Okislenmä garşy ýokary arassalyk SiC örtükli MOCVD gapagy

Gysga düşündiriş:

“Semicera Energy Technology Co., Ltd.”, wafli we ösen ýarymgeçiriji sarp ediş materiallary boýunça ýöriteleşen öňdebaryjy üpjün edijidir.Icarymgeçiriji önümçiligine ýokary hilli, ygtybarly we innowasiýa önümlerini bermäge bagyşlan,fotoelektrik pudagywe beýleki ugurlar.

Önümimiziň hataryna kremniý karbid, kremniý nitrid, alýumin oksidi we ş.m. ýaly dürli materiallary öz içine alýan SiC / TaC örtülen grafit önümleri we keramiki önümler girýär.

Ygtybarly üpjün ediji hökmünde, sarp ediş önümleriniň önümçilik prosesindäki ähmiýetine düşünýäris we müşderilerimiziň isleglerini kanagatlandyrmak üçin iň ýokary hilli standartlara laýyk gelýän önümleri eltmäge borçlanýarys.

 

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Düşündiriş

Biziň kompaniýamyz üpjün edýärSiC örtükgrafit, keramika we beýleki materiallaryň üstünde CVD usuly bilen işlemek, uglerod we kremnini öz içine alýan ýörite gazlar ýokary temperaturada täsir edip, ýokary arassalyk SiC molekulalaryny, örtülen materiallaryň üstünde goýlan molekulalary emele getirýär.SIK gorag gatlagy.

 

Esasy aýratynlyklary

1. temperatureokary temperaturaly okislenme garşylygy:
oksidlenme garşylygy, temperatura 1600 C-den ýokary bolanda henizem gaty gowy.
2. purokary arassalygy: ýokary temperatura hlorlaşma şertinde himiki bug çökdürilmegi bilen öndürilýär.
3. Eroziýa garşylygy: ýokary gatylyk, ykjam ýer, inçe bölejikler.
4. Poslama garşylyk: kislota, aşgar, duz we organiki reagentler.

CVD-SIC örtüginiň esasy aýratynlyklary

SiC-CVD häsiýetleri
Kristal gurluş FCC β tapgyry
Dykyzlygy g / sm ³ 3.21
Gatylyk Wikers gatylygy 2500
Galla ölçegi μm 2 ~ 10
Himiki arassalyk % 99.99995
Atylylyk kuwwaty J · kg-1 · K-1 640
Sublimasiýa temperaturasy 2700
Felexural güýç MPa (RT 4 bal) 415
Youngaş modul Gpa (4pt egilmek, 1300 ℃) 430
Malylylyk giňelişi (CTE) 10-6K-1 4.5
Malylylyk geçirijiligi (W / mK) 300
MOKVD EPITAXIAL BÖLÜMLERI
MOCVD disk

Kompaniýanyň tertibi

“Semicera Energy” Hytaýda kremniy karbid bilen örtülen epitaksial list paletlerini öndürijilerden we üpjün edijilerden biridir.Esasy önümlerimiz: Silikon karbid et plitalary, kremniy karbid gaýyk tirkegleri,kremniy karbid wafli gaýyklary(PV we ýarymgeçiriji), kremniy karbid peç turbalary,kremniy karbid kantilewer paddelleri, kremniy karbid çuklary, kremniy karbid şöhleleri, şeýle hemCVD SiC örtükleriwe TaC örtükleri.

Önümler esasan ýarymgeçiriji we fotoelektrik pudaklarynda ulanylýar, meselem, hrustal ösüş, epitaksiýa, efirlemek, gaplamak, örtük we diffuziýa peç enjamlary.Zawodymyzdan arzan bahadan SIC örtükli epitaksial list paletlerini satyn alyň.Biziň öz markamyz bar we köpüsini goldaýarys.Önümlerimiz bilen gyzyklanýan bolsaňyz, arzan bahany bereris.Iň ýokary hilli arzan önümlerimize hoş geldiňiz.

Kompaniýamyzda önüm öndürmegiň ähli zerur baglanyşyklaryny tamamlap bilýän we önümiň hiline has ýokary gözegçilik edip bilýän galyp, sintezlemek, gaýtadan işlemek, örtük enjamlary we ş.m. ýaly doly önümçilik enjamlary bar;Iň amatly önümçilik meýilnamasy, önümiň zerurlyklaryna görä saýlanyp bilner, netijede arzan bahadan we müşderilere has bäsdeşlik önümleri bilen üpjün ediler;Müşderilere has çalt we kepillendirilen gowşuryş wagtyny üpjün edip, sargyt gowşuryş talaplaryna esaslanyp we onlaýn sargyt dolandyryş ulgamlary bilen bilelikde önümçiligi çeýe we netijeli tertipläp bileris.
hakda (2)

Enjamlar

hakda


  • Öňki:
  • Indiki: