm rol oýnaýar. Wafli töwereginde ýerleşdirilen we onuň bilen göni aragatnaşykda bolan fokus halkasy, halka naprýa .eniýe ulanyp, plazmany waflä gönükdirmek üçin zerurdyr. Bu un güýçlendirýär ...Dowamyny oka -
Çyzygyň öň tarapy (FEOL): düýbüni tutmak
Önümçilik liniýasynyň öň tarapy, binanyň düýbüni tutmak we jaýyň diwarlaryny gurmak ýalydyr. Ondarymgeçiriji önümçiliginde bu etap kremniý wafli esasy gurluşlary we tranzistorlary döretmegi öz içine alýar. FEOL-yň esasy ädimleri: ...Dowamyny oka -
Silikon karbid ýeke kristal gaýtadan işlemegiň wafli ýeriň hiline täsiri
Ondarymgeçiriji kuwwat enjamlary, esasanam emeli intellekt, 5G aragatnaşyk we täze energiýa ulaglary ýaly tehnologiýalaryň çalt ösmegi şertlerinde elektrik elektron ulgamlarynda esasy orny eýeleýär, olar üçin öndürijilik talaplary ...Dowamyny oka -
SiC ösüşi üçin esasy material: Tantal karbid örtügi
Häzirki wagtda ýarymgeçirijileriň üçünji neslinde kremniy karbid agdyklyk edýär. Enjamlarynyň çykdajy gurluşynda substrat 47%, epitaksiýa 23%. Bularyň ikisi takmynan 70% -i emele getirýär, bu kremniy karbid enjamy manufanyň iň möhüm bölegi ...Dowamyny oka -
Tantal karbid bilen örtülen önümler materiallaryň poslama garşylygyny nädip ýokarlandyrýar?
Tantal karbid örtügi, materiallaryň poslama garşylygyny ep-esli gowulandyryp bilýän, giňden ulanylýan ýerüsti bejeriş tehnologiýasydyr. Tantal karbid örtügi, himiki buglaryň çökmegi, fizika ýaly dürli taýýarlyk usullary arkaly substratyň ýüzüne birikdirilip bilner.Dowamyny oka -
Düýn Ylym we Tehnologiýa Innowasiýa Geňeşi Huazhuo Precision Technology-iň IPO-ny ýatyrandygyny habar berdi!
Justaňy-ýakynda Tsinghua tehnologiýasy bolan Hytaýda ilkinji 8 dýuýmlyk SIC lazer bilen enjamlaşdyryş enjamlarynyň gowşurylandygyny habar berdi; Näme üçin materiallary özleri çykardylar? Diňe birnäçe söz: Birinjiden, önümler dürli-dürli! Bir seretseň, näme edýändiklerini bilemok. Häzirki wagtda H ...Dowamyny oka -
CVD kremniy karbid örtügi-2
CVD kremniy karbid örtügi 1. Näme üçin kremniy karbid örtügi bar? Epitaksial gatlak epitaksial proses arkaly wafli esasynda ösdürilip ýetişdirilen belli bir hrustal inçe filmdir. Substrat wafli we epitaksial inçe film bilelikde epitaksial wafli diýilýär. Olaryň arasynda ...Dowamyny oka -
SIK örtüginiň taýýarlanylyşy
Häzirki wagtda SiC örtüginiň taýýarlanyş usullary esasan gel-sol usuly, ornaşdyrmak usuly, çotga örtügi usuly, plazma pürkmek usuly, himiki bug reaksiýasy usuly (CVR) we himiki buglary çökdürmek usuly (CVD) öz içine alýar. Goýmak usulyBu usul ýokary temperaturaly gaty fazaly bir görnüş ...Dowamyny oka -
CVD kremniy karbid örtügi-1
CVD SiC Himiki bug çökdürmesi (CVD), ýokary arassa gaty materiallary öndürmek üçin ulanylýan wakuum çöketlik prosesi. Bu amal köplenç ýarymgeçiriji önümçilik meýdanynda wafliň üstünde inçe filmleri emele getirýär. CVD tarapyndan SiC taýýarlanylanda, substrat eks ...Dowamyny oka -
SiC kristalynda ýerleşen gurluşyň rentgen topologiki şekillendiriş kömegi bilen şöhlelenme simulýasiýasy arkaly derňewi
Gözlegiň fon Silikon karbidiň (SiC) ulanylyşynyň ähmiýeti: Giň zolakly ýarymgeçiriji material hökmünde kremniy karbid ajaýyp elektrik aýratynlyklary sebäpli (has uly zolakly, ýokary elektron doýma tizligi we ýylylyk geçirijiligi ýaly) köp adamy özüne çekdi. Bu reklamalar ...Dowamyny oka -
SiC ýekeje kristal ösüşinde tohum kristallaryny taýýarlamak prosesi 3
Ösüşi barlamakSilikon karbid (SiC) tohum kristallary görkezilen amaldan soň taýýarlandy we SiC kristal ösüşi arkaly tassyklandy. Ulanylan ösüş platformasy, 2200 growth ösüş temperaturasy, 200 Pa ösüş basyşy we ösmegi bilen öz-özünden ösen SiC induksiýa peçidi.Dowamyny oka