4 inç ýokary arassalyk ýarym izolýasiýa HPSI SiC goşa gaplanan polat wafli substraty

Gysga düşündiriş:

“Semicera” -nyň 4 dýuým ýokary arassalygy ýarym izolýasiýa (HPSI) SiC goşa taraply ýalpyldawuk wafer substratlary ýokary elektron öndürijiligi üçin takyk işlenip düzülendir. Bu wafli ajaýyp ýarymgeçiriji amaly üçin amatly ýylylyk geçirijiligini we elektrik izolýasiýasyny üpjün edýär. Deňi-taýy bolmadyk hil we wafli tehnologiýasyndaky täzelik üçin “Semicera” -a ynan.


Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

“Semicera” -nyň 4 inç ýokary arassalygy ýarym izolýasiýa (HPSI) SiC goşa taraply ýalpyldawuk wafli substratlar ýarymgeçiriji pudagynyň talaplaryny kanagatlandyrmak üçin ýasaldy. Bu substratlar ajaýyp tekizlik we arassalyk bilen işlenip, häzirki zaman elektron enjamlary üçin amatly platforma hödürleýär.

Bu HPSI SiC wafli ýokary ýylylyk geçirijiligi we elektrik izolýasiýa häsiýetleri bilen tapawutlanýar, olary ýokary ýygylykly we ýokary güýçli programmalar üçin ajaýyp saýlama edýär. Iki taraplaýyn ýalpyldawuk enjam, enjamyň işleýşini we uzak ömrüni ýokarlandyrmak üçin möhüm ähmiýete eýe bolan ýerüsti çişligi üpjün edýär.

“Semicera” -yň “SiC” wafli arassalygy kemçilikleri we hapalary azaldýar, has ýokary öndürijilik derejesine we enjamyň ygtybarlylygyna getirýär. Bu substratlar takyklyk we çydamlylyk zerur bolan mikrotolkun enjamlary, elektrik elektronikasy we LED tehnologiýalary ýaly köp sanly programma üçin amatlydyr.

Täzeliklere we hiline ünsi jemläp, “Semicera” häzirki zaman elektronikasynyň berk talaplaryna laýyk gelýän wafli öndürmek üçin ösen önümçilik usullaryny ulanýar. Iki taraplaýyn ýalpyldawuklyk diňe bir mehaniki güýji ýokarlandyrman, eýsem beýleki ýarymgeçiriji materiallar bilen has gowy birleşmegi hem aňsatlaşdyrýar.

“Semicera” -nyň 4 dýuým ýokary arassalygy ýarym izolýasiýa HPSI SiC goşa gaplanan polat wafli substratlaryny saýlamak bilen, öndürijiler has täsirli we güýçli elektron enjamlarynyň ösmegine ýol açyp, güýçlendirilen ýylylyk dolandyryşynyň we elektrik izolýasiýasynyň artykmaçlyklaryndan peýdalanyp bilerler. “Semicera” hil we tehnologiki ösüşe ygrarlylygy bilen pudaga öňdebaryjylygyny dowam etdirýär.

Harytlar

Önümçilik

Gözleg

Dummy

Kristal parametrler

Politip

4H

Faceerüsti ugrukdyryş säwligi

<11-20> 4 ± 0,15 °

Elektrik parametrleri

Dopant

n görnüşli azot

Çydamlylyk

0.015-0.025ohm · sm

Mehaniki parametrler

Diametri

150.0 ± 0,2mm

Galyňlyk

350 ± 25 μm

Esasy tekiz ugry

[1-100] ± 5 °

Esasy tekiz uzynlyk

47.5 ± 1,5mm

Ikinji kwartira

Hiç

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5mm * 5mm)

≤5 μm (5mm * 5mm)

≤10 μm (5mm * 5mm)

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Warp

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Öň (Si-face) gödeklik (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm * 5μm)

Gurluşy

Mikrop turbanyň dykyzlygy

<1 ea / cm2

<10 ea / cm2

<15 ea / cm2

Metal hapalar

≤5E10atoms / cm2

NA

BPD

001500 ea / cm2

0003000 ea / cm2

NA

TSD

≤500 ea / cm2

0001000 ea / cm2

NA

Öň hili

Öň tarapy

Si

Faceerüsti gutarmak

Si-ýüzli CMP

Bölejikler

≤60ea / wafli (ölçegi≥0.3μm)

NA

Dyrnaklar

≤5ea / mm. Jemi uzynlygy ≤Diameter

Jemi uzynlygy≤2 * Diametri

NA

Pyrtykal gabygy / çukur / tegmiller / çişmeler / çatryklar / hapalanma

Hiç

NA

Gyrasy çipler / görkezijiler / döwük / alty sany plastinka

Hiç

Polip görnüşleri

Hiç

Jemi meýdany≤20%

Jemi meýdany ≤30%

Öňki lazer belligi

Hiç

Yzky hil

Yzyna

C ýüzli CMP

Dyrnaklar

≤5ea / mm, Jemi uzynlygy≤2 * Diametri

NA

Yzky kemçilikler (gyrasy çipler / görkezijiler)

Hiç

Yzky gödeklik

Ra≤0.2nm (5μm * 5μm)

Yzky lazer belligi

1 mm (ýokarky gyradan)

Gyrasy

Gyrasy

Çamfer

Gaplamak

Gaplamak

Wakuum gaplamak bilen epi taýýar

Köp wafli kaseta gaplamasy

* Bellikler NA "NA" haýyş ýok, agzalmadyk zatlar SEMI-STD-e degişli bolup bilmez.

tech_1_2_size
SiC wafli

  • Öňki:
  • Indiki: