4 ″ 6 ″ Pokary arassalyk ýarym izolýasiýa SiC Ingot

Gysga düşündiriş:

“Semicera” -nyň 4 “6” Pokary arassalygy ýarym izolýasiýa SiC Ingots ösen elektron we optoelektroniki programmalar üçin içgin taýýarlanýar. Iň ýokary ýylylyk geçirijiligini we elektrik garşylygyny görkezýän bu ingotlar ýokary öndürijilikli enjamlar üçin berk binýady üpjün edýär. “Semicera” her önümde yzygiderli hil we ygtybarlylygy üpjün edýär.


Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

“Semicera” -yň 4 “6” Pokary arassalygy ýarym izolýasiýa SiC Ingots ýarymgeçiriji pudagynyň takyk standartlaryna laýyk gelýär. Bu goşundylar arassalyga we yzygiderlilige ünsi jemläp öndürilýär, öndürijilik birinji orunda durýan ýokary güýçli we ýokary ýygylykly programmalar üçin iň gowy saýlama bolýar.

Siokary ýylylyk geçirijiligi we ajaýyp elektrik garşylygy ýaly bu SiC ingotlarynyň özboluşly aýratynlyklary, olary elektrik elektronikasynda we mikrotolkun enjamlarynda ulanmak üçin aýratyn amatly edýär. Olaryň ýarym izolýasiýa häsiýeti, ýylylygyň netijeli ýaýramagyna we iň az elektrik päsgelçiligine mümkinçilik döredýär, bu bolsa has täsirli we ygtybarly komponentlere alyp barýar.

“Semicera” ajaýyp kristal hili we birmeňzeşligi bilen ingot öndürmek üçin iň häzirki zaman önümçilik proseslerini ulanýar. Bu takyklyk, her ýygymyň ýokary ýygylykly güýçlendirijiler, lazer diodlary we beýleki optoelektron enjamlary ýaly duýgur programmalarda ygtybarly ulanylmagyny üpjün edýär.

4 dýuým we 6 dýuým ululykda bar bolan “Semicera” -yň SiC ingotlary dürli önümçilik terezisi we tehnologiki talaplar üçin zerur çeýeligi üpjün edýär. Gözleg we ösüş ýa-da köpçülikleýin önümçilik üçin bolsun, bu goşundylar häzirki zaman elektron ulgamlarynyň talap edýän öndürijiligini we berkligini üpjün edýär.

“Semicera” -nyň ýokary arassalygy ýarym izolýasiýa ediji “SiC Ingots” -y saýlap, ösen material ylymlaryny deňsiz-taýsyz önümçilik tejribesi bilen birleşdirýän önüme maýa goýýarsyňyz. “Semicera”, häzirki zaman elektron enjamlaryny ösdürmäge mümkinçilik berýän materiallary hödürläp, ýarymgeçiriji pudagyň täzeligini we ösüşini goldamaga bagyşlanýar.

Harytlar

Önümçilik

Gözleg

Dummy

Kristal parametrler

Politip

4H

Faceerüsti ugrukdyryş säwligi

<11-20> 4 ± 0,15 °

Elektrik parametrleri

Dopant

n görnüşli azot

Çydamlylyk

0.015-0.025ohm · sm

Mehaniki parametrler

Diametri

150.0 ± 0,2mm

Galyňlyk

350 ± 25 μm

Esasy tekiz ugry

[1-100] ± 5 °

Esasy tekiz uzynlyk

47.5 ± 1,5mm

Ikinji kwartira

Hiç

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5mm * 5mm)

≤5 μm (5mm * 5mm)

≤10 μm (5mm * 5mm)

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Warp

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Öň (Si-face) gödeklik (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm * 5μm)

Gurluşy

Mikrop turbanyň dykyzlygy

<1 ea / cm2

<10 ea / cm2

<15 ea / cm2

Metal hapalar

≤5E10atoms / cm2

NA

BPD

001500 ea / cm2

0003000 ea / cm2

NA

TSD

≤500 ea / cm2

0001000 ea / cm2

NA

Öň hili

Öň tarapy

Si

Faceerüsti gutarmak

Si-ýüzli CMP

Bölejikler

≤60ea / wafli (ölçegi≥0.3μm)

NA

Dyrnaklar

≤5ea / mm. Jemi uzynlygy ≤Diameter

Jemi uzynlygy≤2 * Diametri

NA

Pyrtykal gabygy / çukur / tegmiller / çişmeler / çatryklar / hapalanma

Hiç

NA

Gyrasy çipler / görkezijiler / döwük / alty sany plastinka

Hiç

Polip görnüşleri

Hiç

Jemi meýdany≤20%

Jemi meýdany ≤30%

Öňki lazer belligi

Hiç

Yzky hil

Yzyna

C ýüzli CMP

Dyrnaklar

≤5ea / mm, Jemi uzynlygy≤2 * Diametri

NA

Yzky kemçilikler (gyrasy çipler / görkezijiler)

Hiç

Yzky gödeklik

Ra≤0.2nm (5μm * 5μm)

Yzky lazer belligi

1 mm (ýokarky gyradan)

Gyrasy

Gyrasy

Çamfer

Gaplamak

Gaplamak

Wakuum gaplamak bilen epi taýýar

Köp wafli kaseta gaplamasy

* Bellikler NA "NA" haýyş ýok, agzalmadyk zatlar SEMI-STD-e degişli bolup bilmez.

tech_1_2_size
SiC wafli

  • Öňki:
  • Indiki: