Senagat habarlary

  • Düýn Ylym we Tehnologiýa Innowasiýa Geňeşi Huazhuo Precision Technology-iň IPO-ny ýatyrandygyny habar berdi!

    Justaňy-ýakynda Tsinghua tehnologiýasy bolan Hytaýda ilkinji 8 dýuýmlyk SIC lazer bilen enjamlaşdyryş enjamlarynyň gowşurylandygyny habar berdi; Näme üçin materiallary özleri çykardylar? Diňe birnäçe söz: Birinjiden, önümler dürli-dürli! Bir seretseň, näme edýändiklerini bilemok. Häzirki wagtda H ...
    Dowamyny oka
  • CVD kremniy karbid örtügi-2

    CVD kremniy karbid örtügi-2

    CVD kremniý karbid örtügi 1. Näme üçin kremniy karbid örtügi bar Epitaksial gatlak epitaksial prosesiň üsti bilen wafliň esasynda ösdürilip ýetişdirilen belli bir hrustal inçe filmdir. Substrat wafli we epitaksial inçe film bilelikde epitaksial wafli diýilýär. Olaryň arasynda ...
    Dowamyny oka
  • SIK örtüginiň taýýarlanylyşy

    SIK örtüginiň taýýarlanylyşy

    Häzirki wagtda SiC örtüginiň taýýarlanyş usullary esasan gel-sol usuly, ornaşdyrmak usuly, çotga örtügi usuly, plazma pürkmek usuly, himiki bug reaksiýasy usuly (CVR) we himiki buglary çökdürmek usuly (CVD) öz içine alýar. Goýmak usulyBu usul ýokary temperaturaly gaty fazaly bir görnüş ...
    Dowamyny oka
  • CVD kremniy karbid örtügi-1

    CVD kremniy karbid örtügi-1

    CVD SiC Himiki bug çökdürmesi (CVD), ýokary arassa gaty materiallary öndürmek üçin ulanylýan wakuum çöketlik prosesi. Bu amal köplenç ýarymgeçiriji önümçilik meýdanynda wafliň üstünde inçe filmleri emele getirýär. CVD tarapyndan SiC taýýarlanylanda, substrat eks ...
    Dowamyny oka
  • SiC kristalynda ýerleşen gurluşyň rentgen topologiki şekillendiriş arkaly şöhlelenme simulýasiýasy arkaly derňewi

    SiC kristalynda ýerleşen gurluşyň rentgen topologiki şekillendiriş arkaly şöhlelenme simulýasiýasy arkaly derňewi

    Gözlegiň fon Silikon karbidiň (SiC) ulanylyşynyň ähmiýeti: Giň zolakly ýarymgeçiriji material hökmünde kremniy karbid ajaýyp elektrik aýratynlyklary sebäpli (has uly zolakly, ýokary elektron doýma tizligi we ýylylyk geçirijiligi ýaly) köp adamy özüne çekdi. Bu reklamalar ...
    Dowamyny oka
  • SiC ýekeje kristal ösüşinde tohum kristallaryny taýýarlamak prosesi 3

    SiC ýekeje kristal ösüşinde tohum kristallaryny taýýarlamak prosesi 3

    Ösüşi barlamakSilikon karbid (SiC) tohum kristallary görkezilen amaldan soň taýýarlandy we SiC kristal ösüşi arkaly tassyklandy. Ulanylan ösüş platformasy, 2200 growth ösüş temperaturasy, 200 Pa ösüş basyşy we ösmegi bilen öz-özünden ösen SiC induksiýa peçidi.
    Dowamyny oka
  • SiC ýeke kristal ösüşinde tohum kristalyny taýýarlamak prosesi (2-nji bölüm)

    SiC ýeke kristal ösüşinde tohum kristalyny taýýarlamak prosesi (2-nji bölüm)

    2. Synag prosesi 2.1 heselimleýji filmiň bejergisi Göni uglerod plyonkasyny döretmek ýa-da ýelim bilen örtülen SiC wafli bilen grafit kagyzy bilen baglanyşyk birnäçe meselä sebäp boldy: 1. Wakuum şertlerinde SiC waflerindäki ýelimleýji film, göwrümli görnüşe eýe boldy. gol çekmek ...
    Dowamyny oka
  • SiC ýeke kristal ösüşinde tohum kristallaryny taýýarlamak prosesi

    SiC ýeke kristal ösüşinde tohum kristallaryny taýýarlamak prosesi

    Silikon karbid (SiC) materialy giň geçirijilik, ýokary ýylylyk geçirijiligi, ýokary kritiki bölüniş meýdançasynyň güýji we ýokary doýgun elektron süýşme tizligi ýaly artykmaçlyklara eýe bolup, ýarymgeçiriji önümçilik pudagynda ýokary umyt döredýär. SiC ýeke kristallary köplenç öndürilýär ...
    Dowamyny oka
  • Wafli polat etmegiň usullary haýsylar?

    Wafli polat etmegiň usullary haýsylar?

    Çip döretmek bilen baglanyşykly ähli amallardan, wafliniň soňky ykbaly aýry-aýry ölülere bölünip, diňe birnäçe gysgyçly kiçijik ýapyk gutulara gaplanmalydyr. Çipiň bosagasy, garşylygy, tok we naprýa .eniýe bahalaryna görä baha berler, ýöne hiç kim pikir etmez ...
    Dowamyny oka
  • SiC epitaksial ösüş prosesiniň esasy giriş

    SiC epitaksial ösüş prosesiniň esasy giriş

    Epitaksial gatlak, epaksiýa prosesi bilen waflde ösdürilip ýetişdirilen belli bir hrustal filmdir we substrat wafli we epitaksial filme epitaksial wafli diýilýär. Geçiriji kremniý karbid substratynda kremniy karbid epitaksial gatlagyny ösdürip, kremniý karbid birmeňzeş epitaksial ...
    Dowamyny oka
  • Ondarymgeçiriji gaplama prosesiniň hiline gözegçilik etmegiň esasy nokatlary

    Ondarymgeçiriji gaplama prosesiniň hiline gözegçilik etmegiň esasy nokatlary

    Ondarymgeçirijiniň gaplanyş prosesinde hil gözegçiligi üçin esasy nokatlar Häzirki wagtda ýarymgeçiriji gaplamak üçin proses tehnologiýasy ep-esli gowulaşdy we optimallaşdyryldy. Şeýle-de bolsa, umumy nukdaýnazardan ýarymgeçirijini gaplamagyň amallary we usullary entek iň kämillik derejesine ýetmedi ...
    Dowamyny oka
  • Ondarymgeçirijiniň gaplama prosesindäki kynçylyklar

    Ondarymgeçirijiniň gaplama prosesindäki kynçylyklar

    Ondarymgeçirijini gaplamagyň häzirki usullary kem-kemden gowulaşýar, ýöne ýarymgeçiriji gaplamakda awtomatlaşdyrylan enjamlaryň we tehnologiýalaryň derejesi garaşylýan netijeleriň durmuşa geçirilmegini gönüden-göni kesgitleýär. Bar bolan ýarymgeçirijiniň gaplama amallary henizem ejir çekýär ...
    Dowamyny oka