Häzirki wagtda taýýarlyk usullarySiC örtükesasan gel-sol usuly, ornaşdyrmak usuly, çotga örtmek usuly, plazma pürkmek usuly, himiki bug reaksiýasy usuly (CVR) we himiki buglary çökdürmek usuly (CVD) bar.
Goýmak usuly
Bu usul, esasan, Si poroşokyny we C poroşokyny içerki tozan hökmünde ulanýan, ýokary temperaturaly gaty fazaly sinteriň bir görnüşidir.grafit matrisaoturdylan poroşokda we inert gazda ýokary temperaturada süzgüçler we ahyrsoňy alýarSiC örtükgrafit matrisanyň üstünde. Bu usul ýönekeý we örtük we matrisa gowy baglanyşdyrylýar, ýöne galyňlyk ugrundaky örtük birmeňzeşligi pes we köp deşik öndürmek aňsat, netijede oksidlenmä garşylygy pes.
Çotga örtük usuly
Çotga örtügi usuly esasan grafit matrisanyň üstündäki suwuk çig maly ýuwýar we örtügi taýýarlamak üçin çig maly belli bir temperaturada berkitýär. Bu usul ýönekeý we gymmaty pes, ýöne çotga örtügi usuly bilen taýýarlanan örtük matrisa bilen gowşak baglanyşyk, örtügiň birmeňzeşligi, inçe örtük we pes okislenme garşylygy bar we kömek etmek üçin beýleki usullary talap edýär.
Plazma sepmek usuly
Plazma pürkmek usuly, esasan, grafit substratyň ýüzüne eredilen ýa-da ýarym eredilen çig mal sepmek üçin plazma ýaragyny ulanýar, soňra bolsa berkitme we örtük emele getirýär. Bu usul işlemek üçin ýönekeý we has dykyz taýýarlap bilýärkremniý karbid örtügi, emmakremniý karbid örtügibu usul bilen taýýarlanan köplenç güýçli okislenme garşylygy üçin gaty gowşak, şonuň üçin örtügiň hilini ýokarlandyrmak üçin adatça SiC birleşýän örtükleri taýýarlamak üçin ulanylýar.
Gel-sol usuly
Gel-sol usuly esasan substratyň üstüni ýapmak üçin birmeňzeş we aç-açan ergin taýýarlaýar, jele guradýar we örtük almak üçin süzýär. Bu usul işlemek ýönekeý we arzan, ýöne taýýar örtügiň pes termiki zarba garşylygy we aňsat döwülmegi ýaly kemçilikleri bar we giňden ulanylyp bilinmez.
Himiki bug reaksiýasy usuly (CVR)
CVR esasan Si we SiO2 poroşokyny ýokary temperaturada ulanyp SiO bugyny döredýär we SiC örtügini döretmek üçin C material substratynyň üstünde birnäçe himiki reaksiýa ýüze çykýar. Bu usul bilen taýýarlanan SiC örtügi substrat bilen berk baglanyşykly, ýöne reaksiýanyň temperaturasy ýokary we bahasy hem ýokary.
Iş wagty: Iýun-24-2024