“Semicera” -nyň 4 “6” ýarym izolýasiýa SiC substraty, RF we güýç enjamlary goýmalarynyň berk talaplaryna laýyk gelýän ýokary hilli materialdyr. Substrat ajaýyp ýylylyk geçirijiligini we kremniy karbidiň ýokary bölüniş naprýa .eniýesini ýarym izolýasiýa häsiýetleri bilen birleşdirip, ösen ýarymgeçiriji enjamlary ösdürmek üçin iň amatly saýlama bolýar.
4 "6" ýarym izolýasiýa SiC substraty ýokary arassalyk materialyny we yzygiderli ýarym izolýasiýa öndürijiligini üpjün etmek üçin seresaplylyk bilen öndürilýär. Bu substratyň güýçlendirijiler we tranzistorlar ýaly RF enjamlarynda zerur elektrik izolýasiýasyny üpjün etmegini, şeýle hem ýokary güýçli programmalar üçin zerur ýylylyk netijeliligini üpjün edýär. Netijede ýokary öndürijilikli elektron önümleriniň giň toplumynda ulanyp boljak köpugurly substrat.
“Semicera” möhüm ýarymgeçiriji programmalar üçin ygtybarly, kemçiliksiz substratlar bilen üpjün etmegiň möhümdigini kabul edýär. 4 "6" ýarym izolýasiýa SiC substratymyz, kristal kemçilikleri azaldýan we material birmeňzeşligini ýokarlandyrýan ösen önümçilik usullaryndan peýdalanyp öndürilýär. Bu önüme ösen öndürijiligi, durnuklylygy we ömri bilen enjamlaryň öndürilmegini goldamaga mümkinçilik berýär.
“Semicera” -nyň hiline bolan ygrarlylygy, 4 “6” ýarym izolýasiýa SiC substraty, amaly programmalaryň köpüsinde ygtybarly we yzygiderli öndürijiligi üpjün edýär. Highokary ýygylykly enjamlary ýa-da energiýa tygşytlaýjy çözgütleri ösdürýärsiňizmi, ýarym izolýasiýa edýän SiC substratlarymyz indiki nesil elektronikasynyň üstünlik gazanmagyna esas döredýär.
Esasy parametrler
| Ölçegi | 6 dýuým | 4 dýuým |
| Diametri | 150.0mm + 0mm / -0.2mm | 100.0mm + 0mm / -0.5mm |
| Faceerüsti ugrukdyrma | {0001} ± 0.2 ° | |
| Esasy kwartira | / | <1120> ± 5 ° |
| SecondaryFlat ugry | / | Silikon ýüzbe-ýüz: “Prime” tekizliginden 90 ° CW 士 5 ° |
| Esasy tekizlik uzynlygy | / | 32,5 mm 士 2,0 mm |
| Ikinji tekizlik uzynlygy | / | 18.0 mm 士 2,0 mm |
| Kesgitleme ugry | <1100> ± 1.0 ° | / |
| Kesgitleme ugry | 1,0mm + 0,25 mm / -0.00 mm | / |
| Kesgit burçy | 90 ° + 5 ° / -1 ° | / |
| Galyňlyk | 500.0um 士 25.0um | |
| Geçiriji görnüş | Insarym izolýasiýa | |
Kristal hil maglumatlary
| ltem | 6 dýuým | 4 dýuým |
| Çydamlylyk | ≥1E9Q · sm | |
| Politip | Hiç kim rugsat bermedi | |
| Mikrop turbanyň dykyzlygy | ≤0.5 / cm2 | ≤0.3 / cm2 |
| Hexokary intensiwlik bilen alty plastinka | Hiç kim rugsat bermedi | |
| Highokary derejede wizual uglerod goşulmalary | Jemi meýdany≤0.05% | |
Çydamlylyk contact Kontakt däl sahypanyň garşylygy bilen synag edilýär.
Mikrop turbanyň dykyzlygy
