6 Inç N görnüşli SiC Wafer

Gysga düşündiriş:

“Semicera” -nyň 6 inç N görnüşli “SiC Wafer” ajaýyp ýylylyk geçirijiligini we ýokary elektrik meýdany güýjüni hödürleýär we bu güýç we RF enjamlary üçin has gowy saýlama bolýar. Senagatyň talaplaryny kanagatlandyrmak üçin niýetlenen bu wafli, “Semicera” -nyň ýarymgeçiriji materiallarda hil we täzeliklere ygrarlydygyny görkezýär.


Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

“Semicera” -yň 6 inç N görnüşli “SiC Wafer” ýarymgeçiriji tehnologiýasynyň başynda durýar. Iň amatly öndürijilik üçin döredilen bu wafli, ösen elektron enjamlary üçin zerur bolan ýokary güýçli, ýokary ýygylykly we ýokary temperaturaly programmalarda has ýokarydyr.

6 Inch N görnüşli SiC wafli, MOSFET, diod we beýleki komponentler ýaly güýç enjamlary üçin möhüm parametrler bolan ýokary elektron hereketliligi we pes garşylygy bar. Bu häsiýetler, energiýanyň netijeli öwrülmegini we ýylylyk öndürilişiniň azalmagyny üpjün edýär, elektron ulgamlaryň işleýşini we ömrüni ýokarlandyrýar.

“Semicera” -nyň berk hil gözegçilik amallary, her SiC wafli ajaýyp ýer tekizligini we minimal kemçiliklerini saklamagy üpjün edýär. Jikme-jikliklere bu ünsli üns, wafli awtoulag, howa we telekommunikasiýa ýaly pudaklaryň berk talaplaryna laýyk gelmegini üpjün edýär.

Iň ýokary elektrik aýratynlyklaryndan başga-da, N görnüşli SiC wafli berk ýylylyk durnuklylygyny we ýokary temperatura garşylygy hödürleýär, adaty materiallaryň işlemeýän ýerleri üçin amatly edýär. Bu mümkinçilik, ýokary ýygylykly we ýokary güýçli amallar bilen baglanyşykly programmalarda aýratyn möhümdir.

“Semicera” -yň 6 Inch N görnüşli SiC Waferini saýlap, ýarymgeçiriji innowasiýasynyň iň ýokary derejesini görkezýän önüme maýa goýýarsyňyz. Dürli pudaklardaky hyzmatdaşlarymyzyň tehnologiki ösüşleri üçin iň oňat materiallara elýeterliligini üpjün etmek üçin iň täze enjamlar üçin gurluşyk bloklaryny bermäge borçlanýarys.

Harytlar

Önümçilik

Gözleg

Dummy

Kristal parametrler

Politip

4H

Faceerüsti ugrukdyryş säwligi

<11-20> 4 ± 0,15 °

Elektrik parametrleri

Dopant

n görnüşli azot

Çydamlylyk

0.015-0.025ohm · sm

Mehaniki parametrler

Diametri

150.0 ± 0,2mm

Galyňlyk

350 ± 25 μm

Esasy tekiz ugry

[1-100] ± 5 °

Esasy tekiz uzynlyk

47.5 ± 1,5mm

Ikinji kwartira

Hiç

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5mm * 5mm)

≤5 μm (5mm * 5mm)

≤10 μm (5mm * 5mm)

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Warp

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Öň (Si-face) gödeklik (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm * 5μm)

Gurluşy

Mikrop turbanyň dykyzlygy

<1 ea / cm2

<10 ea / cm2

<15 ea / cm2

Metal hapalar

≤5E10atoms / cm2

NA

BPD

001500 ea / cm2

0003000 ea / cm2

NA

TSD

≤500 ea / cm2

0001000 ea / cm2

NA

Öň hili

Öň tarapy

Si

Faceerüsti gutarmak

Si-ýüzli CMP

Bölejikler

≤60ea / wafli (ölçegi≥0.3μm)

NA

Dyrnaklar

≤5ea / mm. Jemi uzynlygy ≤Diameter

Jemi uzynlygy≤2 * Diametri

NA

Pyrtykal gabygy / çukur / tegmiller / çişmeler / çatryklar / hapalanma

Hiç

NA

Gyrasy çipler / görkezijiler / döwük / alty sany plastinka

Hiç

Polip görnüşleri

Hiç

Jemi meýdany≤20%

Jemi meýdany ≤30%

Öňki lazer belligi

Hiç

Yzky hil

Yzyna

C ýüzli CMP

Dyrnaklar

≤5ea / mm, Jemi uzynlygy≤2 * Diametri

NA

Yzky kemçilikler (gyrasy çipler / görkezijiler)

Hiç

Yzky gödeklik

Ra≤0.2nm (5μm * 5μm)

Yzky lazer belligi

1 mm (ýokarky gyradan)

Gyrasy

Gyrasy

Çamfer

Gaplamak

Gaplamak

Wakuum gaplamak bilen epi taýýar

Köp wafli kaseta gaplamasy

* Bellikler NA "NA" haýyş ýok, agzalmadyk zatlar SEMI-STD-e degişli bolup bilmez.

tech_1_2_size
SiC wafli

  • Öňki:
  • Indiki: