Bir syn
Integrirlenen zynjyr önümçiliginde, fotolitografiýa integral zynjyrlaryň integrasiýa derejesini kesgitleýän esasy prosesdir. Bu amalyň wezipesi, zynjyr grafiki maglumatlary maskadan (maska hem diýilýär) ýarymgeçiriji material substratyna wepalylyk bilen geçirmekdir.
Fotolitografiýa prosesiniň esasy ýörelgesi, maska boýunça zynjyr nagşyny ýazga almak üçin substratyň üstünde örtülen fotorezistiň fotohimiki reaksiýasyny ulanmak, şeýlelik bilen toplumlaýyn zynjyr dizaýnyny dizaýndan substrata geçirmek maksadyna ýetmekdir.
Fotolitografiýanyň esasy prosesi:
Ilki bilen, örtük maşynyny ulanyp, substratyň üstünde fotorezist ulanylýar;
Soňra, fotorezist bilen örtülen substraty paş etmek üçin fotolitografiýa enjamy ulanylýar we fotokimiki reaksiýa mehanizmi, fotolitografiýa maşynynyň iberen maska nagyş maglumatyny ýazga almak, maska nagşynyň substrata göçürilmegi we göçürilmegi;
Netijede, bir täsir ediji, täsir edenden soň fotohimiki reaksiýany başdan geçirýän fotorezisti aýyrmak (ýa-da saklamak) üçin açyk substraty ösdürmek üçin ulanylýar.
Ikinji fotolitografiýa prosesi
Maskada düzülen zynjyr nagşyny kremniniň wafline geçirmek üçin, ilki bilen täsir etmek prosesi arkaly gazanylmaly, soň bolsa kremniniň nagşy eriş prosesi arkaly alynmaly.
Fotolitografiýa prosesi meýdanynyň yşyklandyrylmagy, fotosensiw materiallara duýgur bolmadyk sary ýagtylyk çeşmesini ulanýandygy sebäpli, oňa sary ýagtylyk meýdany hem diýilýär.
Fotolitografiýa ilkinji gezek çaphana pudagynda ulanyldy we irki PCB önümçiligi üçin esasy tehnologiýa boldy. 1950-nji ýyllardan başlap, fotolitografiýa kem-kemden IC önümçiliginde nagyş geçirmek üçin esasy tehnologiýa öwrüldi.
Daşbasma prosesiniň esasy görkezijilerine çözgüt, duýgurlyk, örtügiň takyklygy, kemçilik derejesi we ş.m. girýär.
Fotolitografiýa prosesinde iň möhüm material, duýgur material bolan fotorezistdir. Fotorezistiň duýgurlygy ýagtylyk çeşmesiniň tolkun uzynlygyna bagly bolany üçin, g / i çyzygy, 248nm KrF we 193nm ArF ýaly fotolitografiýa amallary üçin dürli fotorezist materiallar zerurdyr.
Adaty fotolitografiýa prosesiniň esasy prosesi bäş basgançagy öz içine alýar:
- Esasy film taýýarlamak;
- Fotorezist we ýumşak bişirmek;
- Düzediş, täsir etmek we täsirden soňky çörek;
- Gaty filmi ösdürmek;
- Ösüşi ýüze çykarmak.
(1)Esasy film taýýarlamak: esasan arassalamak we suwsuzlanmak. Islendik hapalaýjy, fotorezist bilen wafli arasyndaky ýelimi gowşadar, düýpli arassalamak wafli bilen fotorezistiň arasyndaky ýelimi gowulaşdyryp biler.
(2)Fotorezist örtük: Bu kremniý wafli aýlamak arkaly gazanylýar. Dürli fotorezistler aýlanyş tizligini, fotorezistiň galyňlygyny we temperaturasyny goşmak bilen dürli örtük prosesiniň parametrlerini talap edýärler.
Softumşak çörek bişirmek: Çörek bişirmek, fotorezist bilen kremniniň wafliniň arasyndaky ýapyşygyny, şeýle hem indiki ekiş prosesiniň geometrik ölçeglerine takyk gözegçilik etmek üçin peýdaly fotorezist galyňlygynyň birmeňzeşligini gowulaşdyryp biler.
(3)Deňleşdirmek we täsir etmek: Düzelmek we täsir etmek fotolitografiýa prosesinde iň möhüm ädimlerdir. Maska nagyşyny wafli (ýa-da öň gatlak nagşy) bilen bar bolan nagyş bilen deňleşdirmäge, soňra bolsa belli bir ýagtylyk bilen şöhlelendirmäge degişlidir. Lightagtylyk energiýasy, fotorezistdäki fotosensiw komponentleri işjeňleşdirýär we şeýlelik bilen maska nagyşyny fotorezistlere geçirýär.
Düzediş we täsir etmek üçin ulanylýan enjamlar, toplumlaýyn zynjyr önümçiliginiň iň gymmat bölegi bolan fotolitografiýa enjamydyr. Fotolitografiýa maşynynyň tehniki derejesi, ähli önümçilik liniýasynyň ösüş derejesini görkezýär.
Ekspozisiýadan soňky çörek: çuňňur ultramelewşe fotorezistlere we adaty i-line fotorezistlere garanyňda tapawutly täsir edenden soň gysga bişirmek prosesine degişlidir.
Çuň ultramelewşe fotorezist üçin ekspozisiýadan soňky çörek, fotorezistdäki gorag komponentlerini aýyrýar, fotorezistiň işläp düzüjide eremegine mümkinçilik berýär, şonuň üçin ekspozisiýadan soňky bişirmek zerurdyr;
Adaty i-line fotorezistler üçin ekspozisiýadan soňky çörek, fotorezistiň ýelmeşmegini gowulaşdyryp, durýan tolkunlary azaldyp biler (durýan tolkunlar fotorezistiň gyrasy morfologiýasyna ýaramaz täsir eder).
(4)Gaty filmi ösdürmek: täsir edenden soň fotorezistiň (polo positiveitel fotorezistiň) ereýän bölegini eritmek we maska nagyşyny fotorezist nagşy bilen takyk görkezmek üçin işläp düzüjini ulanmak.
Ösüş prosesiniň esasy parametrlerine ösüş temperaturasy we wagty, işläp düzüjiniň dozasy we konsentrasiýasy, arassalamak we ş.m. girýär. Ösüşdäki degişli parametrleri sazlamak bilen, fotorezistiň açylan we açylmadyk bölekleriniň arasynda dargamak derejesiniň tapawudy ýokarlanyp, şeýlelik bilen islenýän ösüş effektini almak.
Gatylaşdyrmak, fotorezistiň kremniniň aşaky gatlagyna ýapyşmagyny gowulandyrmak üçin ösen fotorezistde galan erginçini, işläp düzüjini, suwuny we beýleki gereksiz galyndy böleklerini gyzdyrmak we buglamak arkaly aýyrmak prosesi bolup durýar. fotorezistiň çişmegine garşylygy.
Gatylaşdyrma prosesiniň temperaturasy dürli fotorezistlere we gatylaşdyrma usullaryna baglylykda üýtgeýär. Esasy zat, fotorezist nagşynyň deformasiýa edilmezligi we fotorezistiň ýeterlik derejede kynlaşdyrylmagydyr.
(5)Ösüş barlagy: Bu, ösüşden soň fotorezist nagşynyň kemçiliklerini barlamak üçin. Adatça, şekil tanamak tehnologiýasy ösüşden soň çip nagşyny awtomatiki skanirlemek we öňünden saklanylýan kemçiliksiz standart nagyş bilen deňeşdirmek üçin ulanylýar. Islendik tapawut tapylsa, kemçilikli hasaplanýar.
Kemçilikleriň sany belli bir bahadan ýokary bolsa, kremniý wafli ösüş synagyndan şowsuz hasaplanýar we degişli ýagdaýda ýapylyp ýa-da gaýtadan işlenip bilner.
Integrirlenen zynjyr önümçiliginde, prosesleriň köpüsi yzyna dolanyp bolmaýar we fotolitografiýa gaýtadan işlenip bilinjek gaty az proseslerden biridir.
Üç sany fotomask we fotorezist material
3.1 Fotomask
Fotolitografiýa maskasy diýlip hem atlandyrylýan fotomask, integral zynjyr wafli önümçiliginiň fotolitografiýa prosesinde ulanylýan ussatdyr.
Fotomask öndürmek prosesi, integral zynjyr dizaýn inersenerleri tarapyndan işlenip düzülen wafer önümçiligi üçin zerur bolan asyl düzüliş maglumatlaryny maska maglumatlary gaýtadan işlemek arkaly lazer nagyş generatorlary ýa-da elektron şöhle şöhlelendiriji enjamlary tarapyndan tanalýan maglumat formatyna öwürmekdir. fotomask substrat materialynda ýokardaky enjamlar, duýgur material bilen örtülen; soň substrat materialyndaky nagşy düzetmek üçin ösüş we ekiş ýaly birnäçe proses arkaly işlenýär; ahyrynda, maska önümini emele getirmek üçin barlanýar, abatlanýar, arassalanýar we film bilen örtülendir we ulanmak üçin toplumlaýyn zynjyr öndürijisine iberilýär.
3.2 Suratçy
Fotorezist, fotorezist hökmünde hem tanalýar, duýgur materialdyr. Ondaky fotosensiw komponentler ýagtylygyň şöhlelenmesi astynda himiki üýtgemeleri başdan geçirer we şeýlelik bilen eriş tizliginiň üýtgemegine sebäp bolar. Esasy wezipesi, maskadaky nagşy wafli ýaly substrata geçirmekdir.
Fotorezistiň iş prinsipi: Birinjiden, fotorezist substrat bilen örtülendir we erginçini aýyrmak üçin öňünden bişirilýär;
Ikinjiden, maska ýagtylyga sezewar bolup, täsir edýän bölekdäki fotosensiw komponentleriň himiki reaksiýa döremegine sebäp bolýar;
Soň bolsa, ekspozisiýadan soňky çörek ýerine ýetirilýär;
Netijede, fotorezist ösüşiň üsti bilen bölekleýin dargaýar (polo positiveitel fotorezist üçin açyk ýer dargaýar; otrisatel fotorezist üçin garaşylmadyk ýer dargaýar) we şeýlelik bilen integral zynjyr nagşynyň maskadan substrata geçirilmegine düşünýär.
Fotorezistiň düzüm böleklerine esasan film emele getirýän rezin, fotosensiw komponent, yz goşundylary we erginler girýär.
Olaryň arasynda film emele getirýän rezin mehaniki häsiýetleri we çişmä garşylygy üpjün etmek üçin ulanylýar; fotosensiw komponent ýagtylygyň aşagynda himiki üýtgemeleri başdan geçirýär we dargamak tizliginiň üýtgemegine sebäp bolýar;
Yz goşundylaryna fotorezistiň işini gowulandyrmak üçin ulanylýan boýaglar, ýelimliligi güýçlendiriji we ş.m. girýär; erginleri komponentleri eritmek we deň derejede garyşdyrmak üçin ulanylýar.
Häzirki wagtda giňden ulanylýan fotorezistleri, fotokimiki reaksiýa mehanizmine laýyklykda adaty fotorezistlere we himiki taýdan güýçlendirilen fotorezistlere bölüp bolar, şeýle hem ultramelewşe, çuň ultramelewşe, aşa ultramelewşe, elektron şöhlesi, ion şöhlesi we rentgen fotorezistlerine bölüp bolar. duýgurlyk tolkun uzynlygy.
Dört sany fotolitografiýa enjamy
Fotolitografiýa tehnologiýasy kontakt / ýakynlyk daşbasma, optiki proýeksiýa daşbasma, basgançakly we gaýtalanýan daşbasma, skanografiýa daşbasma, suwa çümdürme litografiýasy we EUV daşbasma prosesini başdan geçirdi.
4.1 Aragatnaşyk / ýakynlyk litografiýa enjamy
Kontakt litografiýa tehnologiýasy 1960-njy ýyllarda peýda bolup, 1970-nji ýyllarda giňden ulanyldy. Uly göwrümli integral zynjyrlar döwründe esasy daşbasma usulydy we esasan 5μm-den uly aýratynlykly integral zynjyrlary öndürmek üçin ulanyldy.
Kontakt / ýakynlyk daşbasma enjamynda, wafli adatça el bilen dolandyrylýan keseligine we aýlanýan iş stoluna ýerleşdirilýär. Operator maskanyň we wafliň ýagdaýyny bir wagtyň özünde synlamak üçin aýratyn meýdan mikroskopyny ulanýar we maskany we wafli deňleşdirmek üçin iş stolunyň ýagdaýyna el bilen gözegçilik edýär. Wafli we maska deňleşdirilenden soň, ikisi bilelikde basylar, şonuň üçin maska wafliň üstündäki fotorezist bilen göni aragatnaşykda bolar.
Mikroskopyň maksady aýrylandan soň, basylan wafli we maska täsir etmek üçin täsir ediş tablisasyna geçirilýär. Simap çyrasy bilen çykýan ýagtylyk obýektiw arkaly maska bilen paralelleşýär. Maska wafldäki fotorezist gatlagy bilen göni aragatnaşykda bolany üçin, maska nagşy täsir edenden soň 1: 1 nisbatynda fotorezist gatlagyna geçirilýär.
Kontakt daşbasma enjamlary iň ýönekeý we tygşytly optiki daşbasma enjamy bolup, kiçi mikron aýratynlyk ölçeg grafikasynyň täsirine ýetip biler, şonuň üçinem henizem kiçi göwrümli önüm öndürmekde we laboratoriýa gözleglerinde ulanylýar. Uly göwrümli integral zynjyr önümçiliginde, maska bilen wafli arasynda göni aragatnaşyk sebäpli ýüze çykýan daşbasma çykdajylarynyň köpelmezligi üçin ýakyn litografiýa tehnologiýasy girizildi.
Takmynan litografiýa 1970-nji ýyllarda kiçi göwrümli integral zynjyrlar döwründe we orta göwrümli integral zynjyrlaryň irki döwründe giňden ulanylýar. Kontakt litografiýasyndan tapawutlylykda, ýakyn litografiýada maska wafldäki fotorezist bilen göni aragatnaşykda däl, ýöne azot bilen doldurylan boşluk galýar. Maska azotyň üstünde ýüzýär we maska bilen wafli arasyndaky boşlugyň ululygy azot basyşy bilen kesgitlenýär.
Wafli bilen maskanyň ýakyn litografiýada gönüden-göni baglanyşygy bolmansoň, daşbasma prosesinde ýüze çykan kemçilikler azalýar, şeýlelik bilen maskanyň ýitmegini azaldýar we wafli hasyllylygyny ýokarlandyrýar. Itakyn litografiýada, wafli bilen maskanyň arasyndaky boşluk, wafli Fresnel difraksiýa sebitinde goýýar. Difraksiýanyň bolmagy ýakyn litografiýa enjamlarynyň çözgüdiniň hasam gowulaşmagyny çäklendirýär, şonuň üçin bu tehnologiýa esasan 3μm-den ýokary aýratynlykly integral zynjyrlary öndürmek üçin amatlydyr.
4.2 Stepdim we gaýtalaýjy
Basgançak, kiçi mikron litografiýa prosesini köpçülikleýin önümçilige öňe süren wafli daşbasma taryhynyň iň möhüm enjamlaryndan biridir. Basgançak 22mm × 22mm adaty statiki täsir meýdany we maska üstündäki nagşy wafli geçirmek üçin 5: 1 ýa-da 4: 1 peselme gatnaşygy bolan optiki proýeksiýa linzasyny ulanýar.
Basgançak we gaýtalanýan daşbasma maşyn, adatça, täsir ediş kiçi ulgamyndan, iş bölegi kiçi ulgamyndan, maska basgançagy kiçi ulgamyndan, fokus / tekizleme kiçi ulgamyndan, deňleşdiriş kiçi ulgamyndan, esasy çarçuwaly kiçi ulgamdan, wafli geçiriş kiçi ulgamyndan, maska geçiriş kiçi ulgamyndan durýar. , elektron kiçi ulgam we programma üpjünçiligi kiçi ulgamy.
Basgançakly we gaýtalanýan litografiýa maşynynyň adaty iş prosesi aşakdaky ýaly:
Ilki bilen, fotorezist bilen örtülen wafli, wafli geçiriş kiçi ulgamyny ulanyp, iş böleginiň tablisasyna geçirilýär we açyljak maska maska geçiriş kiçi ulgamyny ulanyp maska stoluna geçirilýär;
Soňra ulgam fokusirleme / tekizleme kiçi ulgamyny ulanyp, iş böleginiň üstündäki wafli boýunça köp nokatly beýikligi ölçemek üçin, wafliň üstüniň beýikligi we egilme burçy ýaly maglumatlary almak üçin täsir ediş meýdançasyny ulanýar. wafli elmydama täsir ediş prosesinde proýeksiýanyň maksadynyň çuňlugynda dolandyryp bolýar;Netijede, ulgam maskany we wafli deňleşdirmek üçin deňleşdiriş kiçi ulgamyny ulanýar, şonuň üçin täsir ediş prosesinde maska şekiliniň pozisiýasynyň takyklygy we wafli nagşynyň geçirilmegi hemişe örtük talaplarynyň çäginde bolar.
Ahyrynda, nagyş geçirmek funksiýasyny durmuşa geçirmek üçin bellenen ýol boýunça tutuş wafli üstüň basgançak we täsir ediş işi tamamlanýar.
Ondan soňky basgançak we skaner daşbasma enjamy ýokardaky esasy iş prosesine esaslanýar, basgançak → skanerden täsir etmek, täsir etmek, we iki basgançakly modelde ölçemek (fokusirlemek / tekizlemek → deňleşdirmek) we skanirlemek üçin basgançak → täsir etmek, tekizlemek → deňleşdirmek → täsirini gowulandyrmak. paralel täsir etmek.
Basgançakly we skanly daşbasma maşynlary bilen deňeşdirilende, basgançakly we gaýtalanýan daşbasma enjamy maskanyň we wafliň sinhron ters skanerini gazanmagyň zerurlygy ýok, skaner maskasynyň tablisasyny we sinhron skaner dolandyryş ulgamyny talap etmeýär. Şonuň üçin gurluşy birneme ýönekeý, bahasy birneme pes we amal ygtybarly.
IC tehnologiýasy 0,25μm girenden soň, basgançak we skan litografiýanyň täsir meýdanynyň ululygyny we täsir ediş birmeňzeşligini skanirlemekdäki artykmaçlyklary sebäpli basgançak we gaýtalanýan daşbasma usuly peselip başlady. Häzirki wagtda Nikon tarapyndan üpjün edilen iň soňky ädim we gaýtalanýan daşbasma, basgançak we skan litografiýasy ýaly statiki täsir meýdanyna eýe we aşa ýokary öndürijilik bilen sagatda 200-den gowrak wafli gaýtadan işläp biler. Daşbasma enjamynyň bu görnüşi häzirki wagtda esasan kritiki däl IC gatlaklaryny öndürmek üçin ulanylýar.
4.3 Basgançak skaneri
Basgançak we skan litografiýasynyň ulanylyşy 1990-njy ýyllarda başlandy. Dürli täsirli ýagtylyk çeşmelerini düzmek bilen, basgançak we skaner tehnologiýasy 365nm, 248nm, 193nm çümdürilişinden EUV litografiýasyna çenli dürli proses tehnologiýa düwünlerini goldap biler. Basgançakly we gaýtalanýan daşbasma görnüşinden tapawutlylykda, basgançakly we skanly litografiýanyň bir meýdanly täsiri dinamiki skaneri kabul edýär, ýagny maska plastinkasy skaner hereketini wafli bilen sinhron tamamlaýar; häzirki meýdan täsiri gutarandan soň, wafli iş bölegi bilen amala aşyrylýar we indiki skaner meýdanyna geçýär we gaýtalanýan täsir dowam edýär; wafli ähli meýdanlary açylýança basgançak we skaner täsirini birnäçe gezek gaýtalaň.
Dürli ýagtylyk çeşmelerini (i-line, KrF, ArF ýaly) sazlamak bilen, basgançakly skaner ýarymgeçirijiniň öňdäki işiniň ähli tehnologiýa düwünlerini diýen ýaly goldap biler. Adaty kremniý esasly CMOS amallary, 0.18μm düwünden bäri köp mukdarda basgançak skanerleri kabul etdi; Häzirki wagtda 7nm-den aşakdaky proses düwünlerinde ulanylýan aşa ultramelewşe (EUV) daşbasma maşynlary hem basgançak skanerini ulanýarlar. Bölekleýin uýgunlaşma üýtgemesinden soň, basgançak skaneri MEMS, güýç enjamlary we RF enjamlary ýaly kremniý däl prosesleriň gözlegine we ösüşine we önümçiligine goldaw berip biler.
Basgançakly we skanerli proýeksiýa daşbasma maşynlarynyň esasy öndürijilerine ASML (Gollandiýa), Nikon (Japanaponiýa), Canon (Japanaponiýa) we SMEE (Hytaý) degişlidir. ASML 2001-nji ýylda TWINSCAN tapgyrlaýyn skanerli daşbasma maşynlaryny işe girizdi. Enjamyň çykyş tizligini netijeli ýokarlandyryp bilýän we iň giňden ulanylýan ýokary derejeli daşbasma maşynyna öwrülen goşa basgançakly arhitekturany kabul edýär.
4.4 Çümdürme litografiýasy
Reýli formulasyndan täsir etmek tolkun uzynlygy üýtgemese, şekillendiriş çözgüdini hasam gowulandyrmagyň täsirli usuly şekillendiriş ulgamynyň san dykyzlygyny ýokarlandyrmakdygyny görmek bolýar. 45nm we ondan ýokary derejedäki şekillendiriş çözgütleri üçin ArF gury täsir etmek usuly indi talaplary kanagatlandyryp bilmeýär (sebäbi iň ýokary 65nm şekillendiriş çözgüdini goldaýar), şonuň üçin suwa çümdürmek litografiýa usulyny girizmek zerurdyr. Adaty daşbasma tehnologiýasynda obýektiw bilen fotorezistiň arasyndaky gurşaw howa, çümdüriliş litografiýa tehnologiýasy howa gurşawyny suwuklyk bilen çalşýar (köplenç ultrapura suwy 1,44 refraktiw görkeziji bilen).
Aslynda, suwa çümdürmek daşbasma tehnologiýasy, çözgüdi gowulandyrmak üçin ýagtylyk suwuk gurşawdan geçenden soň ýagtylyk çeşmesiniň tolkun uzynlygynyň gysgalmagyny ulanýar we gysgaltma gatnaşygy suwuk gurşawyň refraktiw görkezijisidir. Çümdürmek litografiýa enjamy basgançakly skanerli daşbasma maşynynyň bir görnüşi bolup, enjam ulgamynyň çözgüdi üýtgemese-de, esasy tehnologiýalaryň ornaşdyrylmagy sebäpli ArF ädim we skan litografiýa maşynynyň üýtgemegi we giňelmegi. çümdürmek.
Çümdürmek litografiýasynyň artykmaçlygy, ulgamyň san dykyzlygynyň köpelmegi sebäpli, 45nm-den aşakda surata düşüriş çözgüdiniň talaplaryna laýyk gelýän basgançakly skaner daşbasma enjamynyň şekillendiriş ukybynyň gowulaşmagydyr.
Çümdürme daşbasma enjamy henizem ArF ýagtylyk çeşmesini ulanýandygy sebäpli, ýagtylygyň çeşmesiniň, enjamlarynyň we işiniň R&D çykdajylaryny tygşytlamak bilen, işiň dowamlylygy kepillendirilýär. Şol esasda, birnäçe grafika we hasaplama daşbasma tehnologiýasy bilen utgaşyp, çümdürme litografiýa enjamy 22nm we ondan aşakdaky düwünlerde ulanylyp bilner. EUV daşbasma enjamy resmi taýdan köpçülikleýin önümçilige girizilmezden ozal, suwa çümdürmek daşbasma enjamy giňden ulanyldy we 7nm düwüniniň amal talaplaryna laýyk bolup bilerdi. Şeýle-de bolsa, suwa çümdürme suwuklygynyň girizilmegi sebäpli enjamyň in engineeringenerçilik kynlygy ep-esli ýokarlandy.
Onuň esasy tehnologiýalary suwa çümdürmek suwuk üpjünçiligi we dikeldiş tehnologiýasy, suwa çümdüriliş suwuk meýdan tehniki tehnologiýasy, çümdüriliş litografiýasynyň hapalanmagy we kemçiliklere gözegçilik tehnologiýasy, ultra-uly sanly apertura çümdüriliş proýeksiýa linzalaryny işläp düzmek we tehniki hyzmat, çümdürmek şertlerinde şekillendiriş hilini kesgitlemek tehnologiýasy.
Häzirki wagtda täjirçilik “ArFi” basgançak we skan litografiýa maşynlary esasan iki kompaniýa tarapyndan üpjün edilýär, ýagny Gollandiýaly ASML we Japanaponiýaly Nikon. Olaryň arasynda bir ASML NXT1980 Di-iň bahasy takmynan 80 million ýewro.
4.4 Ekstremal ultramelewşe litografiýa enjamy
Fotolitografiýanyň çözgüdini gowulandyrmak üçin ekskimer ýagtylyk çeşmesi kabul edilenden soň täsir tolkun uzynlygy hasam gysgaldylýar we tolkun uzynlygy 10-14 nm bolan aşa ultramelewşe şöhle şöhle şöhle çeşmesi hökmünde girizilýär. Örän ultramelewşe şöhläniň tolkun uzynlygy gaty gysga we ulanyp boljak şöhlelendiriji optiki ulgam, adatça Mo / Si ýa-da Mo / Be ýaly köp gatly film reflektorlaryndan durýar.
Şolaryň arasynda tolkun uzynlygy 13.0 bilen 13.5nm aralygyndaky Mo / Si köp gatlakly filmiň teoretiki maksimal şöhlelenmesi takmynan 70%, gysga tolkun uzynlygy 11.1nm bolan Mo / Be köp gatly filmiň teoretiki maksadalaýyklygy 80% töweregi. Mo / Be köp gatly film reflektorlarynyň şöhlelendirilişi has ýokary bolsa-da, Be gaty zäherlidir, şonuň üçin EUV litografiýa tehnologiýasyny ösdürende şeýle materiallar boýunça gözlegler taşlandy.Häzirki EUV daşbasma tehnologiýasy Mo / Si köp gatly filmi ulanýar we täsir tolkun uzynlygy 13,5nm bolar.
Esasy aşa ultramelewşe ýagtylyk çeşmesi, yssy eriş Sn plazmasyny ýagtylyk çykarmak üçin ýokary güýçli lazerleri ulanýan lazer öndürýän plazma (LPP) tehnologiýasyny ulanýar. Uzak wagt bäri ýagtylyk çeşmesiniň güýji we elýeterliligi EUV daşbasma maşynlarynyň netijeliligini çäklendirýän päsgelçilikler bolup durýar. Esasy yrgyldadyjy güýçlendiriji, çaklaýjy plazma (PP) tehnologiýasy we ýerinde ýygnamak aýnany arassalamak tehnologiýasy arkaly, EUV ýagtylyk çeşmeleriniň güýji we durnuklylygy ep-esli gowulaşdy.
EUV daşbasma enjamy esasan ýagtylyk çeşmesi, yşyklandyryş, obýektiw linzalar, iş bölegi, maska basgançagy, wafli deňleşdirmek, fokusirlemek / tekizlemek, maska geçirmek, wafli geçirmek we wakuum çarçuwasy ýaly kiçi ulgamlardan durýar. Köp gatlakly örtülen reflektorlardan ybarat yşyklandyryş ulgamyndan geçensoň, aşa ultramelewşe şöhle şöhlelendiriji maska bilen şöhlelenýär. Maska bilen şöhlelenýän ýagtylyk, birnäçe reflektordan ybarat optiki jemi şöhlelendiriş şekillendiriş ulgamyna girýär we ahyrynda maskanyň şöhlelendirilen şekili wakuum gurşawynda wafliň üstünde görkezilýär.
EUV daşbasma maşynynyň täsir ediş meýdançasy we şekillendiriş meýdany ikisi hem ark görnüşli we çykyş tizligini ýokarlandyrmak üçin doly wafli täsirini gazanmak üçin ädimme-ädim skaner usuly ulanylýar. ASML-iň iň ösen NXE seriýaly EUV daşbasma enjamy tolkun uzynlygy 13.5nm bolan şöhlelendiriji ýagtylyk çeşmesini, şöhlelendiriji maska (6 ° obli hadysasy), 6 aýna gurluşy (NA = 0.33) bilen 4x peseltmek şöhlelendiriji proýeksiýa ulgamyny ulanýar. 26mm × 33mm görnüşli skaner meýdany we wakuum täsir ediş gurşawy.
Çokundyrylan daşbasma maşynlary bilen deňeşdirilende, aşa ultramelewşe ýagtylyk çeşmelerini ulanýan EUV daşbasma maşynlarynyň ýeke-täk täsir çözgüdi ep-esli gowulaşdy, bu ýokary çözgütli grafikany emele getirmek üçin birnäçe fotolitografiýa üçin zerur bolan çylşyrymly prosesden gaça durup biler. Häzirki wagtda san dykyzlygy 0,33 bolan NXE 3400B daşbasma enjamynyň ýeke-täk täsir çözgüdi 13nm, çykyş tizligi bolsa 125 bölek / sag.
Muruň kanunyny mundan beýläk-de giňeltmegiň zerurlyklaryny kanagatlandyrmak üçin, geljekde 0,5 sanly aperturasy bolan EUV daşbasma maşynlary, asimmetrik ulaldylyşyny 0,25 esse / 0.125 esse ulanyp, merkezi ýagtylygy bloklaýan proýeksiýa obýektiw ulgamyny kabul eder we gözden geçiriş meýdany 26m × 33mm-den 26mm × 16.5mm-a çenli azaldar we ýekeje täsir çözgüdi 8nm-den aşakda bolup biler.
——————————————————————————————————————— ————————————
“Semicera” üpjün edip bilergrafit bölekleri, ýumşak / gaty duýuldy, kremniniň karbid bölekleri, CVD kremniy karbid bölekleri, weSiC / TaC örtükli bölekler30 günüň içinde doly ýarymgeçiriji prosesi bilen.
Aboveokardaky ýarymgeçiriji önümler bilen gyzyklanýan bolsaňyz,ilkinji gezek biziň bilen habarlaşmakdan çekinmäň.
Telefon: + 86-13373889683
WhatsAPP: + 86-15957878134
Email: sales01@semi-cera.com
Iş wagty: Awgust-31-2024