Senagat habarlary

  • Tantal Karbid näme?

    Tantal Karbid näme?

    Tantal karbidi (TaC), tantal we uglerodyň ikilik birleşmesi bolup, TaC x himiki formulasy bolup, bu ýerde x adatça 0,4 bilen 1 arasynda üýtgeýär. Metall geçirijiligi bilen gaty gaty, döwük, çydamly keramiki materiallar. Olar goňur-çal tozanlar we biz ...
    Dowamyny oka
  • tantal karbid näme

    tantal karbid näme

    Tantal karbidi (TaC) ýokary temperatura garşylygy, ýokary dykyzlygy, ýokary ykjamlygy bilen aşa ýokary temperatura keramiki materialdyr; ýokary arassalyk, haramlyk mazmuny <5PPM; we ýokary temperaturada ammiak we wodorodyň himiki inertligi we gowy ýylylyk durnuklylygy. Ultra beýik diýilýän ...
    Dowamyny oka
  • Epitaksiýa näme?

    Epitaksiýa näme?

    In engineenerleriň köpüsi ýarymgeçiriji enjam öndürmekde möhüm rol oýnaýan epitaksiýa bilen tanyş däl. Epitaksi dürli çip önümlerinde ulanylyp bilner we dürli önümlerde epitaksiýanyň dürli görnüşleri bar, şol sanda Si epitaksi, SiC epitaksi, GaN epitaksi we ş.m. Epitaksi näme? Epitaksi ...
    Dowamyny oka
  • SiC-iň möhüm parametrleri haýsylar?

    SiC-iň möhüm parametrleri haýsylar?

    Silikon karbid (SiC) ýokary güýçli we ýokary ýygylykly elektron enjamlarynda giňden ulanylýan giň zolakly ýarymgeçiriji materialdyr. Aşakda kremniy karbid wafli käbir möhüm parametrleri we olaryň jikme-jik düşündirişleri: Paneliň parametrleri: ...
    Dowamyny oka
  • Näme üçin ýekeje kristal kremniniň togalanmagy zerur?

    Näme üçin ýekeje kristal kremniniň togalanmagy zerur?

    Rolling, kremniniň ýeke kristal çybygynyň daşky diametrini göwher ýylmaýjy tigir ulanyp, zerur diametriň ýekeje kristal çybygyna üwemek we tekiz gyrasy salgylanma ýüzüni ýa-da ýekeje kristal çybygyň ýerleşiş çyzygyny aňladýar. Daşarky diametri surfak ...
    Dowamyny oka
  • Qualityokary hilli SiC tozanlaryny öndürmek prosesi

    Qualityokary hilli SiC tozanlaryny öndürmek prosesi

    Silikon karbid (SiC) ajaýyp aýratynlyklary bilen tanalýan organiki däl birleşme. Moissanit diýlip atlandyrylýan tebigy ýagdaýda ýüze çykýan SiC gaty seýrek. Senagat goşundylarynda kremniy karbid esasan sintetiki usullar arkaly öndürilýär. Semicera ýarymgeçirijide öňdebaryjy tehnikany ulanýarys ...
    Dowamyny oka
  • Kristal çekilende radial garşylyk birmeňzeşligine gözegçilik etmek

    Kristal çekilende radial garşylyk birmeňzeşligine gözegçilik etmek

    Singleeke kristallaryň radial garşylygynyň birmeňzeşligine täsir edýän esasy sebäpler, gaty suwuk interfeýsiň tekizligi we kristal ulalanda kiçijik tekizligiň täsiri, gaty suwuk interfeýsiň tekizliginiň täsiri Kristal ulalanda, eremek deň derejede garylan bolsa , ...
    Dowamyny oka
  • Näme üçin magnit meýdany ýekeje kristal peç ýeke kristalyň hilini ýokarlandyryp biler?

    Näme üçin magnit meýdany ýekeje kristal peç ýeke kristalyň hilini ýokarlandyryp biler?

    Möhüm konteýner hökmünde ulanylýandygy we içerde konweksiýa barlygy sebäpli, öndürilen ýekeje kristalyň ululygy ulaldygyça, ýylylyk konweksiýasy we temperatura gradiýentiniň birmeňzeşligini dolandyrmak has kynlaşýar. Lorentz güýjüne geçiriji eriş hereketini etmek üçin magnit meýdany goşmak bilen, konweksiýa bolup biler ...
    Dowamyny oka
  • Sublimasiýa usuly bilen CVD-SiC köp çeşmesini ulanyp, SiC ýeke kristallarynyň çalt ösmegi

    Sublimasiýa usuly bilen CVD-SiC köp çeşmesini ulanyp, SiC ýeke kristallarynyň çalt ösmegi

    Sublimasiýa usuly arkaly CVD-SiC köpçülikleýin çeşmesini ulanyp, SiC ýeke kristalynyň çalt ösmegi, gaýtadan işlenen CVD-SiC bloklaryny SiC çeşmesi hökmünde ulanyp, SiC kristallary PVT usuly bilen 1,46 mm / sag tizlikde üstünlikli ösdürilip ýetişdirildi. Ulaldylan kristalyň mikrop turbasy we ýerleşiş dykyzlygy de ...
    Dowamyny oka
  • Silikon karbid epitaksial ösüş enjamlarynda optimallaşdyrylan we terjime edilen mazmun

    Silikon karbid epitaksial ösüş enjamlarynda optimallaşdyrylan we terjime edilen mazmun

    Silikon karbid (SiC) substratlarynda gönüden-göni gaýtadan işlemegiň öňüni alýan köp sanly kemçilikler bar. Çip wafli döretmek üçin, epitaksial proses arkaly SiC substratynda belli bir kristal film ösdürilmeli. Bu film epitaksial gatlak hökmünde bellidir. SiC enjamlarynyň hemmesi diýen ýaly epitaksialda amala aşyrylýar ...
    Dowamyny oka
  • Icarymgeçiriji önümçiliginde SiC bilen örtülen grafit duýgurlarynyň möhüm roly we ulanylyş ýagdaýlary

    Icarymgeçiriji önümçiliginde SiC bilen örtülen grafit duýgurlarynyň möhüm roly we ulanylyş ýagdaýlary

    Icarymgeçiriji ýarymgeçiriji dünýäde ýarymgeçiriji önümçilik enjamlary üçin esasy komponentleriň önümçiligini artdyrmagy meýilleşdirýär. 2027-nji ýyla çenli umumy bahasy 70 million ABŞ dollary bolan 20,000 inedördül metrlik täze zawod gurmagy maksat edinýäris. Esasy komponentlerimiziň biri, kremniy karbid (SiC) wafli karr ...
    Dowamyny oka
  • Näme üçin kremniniň wafli substratlarynda epitaksiýa etmeli?

    Näme üçin kremniniň wafli substratlarynda epitaksiýa etmeli?

    Ondarymgeçiriji senagat zynjyrynda, esasanam üçünji nesil ýarymgeçiriji (giň zolakly ýarymgeçiriji) önümçilik zynjyrynda substratlar we epitaksial gatlaklar bar. Epitaksial gatlagyň manysy näme? Substrat bilen substratyň arasynda näme tapawut bar? Substr ...
    Dowamyny oka