SiC örtügi näme?

 

Silikon Karbid SiC örtügi näme?

Silikon Karbid (SiC) örtügi, ýokary temperaturaly we himiki reaktiw şertlerde ajaýyp goragy we öndürijiligi üpjün edýän ynkylap tehnologiýasydyr. Bu ösen örtük, poslama, okislenmä we könelmekden has ýokary gorag hödürläp, häsiýetlerini ýokarlandyrmak üçin grafit, keramika we metallar ýaly dürli materiallara ulanylýar. SiC örtükleriniň özboluşly aýratynlyklary, şol sanda ýokary arassalygy, ajaýyp ýylylyk geçirijiligi we gurluş bitewiligi ýarymgeçiriji önümçiligi, howa we ýokary öndürijilikli ýyladyş tehnologiýalary ýaly pudaklarda ulanmak üçin amatly edýär.

 

Silikon karbid örtüginiň artykmaçlyklary

SiC örtügi, adaty gorag örtüklerinden tapawutlandyrýan birnäçe möhüm peýdalary hödürleýär:

  • -Okary dykyzlyk we poslama garşylyk
  • Kub SiC gurluşy ýokary dykyzlykly örtügi üpjün edýär, poslama garşylygy ep-esli gowulandyrýar we komponentiň ömrüni uzaldýar.
  • - Çylşyrymly şekilleriň aýratyn örtügi
  • SiC örtügi, iň çuň nokadynda 30% -e çenli birmeňzeş galyňlygy teklip edip, 5 mm çenli çuňlugy bolan kiçijik kör deşiklerde-de ajaýyp örtügi bilen meşhurdyr.
  • - Özbaşdak düzülen ýerüsti gödeklik
  • Örtük prosesi uýgunlaşdyrylyp, dürli ýerüsti çişliklere aýratyn amaly talaplara laýyk gelýär.
  • -Pokarky arassa örtük
  • Highokary arassa gazlary ulanmak arkaly gazanylan SiC örtügi gaty arassa bolup, haramlyk derejesi adatça 5 ppm-den pesdir. Bu arassalyk takyklygy we minimal hapalanmagy talap edýän ýokary tehnologiýaly pudaklar üçin möhümdir.
  • Termiki durnuklylyk
  • Silikon karbid keramiki örtük, ýokary temperatura şertlerinde ygtybarlylygy üpjün edip, iň ýokary iş temperaturasy 1600 ° C çenli ýokary temperatura çydap biler.

 

SiC örtüginiň goşundylary

SiC örtükleri kyn şertlerde deňi-taýy bolmadyk öndürijiligi üçin dürli pudaklarda giňden ulanylýar. Esasy programmalar şulary öz içine alýar:

  • -LED we Gün senagaty
  • Örtük, ýokary arassalygy we temperatura garşylygy zerur bolan LED we gün öýjük önümçiliginde komponentler üçin hem ulanylýar.
  • -Hokary temperaturaly ýyladyş tehnologiýalary
  • SiC bilen örtülen grafit we beýleki materiallar, dürli önümçilik proseslerinde ulanylýan peçler we reaktorlar üçin ýyladyş elementlerinde ulanylýar.
  • - icarymgeçirijiniň kristal ösüşi
  • Ondarymgeçiriji kristal ösüşinde SiC örtükleri kremniniň we beýleki ýarymgeçiriji kristallaryň ösmegine gatnaşýan bölekleri goramak üçin ulanylýar, ýokary poslama garşylygy we ýylylyk durnuklylygyny hödürleýär.
  • -Silikon we SiC epitaksi
  • SiC örtükleri kremniniň we kremniniň karbidiniň (SiC) epitaksial ösüş prosesinde komponentlere ulanylýar. Bu örtükler okislenmegiň, hapalanmagyň öňüni alýar we ýokary öndürijilikli ýarymgeçiriji enjamlaryň öndürilmegi üçin möhüm bolan epitaksial gatlaklaryň hilini üpjün edýär.
  • - Okislenme we diffuziýa prosesleri
  • SiC bilen örtülen komponentler okislenme we diffuziýa proseslerinde ulanylýar, bu ýerde islenmeýän hapalara garşy täsirli päsgelçilik döredýär we ahyrky önümiň bitewiligini ýokarlandyrýar. Örtükler ýokary temperaturaly okislenme ýa-da diffuziýa ädimlerine sezewar bolan komponentleriň uzak ömrüni we ygtybarlylygyny ýokarlandyrýar.

 

SiC örtüginiň esasy aýratynlyklary

SiC örtükleri, örtülen komponentleriň öndürijiligini we berkligini ýokarlandyrýan birnäçe häsiýeti hödürleýär:

  • -Kristal gurluşy
  • Örtük adatça a bilen öndürilýärβ 3C (kub) kristalizotrop bolan we poslama iň amatly goragy hödürleýän gurluş.
  • Dykyzlygy we gözenek
  • SiC örtükleriniň dykyzlygy bar3200 kg / m³we sergi0% gözenek, geliniň syzdyrylyşyny we poslama garşy durnuklylygyny üpjün etmek.
  • - Termiki we elektrik aýratynlyklary
  • SiC örtügi ýokary ýylylyk geçirijiligine eýe(200 W / m · K)we ajaýyp elektrik garşylygy(1MΩ · m), ýylylygy dolandyrmagy we elektrik izolýasiýasyny talap edýän programmalar üçin ideal etmek.
  • -Mehaniki güýç
  • Elastik modul bilen450 GPa, SiC örtükleri komponentleriň gurluş bitewiligini ýokarlandyryp, ýokary mehaniki güýç berýär.

 

SiC kremniy karbid örtük prosesi

SiC örtügi himiki bug çöketligi (CVD) arkaly ulanylýar, bu substratda inçe SiC gatlaklaryny goýmak üçin gazlaryň ýylylyk bölünmegini öz içine alýar. Bu çöketlik usuly, ýokary ösüş depginlerine we üýtgäp bilýän gatlak galyňlygyna takyk gözegçilik etmäge mümkinçilik berýär10 µm-dan 500 µmgoýmasyna baglylykda. Örtük prosesi, adaty örtük usullary üçin adatça kyn bolan kiçi ýa-da çuň deşikler ýaly çylşyrymly geometriýalarda-da birmeňzeş örtügi üpjün edýär.

 

SiC örtügi üçin amatly materiallar

SiC örtükleri köp sanly materiallara ulanylyp bilner, şol sanda:

  • -Grafit we uglerod kompozitleri
  • Grafit ajaýyp ýylylyk we elektrik aýratynlyklary sebäpli SiC örtügi üçin meşhur substratdyr. SiC örtügi grafitiň gözenekli gurluşyna aralaşýar, ösen baglanyşyk döredýär we ýokary goragy üpjün edýär.
  • -Keramika
  • SiC, SiSiC we RSiC ýaly kremniý esasly keramika, poslama garşylygy ýokarlandyrýan we hapalaryň ýaýramagynyň öňüni alýan SiC örtüklerinden peýdalanýar.

 

Näme üçin SiC örtügi saýlamaly?

Surfaceerüsti örtükler ýokary arassalygy, poslama garşylygy we ýylylyk durnuklylygyny talap edýän pudaklar üçin köpugurly we tygşytly çözgüt hödürleýär. Ondarymgeçirijide, howa giňişliginde ýa-da ýokary öndürijilikli ýyladyş pudaklarynda işleýärsiňizmi, SiC örtükleri amaly kämilligi saklamak üçin zerur goragy we öndürijiligi üpjün edýär. Highokary dykyzlykly kub gurluşyň, düzülip bilinýän ýerüsti häsiýetleriň we çylşyrymly geometriýalary örtmek ukybynyň birleşmegi, örtülen elementleriň hatda iň kyn şertlere-de çydap biljekdigini üpjün edýär.

Has giňişleýin maglumat üçin ýa-da kremniy karbid keramiki örtüginiň aýratyn programmaňyza nähili peýdaly bolup biljekdigini ara alyp maslahatlaşmak üçin haýyş edýärisbilen habarlaşyň.

 

SiC örtük_Semicera 2


Iş wagty: Awgust-12-2024