“Semicera” -nyň 4 inç ýokary arassalygy ýarym izolýasiýa (HPSI) SiC goşa taraply ýalpyldawuk wafli substratlar ýarymgeçiriji pudagynyň talaplaryny kanagatlandyrmak üçin ýasaldy. Bu substratlar ajaýyp tekizlik we arassalyk bilen işlenip, häzirki zaman elektron enjamlary üçin iň amatly platforma hödürleýär.
Bu HPSI SiC wafli ýokary ýylylyk geçirijiligi we elektrik izolýasiýa häsiýetleri bilen tapawutlanýar, olary ýokary ýygylykly we ýokary güýçli programmalar üçin ajaýyp saýlama edýär. Iki taraplaýyn ýalpyldawuk enjam, enjamyň işleýşini we uzak ömrüni ýokarlandyrmak üçin möhüm ähmiýete eýe bolan ýerüsti çişligi üpjün edýär.
“Semicera” -yň “SiC” wafli arassalygy kemçilikleri we hapalary azaldýar, has ýokary öndürijilik derejesine we enjamyň ygtybarlylygyna getirýär. Bu substratlar takyklyk we çydamlylyk zerur bolan mikrotolkun enjamlary, elektrik elektronikasy we LED tehnologiýalary ýaly köp sanly programma üçin amatlydyr.
Täzeliklere we hiline ünsi jemläp, “Semicera” häzirki zaman elektronikasynyň berk talaplaryna laýyk gelýän wafli öndürmek üçin ösen önümçilik usullaryny ulanýar. Iki taraplaýyn ýalpyldawuklyk diňe bir mehaniki güýji ýokarlandyrman, eýsem beýleki ýarymgeçiriji materiallar bilen has gowy birleşmegi hem aňsatlaşdyrýar.
“Semicera” -nyň 4 dýuým ýokary arassalygy ýarym izolýasiýa HPSI SiC goşa gaplanan polat wafli substratlaryny saýlamak bilen, öndürijiler has täsirli we güýçli elektron enjamlarynyň ösmegine ýol açyp, güýçlendirilen ýylylyk dolandyryşynyň we elektrik izolýasiýasynyň artykmaçlyklaryndan peýdalanyp bilerler. “Semicera” hil we tehnologiki ösüşe ygrarlylygy bilen pudaga öňdebaryjylygyny dowam etdirýär.
| Harytlar | Önümçilik | Gözleg | Dummy |
| Kristal parametrler | |||
| Politip | 4H | ||
| Faceerüsti ugrukdyryş säwligi | <11-20> 4 ± 0,15 ° | ||
| Elektrik parametrleri | |||
| Dopant | n görnüşli azot | ||
| Çydamlylyk | 0.015-0.025ohm · sm | ||
| Mehaniki parametrler | |||
| Diametri | 150.0 ± 0,2mm | ||
| Galyňlyk | 350 ± 25 μm | ||
| Esasy tekiz ugry | [1-100] ± 5 ° | ||
| Esasy tekiz uzynlyk | 47.5 ± 1,5mm | ||
| Ikinji kwartira | Hiç | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5mm * 5mm) |
| Aý | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Öň (Si-face) gödeklik (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Gurluşy | |||
| Mikrop turbanyň dykyzlygy | <1 ea / cm2 | <10 ea / cm2 | <15 ea / cm2 |
| Metal hapalar | ≤5E10atoms / cm2 | NA | |
| BPD | 001500 ea / cm2 | 0003000 ea / cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea / cm2 | 0001000 ea / cm2 | NA |
| Öň hili | |||
| Öň tarapy | Si | ||
| Faceerüsti gutarmak | Si-ýüzli CMP | ||
| Bölejikler | ≤60ea / wafli (ölçegi≥0.3μm) | NA | |
| Dyrnaklar | ≤5ea / mm. Jemi uzynlygy ≤Diameter | Jemi uzynlygy≤2 * Diametri | NA |
| Pyrtykal gabygy / çukur / tegmiller / çişmeler / çatryklar / hapalanma | Hiç | NA | |
| Gyrasy çipler / görkezijiler / döwük / alty sany plastinka | Hiç | ||
| Polip görnüşleri | Hiç | Jemi meýdany≤20% | Jemi meýdany ≤30% |
| Öňki lazer belligi | Hiç | ||
| Yzky hil | |||
| Yzyna | C ýüzli CMP | ||
| Dyrnaklar | ≤5ea / mm, Jemi uzynlygy≤2 * Diametri | NA | |
| Yzky kemçilikler (gyrasy çipler / görkezijiler) | Hiç | ||
| Yzky gödeklik | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Yzky lazer belligi | 1 mm (ýokarky gyradan) | ||
| Gyrasy | |||
| Gyrasy | Çamfer | ||
| Gaplamak | |||
| Gaplamak | Wakuum gaplamak bilen epi taýýar Köp wafli kaseta gaplamasy | ||
| * Bellikler NA "NA" haýyş ýok, agzalmadyk zatlar SEMI-STD-e degişli bolup bilmez. | |||
