Metal-organiki himiki buglaryň çökdürilmegi (MOCVD) ýarymgeçiriji pudagynda ýokary hilli inçe filmler substratlara goýulýan möhüm prosesdir. MOCVD prosesiniň esasy düzüm bölegi, öndürilen filmleriň birmeňzeşligini we hilini üpjün etmekde möhüm rol oýnaýan möhüm elementdir.
Kesgitleýji näme? Duýgurlyk, inçe filmleriň goýulýan substratyny goldamak we gyzdyrmak üçin MOCVD prosesinde ulanylýan ýöriteleşdirilen komponentdir. Elektromagnit energiýasyny siňdirmek, ony ýylylyga öwürmek we bu ýylylygy substratda birmeňzeş paýlamak ýaly birnäçe funksiýa hyzmat edýär. Bu birmeňzeş ýyladyş, takyk galyňlygy we düzümi bolan birmeňzeş filmleriň ösmegi üçin zerurdyr.
Gümürtikleriň görnüşleri:
1. Grafit duýgurlary: Adatça gorag gatlagy bilen örtülendirkremniy karbid (SiC), grafit duýgurlary ýokary ýylylyk geçirijiligi we durnuklylygy bilen bellidir. TheSiC örtükýokary temperaturada poslama we zaýalanmaga garşy gaty, goragly ýer berýär.
2. Silikon Karbid (SiC) duýgurlary: Bular düýbünden SiC-den ýasalyp, ajaýyp ýylylyk durnuklylygyny we könelmegine garşylygy hödürleýär.SiC duýgurlaryesasanam ýokary temperaturaly prosesler we poslaýjy gurşaw üçin amatlydyr.
NädipSusseptorlarMOCVD-de işlemek:
MOCVD prosesinde prekursorlar reaktor kamerasyna girizilýär, ol ýerde çüýräp, substratda inçe film emele getirýär. Duýgurlyk, substratyň birmeňzeş gyzdyrylmagyny üpjün etmek bilen möhüm rol oýnaýar, bu bolsa ähli substratyň üstünde yzygiderli film häsiýetlerine ýetmek üçin möhümdir. Duýgurlygyň materialy we dizaýny, temperatura diapazony we himiki laýyklyk ýaly çöketlik prosesiniň aýratyn talaplaryna laýyklyk bilen saýlanýar.
Ulanyşyň peýdalaryQualityokary hilli duýgurlar:
• Filmiň hilini ýokarlandyrmak: Birmeňzeş ýylylyk paýlanyşyny üpjün etmek bilen, duýgurlar ýarymgeçiriji enjamlaryň işlemegi üçin möhüm bolan yzygiderli galyňlygy we düzümi bolan filmlere ýetmäge kömek edýärler.
• Amalyň netijeliligini ýokarlandyrmak: qualityokary hilli duýgurlar kemçilikleriň ähtimallygyny azaltmak we ulanyp boljak filmleriň öndürijiligini ýokarlandyrmak arkaly MOCVD prosesiniň umumy netijeliligini ýokarlandyrýar.
• Uzak ömür we ygtybarlylyk: SiC ýaly çydamly materiallardan ýasalan siňdirijiler uzak möhletli ygtybarlylygy we tehniki hyzmatyň çykdajylarynyň azalmagyny üpjün edýär.
Netije: Duýgurlyk, inçe film çökdürilişiniň hiline we netijeliligine gönüden-göni täsir edýän MOCVD prosesinde aýrylmaz komponentdir. Dogry duýgur materialy we dizaýny saýlamak bilen, ýarymgeçiriji öndürijiler öz işlerini optimizirläp bilerler, netijede enjamyň has gowy işlemegi we önümçilik çykdajylarynyň peselmegi. Performanceokary öndürijilikli elektron enjamlara bolan islegiň artmagy bilen, ýokary hilli MOCVD susc-iň ähmiýeti
Iş wagty: Awgust-12-2024