Ondarymgeçiriji önümçiligindeSiC Paddleesasanam epitaksial ösüş prosesinde möhüm rol oýnaýar. Ulanylýan esasy komponent hökmündeMOKVD(Metal Organiki Himiki Bug Depozisi) ulgamlary,SiC Paddlesýokary temperatura we himiki taýdan kyn şertlere çydamly bolup, ösen önümçilik üçin zerur bolup durýar. “Semicera” -da ýokary öndürijilikli önüm öndürmekde ýöriteleşýärisSiC Paddlesikisi üçin niýetlenendirSi EpitaxyweSiC Epitaxy, ajaýyp berkligi we ýylylyk durnuklylygyny hödürleýär.
“SiC Paddles” -iň ulanylmagy epitaksial ösüş ýaly proseslerde has giňden ýaýrandyr, bu ýerde substrat takyk ýylylyk we himiki şertlere mätäç. “Semicera” önümlerimiz, a talap edýän şertlerde iň amatly öndürijiligi üpjün edýärMOCVD Susseptor, ýokary hilli kremniy karbid gatlaklary substratlara ýerleşdirilýär. Bu gowulaşmaga goşant goşýarwafliýarymgeçiriji önümçiliginde hil we has ýokary enjam netijeliligi.
Semicera'sSiC Paddlesüçin niýetlenen däldirSi Epitaxyemma başga-da birnäçe möhüm programmalar üçin niýetlenendir. Mysal üçin, LED wafli öndürmekde zerur bolan PSS Etching Daşaýjylar weICP ýük daşaýjylarwafli emele getirmek üçin takyk ion gözegçiligi zerurdyr. Bu eşikler ýaly ulgamlar üçin aýrylmazdyrRTP daşaýjylary(Çalt ýylylyk işleýşi), bu ýerde çalt temperatura geçişine we ýokary ýylylyk geçirijiligine zerurlyk birinji orunda durýar.
Mundan başga-da, “SiC Paddles” ýokary öndürijilikli LED wafli ösmegine kömek edip, “LED Epitaxial Susceptor” bolup hyzmat edýär. Dürli ýylylyk we daşky gurşaw streslerini çözmek ukyby olary dürli ýarymgeçirijiniň ýasama proseslerinde ýokary derejede köp taraply edýär.
Umuman aýdanyňda, “Semicera” häzirki zaman ýarymgeçiriji önümçiliginiň talaplaryna laýyk gelýän “SiC Paddles” -i bermäge borçlanýar. SiC Epitaxy-dan MOCVD Susseptorlaryna çenli çözgütlerimiz, pudagyň iň esasy talaplaryny kanagatlandyryp, ygtybarlylygy we öndürijiligi ýokarlandyrýar.
Iş wagty: 07-2024-nji sentýabr