SiC substratlary üçin gaýtadan işleýiş ädimlerini nädip öndürýäris:
1. Kristal ugry:
Kristal ingot ugruna rentgen difraksiýasyny ulanmak. Rentgen şöhlesi islenýän kristal ýüzüne ugrukdyrylanda, difraksiýa şöhlesiniň burçy kristal ugruny kesgitleýär.
2. Daşarky diametri üwemek:
Grafit çüýlerinde ösdürilip ýetişdirilen ýekeje kristallar köplenç adaty diametrlerden ýokarydyr. Daşarky diametri üwemek olary adaty ululyklara çenli azaldar.
3.End ýüzi üwemek:
4 dýuým 4H-SiC substratlar adatça iki sany gyrasy bar, başlangyç we ikinji derejeli. Ahyrky ýüzi üwemek bu ýerleşiş gyralaryny açýar.
4. Simleri görmek:
Sim armaturasy 4H-SiC substratlaryny gaýtadan işlemekde möhüm ädimdir. Sim görmekde dörän çatryklar we ýerüsti zeperler indiki proseslere ýaramaz täsir edýär, gaýtadan işlemegiň wagtyny uzaldýar we material ýitgisine sebäp bolýar. Iň ýaýran usul, göwher abraziw bilen köp simli arra. 4H-SiC ingotyny kesmek üçin göwher abraziw serişdeleri bilen birikdirilen demir simleriň özara hereketi ulanylýar.
5. Çamfering:
Gyralaryň kesilmeginiň öňüni almak we indiki amallar wagtynda sarp edilip bilinjek ýitgileri azaltmak üçin sim bilen kesilen çipleriň ýiti gyralary görkezilen şekillere gysylýar.
6. Inçe:
Sim armaturasy köp çyzgylary we ýerüsti zeperleri galdyrýar. Inçe, bu kemçilikleri mümkin boldugyça aýyrmak üçin göwher tigirlerden peýdalanylýar.
7. üwürmek:
Bu amal, galyndy zeperleri we inçeldiş döwründe girizilen täze zyýanlary aýyrmak üçin kiçi göwrümli bor karbidini ýa-da göwher abraziwlerini ulanyp, gödek üwemegi we inçe üwemegi öz içine alýar.
8. Polishing:
Iň soňky ädimler alýumin ýa-da kremniniň oksid abraziwlerini ulanyp, gödek ýuwmagy we inçe ýuwmagy öz içine alýar. Ishinguwýan suwuklyk ýüzüni ýumşadýar, soňra abraziw serişdeleri bilen mehaniki taýdan aýrylýar. Bu ädim tekiz we zeper ýetmedik ýüzüni üpjün edýär.
9. Arassalamak:
Gaýtadan işlemek ädimlerinden galan bölejikleri, metallary, oksid filmlerini, organiki galyndylary we beýleki hapalary aýyrmak.
Iş wagty: 15-2024-nji maý