Esasy komponentleriniň biri hökmündeMOCVD enjamlary, grafit bazasy film materialynyň birmeňzeşligini we arassalygyny gönüden-göni kesgitleýän substratyň göterijisi we ýyladyş organydyr, şonuň üçin onuň hili epitaksial sahypanyň taýýarlanmagyna gönüden-göni täsir edýär we şol bir wagtyň özünde sanynyň köpelmegi bilenem täsir edýär. ulanýar we iş şertleriniň üýtgemegi, sarp edilýän zatlara degişli bolmak gaty aňsat.
Grafitiň ajaýyp ýylylyk geçirijiligi we durnuklylygy bar bolsa-da, esasy komponent hökmünde oňat artykmaçlygy barMOCVD enjamlary, ýöne önümçilik prosesinde grafit poslaýjy gazlaryň we metal organikleriň galyndylary sebäpli poroşoklary poslaýar we grafit bazasynyň hyzmat möhleti ep-esli azalýar. Şol bir wagtyň özünde düşýän grafit tozy, çipiň hapalanmagyna sebäp bolar.
Örtük tehnologiýasynyň peýda bolmagy, ýerüsti poroşoklary kesgitlemegi, ýylylyk geçirijiligini ýokarlandyryp we bu meseläni çözmegiň esasy tehnologiýasyna öwrülen ýylylyk paýlanyşyny deňleşdirip biler. Grafit bazasyMOCVD enjamlarydaşky gurşawy ulanyň, grafit esasy ýerüsti örtük aşakdaky aýratynlyklara laýyk gelmelidir:
(1) Grafit bazasyny doly örtüp bolýar we dykyzlygy gowy, ýogsam grafit bazasyny poslaýjy gazda poslamak aňsat.
(2) Grafit bazasy bilen birleşmegiň güýji birnäçe ýokary temperatura we pes temperatura sikllerinden soň örtügiň düşmeginiň aňsat däldigini üpjün etmek üçin ýokarydyr.
(3) temperatureokary temperaturada we poslaýjy atmosferada örtük şowsuzlygynyň öňüni almak üçin gowy himiki durnuklylygy bar.
SiC poslama garşylygy, ýokary ýylylyk geçirijiligi, termiki zarba garşylygy we ýokary himiki durnuklylygy ýaly artykmaçlyklara eýedir we GaN epitaksial atmosferasynda gowy işläp biler. Mundan başga-da, SiC-iň ýylylyk giňelme koeffisiýenti grafitden gaty az tapawutlanýar, şonuň üçin SiC grafit bazasynyň üstki örtügi üçin ileri tutulýan materialdyr.
Häzirki wagtda umumy SiC esasan 3C, 4H we 6H görnüşlidir we dürli kristal görnüşleriniň SiC ulanylyşy başga. Mysal üçin, 4H-SiC ýokary güýçli enjamlary öndürip biler; 6H-SiC iň durnukly we fotoelektrik enjamlaryny öndürip biler; GaN bilen meňzeş gurluşy sebäpli, 3C-SiC GaN epitaksial gatlagyny öndürmek we SiC-GaN RF enjamlaryny öndürmek üçin ulanylyp bilner. 3C-SiC adatça hem bellidirβ-SiC we möhüm ulanylyşyβ-SiC film we örtük materialy ýalyβ-SiC häzirki wagtda örtük üçin esasy materialdyr.
Iş wagty: Noýabr-06-2023