“Semicera 3C-SiC Wafer Substrates” indiki nesil elektrik elektronikasy we ýokary ýygylykly enjamlar üçin ygtybarly platforma üpjün etmek üçin işlenip düzülendir. Iň ýokary ýylylyk aýratynlyklary we elektrik aýratynlyklary bilen bu substratlar häzirki zaman tehnologiýasynyň talaplaryna laýyk gelýär.
“Semicera Wafer Substrates” -iň 3C-SiC (Kub Silikon Karbid) gurluşy, beýleki ýarymgeçiriji materiallar bilen deňeşdirilende has ýokary ýylylyk geçirijiligini we pes ýylylyk giňelme koeffisiýentini goşmak bilen özboluşly artykmaçlyklary hödürleýär. Bu, aşa temperaturada we ýokary güýçli şertlerde işleýän enjamlar üçin ajaýyp saýlawy edýär.
Electricokary elektrik togunyň naprýa .eniýesi we ýokary himiki durnuklylygy bilen, Semicera 3C-SiC Wafer Substrates uzak wagtlap işlemegi we ygtybarlylygy üpjün edýär. Bu häsiýetler, ýokary netijelilik we çydamlylyk birinji orunda durýan ýokary ýygylykly radar, gaty yşyklandyryş we güýç inwertorlary ýaly programmalar üçin möhümdir.
“Semicera” -nyň hiline bolan ygrarlylygy, her topar boýunça birmeňzeşligi we yzygiderliligi üpjün edip, 3C-SiC Wafer Substratlarynyň çylşyrymly önümçilik prosesinde öz beýanyny tapdy. Bu takyklyk, üstünde gurlan elektron enjamlaryň umumy işlemegine we uzak ömrüne goşant goşýar.
“Semicera 3C-SiC Wafer Substrates” -i saýlap, öndürijiler has kiçi, has çalt we has netijeli elektron bölekleriniň ösmegine mümkinçilik berýän iň täze materiallara girip bilerler. “Semicera” ýarymgeçiriji pudagynyň ösýän talaplaryna laýyk gelýän ygtybarly çözgütleri hödürläp tehnologiki innowasiýalary goldamagy dowam etdirýär.
| Harytlar | Önümçilik | Gözleg | Dummy |
| Kristal parametrler | |||
| Politip | 4H | ||
| Faceerüsti ugrukdyryş säwligi | <11-20> 4 ± 0,15 ° | ||
| Elektrik parametrleri | |||
| Dopant | n görnüşli azot | ||
| Çydamlylyk | 0.015-0.025ohm · sm | ||
| Mehaniki parametrler | |||
| Diametri | 150.0 ± 0,2mm | ||
| Galyňlyk | 350 ± 25 μm | ||
| Esasy tekiz ugry | [1-100] ± 5 ° | ||
| Esasy tekiz uzynlyk | 47.5 ± 1,5mm | ||
| Ikinji kwartira | Hiç | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5mm * 5mm) |
| Aý | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Öň (Si-face) gödeklik (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Gurluşy | |||
| Mikrop turbanyň dykyzlygy | <1 ea / cm2 | <10 ea / cm2 | <15 ea / cm2 |
| Metal hapalar | ≤5E10atoms / cm2 | NA | |
| BPD | 001500 ea / cm2 | 0003000 ea / cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea / cm2 | 0001000 ea / cm2 | NA |
| Öň hili | |||
| Öň tarapy | Si | ||
| Faceerüsti gutarmak | Si-ýüzli CMP | ||
| Bölejikler | ≤60ea / wafli (ölçegi≥0.3μm) | NA | |
| Dyrnaklar | ≤5ea / mm. Jemi uzynlygy ≤Diameter | Jemi uzynlygy≤2 * Diametri | NA |
| Pyrtykal gabygy / çukur / tegmiller / çişmeler / çatryklar / hapalanma | Hiç | NA | |
| Gyrasy çipler / görkezijiler / döwük / alty sany plastinka | Hiç | ||
| Polip görnüşleri | Hiç | Jemi meýdany≤20% | Jemi meýdany ≤30% |
| Öňki lazer belligi | Hiç | ||
| Yzky hil | |||
| Yzyna | C ýüzli CMP | ||
| Dyrnaklar | ≤5ea / mm, Jemi uzynlygy≤2 * Diametri | NA | |
| Yzky kemçilikler (gyrasy çipler / görkezijiler) | Hiç | ||
| Yzky gödeklik | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Yzky lazer belligi | 1 mm (ýokarky gyradan) | ||
| Gyrasy | |||
| Gyrasy | Çamfer | ||
| Gaplamak | |||
| Gaplamak | Wakuum gaplamak bilen epi taýýar Köp wafli kaseta gaplamasy | ||
| * Bellikler NA "NA" haýyş ýok, agzalmadyk zatlar SEMI-STD-e degişli bolup bilmez. | |||
