Epitaksial ösüş, bir kristal substratda (substratda) bir kristal gatlagy, substrat bilen birmeňzeş hrustal ugry ösdürip ýetişdirýän tehnologiýa, asyl kristal daşardan uzalyp giden ýaly.Bu täze ösen ýeke kristal gatlak, geçirijilik görnüşi, garşylyk we ş.m. taýdan substratdan tapawutlanyp biler we dürli galyňlygy we dürli talaplary bolan köp gatlakly ýeke kristallary ösdürip biler, şeýlelik bilen enjam dizaýnynyň we enjamyň işleýşiniň çeýeligini ep-esli ýokarlandyrar.Mundan başga-da, epitaksial proses PN birleşýän izolýasiýa tehnologiýasynda integral zynjyrlarda we uly göwrümli integral zynjyrlarda maddy hilini ýokarlandyrmakda giňden ulanylýar.
Epitaksiýanyň klassifikasiýasy esasan substratyň we epitaksial gatlagyň dürli himiki düzümlerine we dürli ösüş usullaryna esaslanýar.
Dürli himiki kompozisiýalara görä epitaksial ösüşi iki görnüşe bölmek bolar:
1. Gomoepitaksial: Bu ýagdaýda epitaksial gatlak substrat bilen birmeňzeş himiki düzüme eýe.Mysal üçin, kremniniň epitaksial gatlaklary göni kremniniň aşaky gatlaklarynda ösdürilýär.
2. Geteroepitaksi: Bu ýerde epitaksial gatlagyň himiki düzümi substratyňkydan tapawutlanýar.Mysal üçin, sapfir substratynda galliý nitrid epitaksial gatlagy ösdürilýär.
Dürli ösüş usullaryna görä epitaksial ösüş tehnologiýasyny hem dürli görnüşlere bölmek bolar:
1. Molekulýar şöhle epitaksiýasy (MBE): Bu, ýeke-täk kristal substratlarda ýekeje kristal inçe filmleri ösdürip ýetişdirmek üçin tehnologiýa bolup, aşa ýokary wakuumda molekulýar şöhle akymynyň tizligini we şöhle dykyzlygyny takyk gözegçilikde saklamak arkaly gazanylýar.
2. Metal-organiki himiki bug buglary (MOCVD): Bu tehnologiýa, zerur inçe film materiallaryny öndürmek üçin ýokary temperaturada himiki reaksiýalary ýerine ýetirmek üçin metal-organiki birleşmeleri we gaz fazaly reagentleri ulanýar.Goşma ýarymgeçiriji materiallary we enjamlary taýýarlamakda giň programmalar bar.
3. Suwuk faza epitaksiýasy (LPE): Bir kristal substrata suwuk material goşup we belli bir temperaturada ýylylyk bejergisini ýerine ýetirip, suwuk material ýekeje kristal film döretmek üçin kristallaşýar.Bu tehnologiýa tarapyndan taýýarlanan filmler substrata gabat gelýär we köplenç goşma ýarymgeçiriji materiallary we enjamlary taýýarlamak üçin ulanylýar.
4. Bug fazasynyň epitaksiýasy (VPE): Gaz reaktiwlerini ýokary temperaturada himiki reaksiýalary ýerine ýetirip, zerur inçe film materiallaryny öndürmek üçin ulanýar.Bu tehnologiýa uly meýdany, ýokary hilli ýeke hrustal filmleri taýýarlamak üçin amatly we goşma ýarymgeçiriji materiallary we enjamlary taýýarlamakda aýratyn tapawutlanýar.
5. Himiki şöhleleriň epitaksi (CBE): Bu tehnologiýa himiki şöhleleriň akymynyň tizligini we şöhläniň dykyzlygyny takyk gözegçilikde saklamak arkaly ýeke kristal substratlarda ýeke kristal filmleri ösdürip ýetişdirmek üçin himiki şöhleleri ulanýar.Highokary hilli ýeke hrustal inçe filmleri taýýarlamakda giň amaly bar.
6. Atom gatlagynyň epitaksiýasy (ALE): Atom gatlagyny çökdürmek tehnologiýasyny ulanyp, zerur inçe film materiallary bir kristal substratda gatlak boýunça gatlak goýulýar.Bu tehnologiýa uly meýdany, ýokary hilli ýeke kristal filmleri taýýarlap biler we köplenç goşma ýarymgeçiriji materiallary we enjamlary taýýarlamak üçin ulanylýar.
7. Gyzgyn diwar epitaksiýasy (HWE): temperatureokary temperaturaly ýyladyş arkaly, bir kristal film döretmek üçin gazly reaktiwler bir kristal substrata goýulýar.Bu tehnologiýa, uly meýdany, ýokary hilli ýeke hrustal filmleri taýýarlamak üçin hem amatly we esasanam ýarymgeçiriji materiallary we enjamlary taýýarlamakda ulanylýar.
Iş wagty: Maý-06-2024