Wafli taýýarlamak işinde iki esasy baglanyşyk bar: biri substraty taýýarlamak, beýlekisi epitaksial prosesiň durmuşa geçirilmegi. Icarymgeçirijiniň ýekeje kristal materialyndan seresaplylyk bilen ýasalan substrat, ýarymgeçiriji enjamlary öndürmek üçin esas hökmünde wafli önümçilik prosesine gönüden-göni goýulyp bilner ýa-da epitaksial prosesler arkaly hasam güýçlendirilip bilner.
Onda denotasiýa näme? Gysgaça aýdylanda, epitaksiýa inçe gaýtadan işlenen (kesmek, üwemek, polatlamak we ş.m.) ýekeje kristal substratda täze kristalyň täze gatlagynyň ösmegidir. Bu täze kristal gatlak we substrat birmeňzeş materialdan ýa-da dürli materiallardan ýasalyp bilner, şonuň üçin birmeňzeş ýa-da heteroepitaksial ösüş zerur bolanda gazanyp bolar. Täze ösen ýeke hrustal gatlak substratyň kristal fazasyna görä giňeljekdigi sebäpli oňa epitaksial gatlak diýilýär. Onuň galyňlygy, adatça, diňe birnäçe mikrondyr. Silikony mysal hökmünde alsak, kremniniň epitaksial ösüşi, belli bir kristal ugry bolan kremniniň ýeke kristal substratynda substrat, gözegçilik edip bolýan garşylyk we galyňlyk bilen birmeňzeş kristal gatlagyny ösdürmekdir. Ajaýyp panjara gurluşy bolan kremniniň ýekeje kristal gatlagy. Epitaksial gatlak substratda ösdürilip ýetişdirilende, tutuşlygyna epitaksial wafli diýilýär.
Adaty kremniniň ýarymgeçiriji senagaty üçin göni kremniý wafli boýunça ýokary ýygylykly we ýokary güýçli enjamlary öndürmek käbir tehniki kynçylyklara duçar bolar. Mysal üçin, ýokary bölüniş naprýa .eniýesiniň, kiçi seriýaly garşylygyň we kollektor meýdançasyndaky ownuk doýma naprýa .eniýesiniň talaplaryna ýetmek kyn. Epitaksi tehnologiýasynyň ornaşdyrylmagy bu meseleleri akylly çözýär. Çözüw, pes garşylykly kremniniň aşaky gatlagynda ýokary garşylykly epitaksial gatlagy ösdürip ýetişdirmek, soňra bolsa ýokary garşylykly epitaksial gatlakda enjamlary ýasamakdyr. Şeýlelik bilen, ýokary garşylykly epitaksial gatlak enjam üçin ýokary bölüniş naprýa .eniýesini üpjün edýär, pes garşylykly substrat bolsa substratyň garşylygyny peseldýär, şeýlelik bilen doýma naprýa dropeniýesiniň peselmegini peseldýär we şeýlelik bilen ýokary bölüniş naprýa andeniýesini we garşylyk arasynda kiçi deňagramlylygy gazanýar. kiçi naprýa .eniýe peselmegi.
Mundan başga-da, bug fazasynyň epitaksiýasy we GaA-laryň suwuk faza epitaksiýasy we beýleki III-V, II-VI we beýleki molekulýar birleşme ýarymgeçiriji materiallar ýaly epitaksi tehnologiýalary hem ep-esli derejede ösdürilip, mikrotolkun enjamlarynyň, optoelektron enjamlaryň we güýjüň köpüsi üçin esas boldy. enjamlary. Önümçilik üçin aýrylmaz proses tehnologiýalary, esasanam molekulalar şöhlesini we metal-organiki bug fazasy epitaksi tehnologiýasyny inçe gatlaklarda, superlattislerde, kwant guýularynda, dartylan superlattislerde we atom derejesindäki inçe gatlak epitaksiýada ýarymgeçirijiniň gözleginiň täze ugruna öwrüldi. “Energetika kemeri taslamasynyň” ösüşi berk binýady goýdy.
Üçünji nesil ýarymgeçiriji enjamlar barada aýdylanda bolsa, şeýle ýarymgeçiriji enjamlaryň hemmesi diýen ýaly epitaksial gatlakda ýasalýar we kremniy karbid wafli diňe substrat bolup hyzmat edýär. SiC epitaksial materialyň galyňlygy, fon göterijiniň konsentrasiýasy we beýleki parametrler SiC enjamlarynyň dürli elektrik aýratynlyklaryny gönüden-göni kesgitleýär. Volokary woltly programmalar üçin kremniy karbid enjamlary epitaksial materiallaryň galyňlygy we fon göterijiniň konsentrasiýasy ýaly parametrlere täze talaplary öňe sürýär. Şonuň üçin kremniy karbid epitaksial tehnologiýasy kremniy karbid enjamlarynyň işleýşinden doly peýdalanmakda aýgytly rol oýnaýar. SiC güýç enjamlarynyň hemmesiniň diýen ýaly ýokary hilli SiC epitaksial wafli esaslanýar. Epitaksial gatlaklaryň öndürilmegi giň zolakly ýarymgeçiriji pudagynyň möhüm bölegidir.
Iş wagty: Maý-06-2024