Tantal karbidi (TaC)ýokary eriş nokady, ýokary gatylygy, gowy himiki durnuklylygy, güýçli elektrik we ýylylyk geçirijiligi we ş.m. artykmaçlyklary bilen ýokary ýokary temperatura çydamly keramiki materialdyr.TaC örtükablasiýa çydamly örtük, okislenmä çydamly örtük we könelişme örtük hökmünde ulanylyp bilner we howa giňişligindäki ýylylyk goragynda, üçünji nesil ýarymgeçirijiniň ýeke kristal ösüşi, energiýa elektronikasy we beýleki ugurlarda giňden ulanylýar.
Amal:
Tantal karbidi (TaC)ýokary eriş nokadynyň, ýokary gatylygyň, gowy himiki durnuklylygyň, güýçli elektrik we ýylylyk geçirijiliginiň artykmaçlyklary bilen aşa ýokary temperatura çydamly keramiki materialdyr. Şonuň üçinTaC örtükablasiýa çydamly örtük, okislenmä çydamly örtük we könelişme örtük hökmünde ulanylyp bilner we howa giňişligindäki ýylylyk goragynda, üçünji nesil ýarymgeçirijiniň ýeke kristal ösüşi, energiýa elektronikasy we beýleki ugurlarda giňden ulanylýar.
Örtükleriň içki häsiýetnamasy:
Taýýarlamak üçin süzgüçli süzgüç usulyny ulanýarysTaC örtükleridürli ululykdaky grafit substratlarda dürli galyňlykda. Ilki bilen, Ta çeşmesini we C çeşmesini öz içine alýan ýokary arassa poroşok, birmeňzeş we durnukly deslapky süýümi emele getirmek üçin dispersant we baglaýjy bilen düzülendir. Şol bir wagtyň özünde, grafit bölekleriniň ululygyna we galyňlygynyň talaplaryna göräTaC örtük, örtük sepmek, guýmak, infiltrasiýa we beýleki görnüşler bilen taýýarlanýar. Ahyrynda, birmeňzeş, dykyz, bir fazaly we gowy kristal taýýarlamak üçin wakuum gurşawynda 2200 above-dan ýokary gyzdyrylýar.TaC örtük.

Örtükleriň içki häsiýetnamasy:
GalyňlygyTaC örtüktakmynan 10-50 μm, däneler erkin ugry ösdürýär we beýleki hapalar bolmazdan, bir fazaly ýüz merkezi kub gurluşy bolan TaC-dan durýar; örtük dykyz, gurluşy doly we kristallygy ýokarydyr.TaC örtükgrafitiň üstündäki gözenekleri dolduryp biler we ýokary baglanyşyk güýji bilen grafit matrisasyna himiki taýdan baglydyr. Örtükdäki Ta bilen C gatnaşygy 1: 1-e ýakyn. GDMS arassalygyny kesgitlemek standart ASTM F1593, haramlygyň konsentrasiýasy 121ppm-den az. Örtük profiliniň arifmetiki ortaça gyşarmasy (Ra) 662nm.

Umumy programmalar:
GaN weSiC epitaksialCVD reaktor komponentleri, wafli göterijiler, emeli hemra gap-gaçlary, duş kelleleri, ýokarky gapaklar we duýgurlar.
SiC, GaN we AlN kristal ösüş bölekleri, şol sanda haç çüýleri, tohum kristal saklaýjylary, akym gollanmalary we süzgüçler.
Çydamly ýyladyş elementleri, burunlar, gorag halkalary we ýalpyldawuk enjamlar ýaly senagat bölekleri.
Esasy aýratynlyklary:
00okary temperatura durnuklylygy 2600 at
H-iň himiki gurşawynda durnukly goragy üpjün edýär2, NH3, SiH4we Si bugy
Gysga önümçilik siklleri bilen köpçülikleýin önümçilik üçin amatly.



