SiC substratlary üçin gaýtadan işleýiş ädimlerini nädip öndürýäris:
1. Kristal ugry: Kristal ingot ugruna rentgen difraksiýasyny ulanmak.Rentgen şöhlesi islenýän kristal ýüzüne ugrukdyrylanda, difraksiýa şöhlesiniň burçy kristal ugruny kesgitleýär.
2. Daşarky diametri üwemek: Grafit çüýşelerinde ösdürilip ýetişdirilen ýeke kristallar köplenç adaty diametrlerden ýokary.Daşarky diametri üwemek olary adaty ululyklara çenli azaldar.
Ahyrky ýüzi üweýji: 4 dýuým 4H-SiC substratlar adatça iki sany ýerleşiş gyrasyna eýe, başlangyç we ikinji derejeli.Ahyrky ýüzi üwemek bu ýerleşiş gyralaryny açýar.
3. Sim görmek: 4H-SiC substratlaryny gaýtadan işlemekde sim kesmek möhüm ädimdir.Sim görmekde dörän döwükler we ýerüsti zeperler indiki proseslere ýaramaz täsir edýär, gaýtadan işlemegiň wagtyny uzaldýar we material ýitgisine sebäp bolýar.Iň ýaýran usul, göwher abraziw bilen köp simli arra.4H-SiC ingotyny kesmek üçin göwher abraziw serişdeleri bilen birikdirilen demir simleriň özara hereketi ulanylýar.
4. Çekmek: Gyralaryň kesilmeginiň öňüni almak we indiki proseslerde sarp edip boljak ýitgileri azaltmak üçin sim bilen kesilen çipleriň ýiti gyralary kesgitlenen şekillere bölünýär.
5. Inçelik: Sim armaturalary köp çyzgylary we ýerüsti zeperleri galdyrýar.Inçe, bu kemçilikleri mümkin boldugyça aýyrmak üçin göwher tigirleriň kömegi bilen edilýär.
6. üwürmek: Bu amal, ownuk zeperleri we inçeldiş döwründe girizilen täze zyýany aýyrmak üçin kiçi göwrümli bor karbidini ýa-da göwher abraziw serişdelerini ulanyp, gödek üwemegi we inçe üwemegi öz içine alýar.
7. Polishing: Iň soňky ädimler alýuminiýa ýa-da kremniniň oksid abraziwlerini ulanyp, gödek ýuwmagy we inçe ýuwmagy öz içine alýar.Ishinguwýan suwuklyk ýüzüni ýumşadýar, soňra abraziw serişdeleri bilen mehaniki taýdan aýrylýar.Bu ädim tekiz we zeper ýetmedik ýüzüni üpjün edýär.
8. Arassalamak: gaýtadan işlemek ädimlerinden galan bölejikleri, metallary, oksid filmlerini, organiki galyndylary we beýleki hapalary aýyrmak.
Iş wagty: 15-2024-nji maý