Epitaksiýa näme?

Inersenerleriň köpüsi tanyş dälepitaksiýaýarymgeçiriji enjam öndürmekde möhüm rol oýnaýar.Epitaksidürli çip önümlerinde ulanylyp bilner we dürli önümlerde epitaksiýanyň dürli görnüşleri barEpitaksiýa, SiC epitaksiýasy, GaN epitaksiýasywe ş.m.

Epitaksiýa näme?
Epitaksi köplenç iňlis dilinde “Epitaksi” diýilýär. Bu söz grek sözlerinden “epi” (“ýokarda” manysyny berýär) we “taksiler” (“tertip” manysyny berýär) sözlerinden gelýär. Adyndan görnüşi ýaly, bir obýektiň üstünde tertipli tertipleşdirmegi aňladýar. Epitaksi prosesi inçe hrustal gatlagy bir kristal substrata goýmakdyr. Täze goýlan bu ýekeje kristal gatlagyna epitaksial gatlak diýilýär.

Epitaksiýanyň iki esasy görnüşi bar: gomoepitaksial we heteroepitaksial. Gomoepitaksial, şol bir substratyň üstünde şol bir materialyň ösmegini aňladýar. Epitaksial gatlak we substrat birmeňzeş panjara gurluşyna eýe. Geteroepitaksi, bir materialyň aşaky gatlagynda başga bir materialyň ösmegi. Bu ýagdaýda epitaksial taýdan ösen kristal gatlagyň we substratyň panjara gurluşy başgaça bolup biler. Singleeke kristallar we polikristallylar näme?
Ondarymgeçirijilerde ýeke kristal kremniý we polikristally kremniý adalgalaryny köplenç eşidýäris. Näme üçin käbir kremnini ýeke kristal, käbir kremnini polikristally diýilýär?

Cryeke kristal: Paneliň tertibi üznüksiz we üýtgewsiz, däne araçäkleri ýok, ýagny tutuş kristal yzygiderli kristal ugry bolan bir panjardan durýar. Polikristally: Polikristally köp ownuk dänelerden durýar, olaryň hersi bir kristal bolup, ugurlary biri-birine degişlidir. Bu däneler däne araçäkleri bilen bölünýär. Polikristally materiallaryň önümçilik bahasy ýekeje kristaldan has pes, şonuň üçinem käbir programmalarda peýdaly. Epitaksial proses nirede çekiler?
Silikon esasly integral zynjyrlar öndürilende epitaksial proses giňden ulanylýar. Mysal üçin, kremniniň epitaksiýasy ösen integral zynjyrlary öndürmek üçin örän möhüm bolan kremniniň aşaky gatlagynda arassa we inçe gözegçilik edilýän kremniniň gatlagyny ösdürmek üçin ulanylýar. Mundan başga-da, kuwwat enjamlarynda SiC we GaN ajaýyp ulanylýan kuwwatlylygy bolan giň zolakly ýarymgeçiriji materialdyr. Bu materiallar adatça epitaksiýa arkaly kremniýde ýa-da beýleki substratlarda ösdürilýär. Kwant aragatnaşygynda ýarymgeçirijä esaslanýan kwant bitleri adatça kremniniň germaniý epitaksial gurluşlaryny ulanýarlar. We ş.m.

Epitaksial ösüş usullary?

Köplenç ulanylýan ýarymgeçirijiniň epitaksiýa usuly:

Molekulýar şöhle epitaksiýasy (MBE): Molekulýar şöhle epitaksi) aşa ýokary wakuum şertlerinde ýerine ýetirilen ýarymgeçiriji epitaksial ösüş tehnologiýasydyr. Bu tehnologiýada çeşme materialy atom ýa-da molekulýar şöhleler görnüşinde bugaryp, soňra kristal substrata goýulýar. MBE, atom derejesinde goýlan materialyň galyňlygyny takyk dolandyryp bilýän gaty takyk we dolandyrylýan ýarymgeçiriji inçe film ösüş tehnologiýasydyr.

Metal organiki CVD (MOCVD): MOCVD prosesinde zerur elementleri öz içine alýan organiki metallar we gidrid gazlary substrata degişli temperaturada berilýär we zerur ýarymgeçiriji materiallar himiki reaksiýalar arkaly emele gelýär we substratda goýulýar, galanlary birleşmeler we reaksiýa önümleri zyňylýar.

Bug fazasy epitaksi (VPE): Bug fazasy epitaksi ýarymgeçiriji enjamlary öndürmekde köplenç ulanylýan möhüm tehnologiýa. Esasy ýörelgesi, bir maddanyň ýa-da birleşmäniň bugyny daşaýjy gazda daşamak we kristallary himiki reaksiýalar arkaly substrata goýmakdyr.