Epitaksial ösüş, bir kristal substratda (substratda) bir kristal gatlagy ösdürip ýetişdirýän tehnologiýa bolup, asyl kristal daşardan uzalyp gidýän ýaly substrat bilen birmeňzeş kristal ugry bilen ösýär. Bu täze ösen ýeke kristal gatlak, geçirijilik görnüşi, garşylyk we ş.m. taýdan substratdan tapawutlanyp biler we dürli galyňlygy we dürli talaplary bolan köp gatlakly ýeke kristallary ösdürip biler, şeýlelik bilen enjam dizaýnynyň we enjamyň işleýşiniň çeýeligini ep-esli ýokarlandyrar. Mundan başga-da, epitaksial proses PN birleşýän izolýasiýa tehnologiýasynda integral zynjyrlarda we uly göwrümli integral zynjyrlarda maddy hilini ýokarlandyrmakda giňden ulanylýar.
Epitaksiýanyň klassifikasiýasy esasan substratyň we epitaksial gatlagyň dürli himiki düzümlerine we dürli ösüş usullaryna esaslanýar.
Dürli himiki kompozisiýalara görä epitaksial ösüşi iki görnüşe bölmek bolar:
1. Gomoepitaksial: Bu ýagdaýda epitaksial gatlak substrat bilen himiki düzüme eýe. Mysal üçin, kremniniň epitaksial gatlaklary göni kremniniň aşaky gatlaklarynda ösdürilýär.
2. Geteroepitaksi: Bu ýerde epitaksial gatlagyň himiki düzümi substratyňkydan tapawutlanýar. Mysal üçin, sapfir substratynda galliý nitrid epitaksial gatlagy ösdürilýär.
Dürli ösüş usullaryna görä epitaksial ösüş tehnologiýasyny hem dürli görnüşlere bölmek bolar:
1. Molekulýar şöhle epitaksiýasy (MBE): Bu, ýeke-täk kristal substratlarda ýekeje kristal inçe filmleri ösdürip ýetişdirmek üçin tehnologiýa bolup, ultra-ýokary wakuumda molekulýar şöhle akymynyň tizligini we şöhle dykyzlygyny takyk gözegçilikde saklamak arkaly gazanylýar.
2. Metal-organiki himiki buglaryň çökdürilmegi (MOCVD): Bu tehnologiýa zerur inçe film materiallaryny öndürmek üçin ýokary temperaturada himiki reaksiýalary ýerine ýetirmek üçin metal-organiki birleşmeleri we gaz fazaly reagentleri ulanýar. Goşma ýarymgeçiriji materiallary we enjamlary taýýarlamakda giň programmalar bar.
3. Bu tehnologiýa tarapyndan taýýarlanan filmler substrata gabat gelýär we köplenç ýarymgeçiriji materiallary we enjamlary taýýarlamak üçin ulanylýar.
4. Bu tehnologiýa uly meýdany, ýokary hilli ýeke hrustal filmleri taýýarlamak üçin amatly we goşma ýarymgeçiriji materiallary we enjamlary taýýarlamakda aýratyn tapawutlanýar.
5. Himiki şöhle epitaksiýasy (CBE): Bu tehnologiýa himiki şöhleleriň akymynyň tizligini we şöhläniň dykyzlygyny takyk gözegçilikde saklamak arkaly ýeke kristal substratlarda ýeke kristal filmleri ösdürip ýetişdirmek üçin himiki şöhleleri ulanýar. Highokary hilli ýeke hrustal inçe filmleri taýýarlamakda giň amaly bar.
6. Atom gatlagynyň epitaksiýasy (ALE): Atom gatlagyny çökdürmek tehnologiýasyny ulanyp, zerur inçe film materiallary bir kristal substratda gatlak boýunça gatlak goýulýar. Bu tehnologiýa uly meýdany, ýokary hilli ýeke kristal filmleri taýýarlap biler we köplenç goşma ýarymgeçiriji materiallary we enjamlary taýýarlamak üçin ulanylýar.
7. Bu tehnologiýa, uly meýdany, ýokary hilli ýeke hrustal filmleri taýýarlamak üçin hem amatly we esasanam ýarymgeçiriji materiallary we enjamlary taýýarlamakda ulanylýar.
Iş wagty: Maý-06-2024