Silikon karbid (SiC)ýokary güýçli we ýokary ýygylykly elektron enjamlarynda giňden ulanylýan möhüm giň zolakly ýarymgeçiriji materialdyr. Aşakda käbir möhüm parametrler barkremniý karbid wafliwe jikme-jik düşündirişleri:
Paneliň parametrleri:
Substratyň panjarasynyň hemişelik we kemçilikleri we stresleri azaltmak üçin ösdürilmeli epitaksial gatlak bilen gabat gelýändigine göz ýetiriň.
Mysal üçin, 4H-SiC we 6H-SiC dürli panjara yzygiderliligi bar, bu olaryň epitaksial gatlagynyň hiline we enjamyň işleýşine täsir edýär.
Ackygyndy yzygiderliligi:
SiC makro şkalasynda 1: 1 nisbatda kremniy atomlaryndan we uglerod atomlaryndan durýar, ýöne atom gatlaklarynyň tertip tertibi başga, dürli kristal gurluşlary emele getirer.
Adaty kristal görnüşlerine 3C-SiC (kub gurluşy), 4H-SiC (altyburç gurluş) we 6H-SiC (altyburç gurluş) girýär we degişli yzygiderlilik yzygiderliligi: ABC, ABCB, ABCACB we ş.m. Her kristal görnüşi dürli elektron görnüşinde bolýar aýratynlyklary we fiziki aýratynlyklary, şonuň üçin dogry programmalar üçin dogry kristal görnüşini saýlamak möhümdir.
Mohs gatylygy: gaýtadan işlemegiň aňsatlygyna we aşgazan garşylygyna täsir edýän substratyň gatylygyny kesgitleýär.
Silikon karbid, Mohs gatylygy gaty ýokary, adatça 9-9.5 aralygynda, bu ýokary eşik garşylygy talap edýän programmalar üçin gaty gaty material bolýar.
Dykyzlygy: Substratyň mehaniki güýjüne we ýylylyk aýratynlyklaryna täsir edýär.
Dokary dykyzlyk, adatça has gowy mehaniki güýç we ýylylyk geçirijiligini aňladýar.
Malylylyk giňelme koeffisiýenti: Temperatura bir dereje Selsiýa ýokarlananda substratyň uzynlygynyň ýa-da göwrüminiň asyl uzynlygyna ýa-da göwrümine görä ýokarlanmagyna degişlidir.
Temperaturanyň üýtgemegi bilen substrat bilen epitaksial gatlagyň arasyndaky laýyklyk enjamyň ýylylyk durnuklylygyna täsir edýär.
Döwülme görkezijisi: Optiki amaly programmalar üçin refraktiw görkeziji optoelektron enjamlarynyň dizaýnynda esasy parametrdir.
Döwülme görkezijisindäki tapawutlar materialdaky ýagtylyk tolkunlarynyň tizligine we ýoluna täsir edýär.
Dielektrik yzygiderli: Enjamyň sygymlylyk aýratynlyklaryna täsir edýär.
Pes dielektrik hemişelik parazit kuwwatyny azaltmaga we enjamyň işleýşini gowulandyrmaga kömek edýär.
Malylylyk geçirijiligi:
Enjamyň sowadyş netijeliligine täsir edýän ýokary güýçli we ýokary temperaturaly programmalar üçin möhümdir.
Silikon karbidiň ýokary ýylylyk geçirijiligi ony ýokary güýçli elektron enjamlary üçin amatly edýär, sebäbi enjamdan ýylylygy netijeli alyp bilýär.
Band-boşluk:
Ancearymgeçiriji materialda walent zolagynyň ýokarsy bilen geçiriji zolagyň aşagyndaky energiýa tapawudyna degişlidir.
Giň aralyk materiallar, elektron geçişini höweslendirmek üçin has ýokary energiýa talap edýär, bu bolsa kremniý karbidini ýokary temperaturada we ýokary radiasiýa şertlerinde gowy ýerine ýetirýär.
Elektrik meýdany:
Ondarymgeçiriji materialyň çydap bilýän çäk naprýa .eniýesi.
Silikon karbid, gaty ýokary naprýa .eniýelere döwülmezden çydamly bolmaga mümkinçilik berýän gaty ýokary döwülýän elektrik meýdanyna eýedir.
Dokma tizligi:
Carriersarymgeçiriji materialda belli bir elektrik meýdany ulanylandan soň göterijileriň ýetip biljek iň ýokary ortaça tizligi.
Elektrik meýdanynyň güýji belli bir derejä ýetende, elektrik meýdanynyň hasam güýçlendirilmegi bilen göterijiniň tizligi artmaz. Bu wagt tizlige doýma drift tizligi diýilýär. SiC ýokary doýma drift tizligine eýe, bu ýokary tizlikli elektron enjamlaryny satmak üçin peýdalydyr.
Bu parametrler bilelikde öndürijiligini we ulanylyşyny kesgitleýärSiC waflidürli programmalarda, esasanam ýokary güýçli, ýokary ýygylykly we ýokary temperaturaly şertlerde.
Iş wagty: Iýul-30-2024