“Semicera” -yň 6 inç N görnüşli “SiC Wafer” ýarymgeçiriji tehnologiýasynyň başynda durýar. Iň amatly öndürijilik üçin döredilen bu wafli, ösen elektron enjamlary üçin zerur bolan ýokary güýçli, ýokary ýygylykly we ýokary temperaturaly programmalarda has ýokarydyr.
6 Inch N görnüşli SiC wafli, MOSFET, diod we beýleki komponentler ýaly güýç enjamlary üçin möhüm parametrler bolan ýokary elektron hereketliligi we pes garşylygy bar. Bu häsiýetler, energiýanyň netijeli öwrülmegini we ýylylyk öndürilişiniň azalmagyny üpjün edýär, elektron ulgamlaryň işleýşini we ömrüni ýokarlandyrýar.
“Semicera” -yň berk hil gözegçilik amallary, her SiC wafli ajaýyp ýer tekizligini we minimal kemçiliklerini saklamagy üpjün edýär. Jikme-jikliklere bu ünsli üns, wafli awtoulag, howa we telekommunikasiýa ýaly pudaklaryň berk talaplaryna laýyk gelmegini üpjün edýär.
Iň ýokary elektrik aýratynlyklaryndan başga-da, N görnüşli SiC wafli berk termiki durnuklylygy we ýokary temperatura garşylygy hödürleýär, adaty materiallaryň işlemeýän ýerleri üçin amatly edýär. Bu mümkinçilik, ýokary ýygylykly we ýokary güýçli amallar bilen baglanyşykly programmalarda aýratyn möhümdir.
“Semicera” -nyň 6 Inch N görnüşli SiC Waferini saýlap, ýarymgeçiriji innowasiýasynyň iň ýokary derejesini görkezýän önüme maýa goýýarsyňyz. Dürli pudaklardaky hyzmatdaşlarymyzyň tehnologiki ösüşleri üçin iň oňat materiallara elýeterliligini üpjün etmek üçin iň täze enjamlar üçin gurluşyk bloklaryny bermäge borçlanýarys.
| Harytlar | Önümçilik | Gözleg | Dummy |
| Kristal parametrler | |||
| Politip | 4H | ||
| Faceerüsti ugrukdyryş säwligi | <11-20> 4 ± 0,15 ° | ||
| Elektrik parametrleri | |||
| Dopant | n görnüşli azot | ||
| Çydamlylyk | 0.015-0.025ohm · sm | ||
| Mehaniki parametrler | |||
| Diametri | 150.0 ± 0,2mm | ||
| Galyňlyk | 350 ± 25 μm | ||
| Esasy tekiz ugry | [1-100] ± 5 ° | ||
| Esasy tekiz uzynlyk | 47.5 ± 1,5mm | ||
| Ikinji kwartira | Hiç | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5mm * 5mm) |
| Aý | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Öň (Si-face) gödeklik (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Gurluşy | |||
| Mikrop turbanyň dykyzlygy | <1 ea / cm2 | <10 ea / cm2 | <15 ea / cm2 |
| Metal hapalar | ≤5E10atoms / cm2 | NA | |
| BPD | 001500 ea / cm2 | 0003000 ea / cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea / cm2 | 0001000 ea / cm2 | NA |
| Öň hili | |||
| Öň tarapy | Si | ||
| Faceerüsti gutarmak | Si-ýüzli CMP | ||
| Bölejikler | ≤60ea / wafli (ölçegi≥0.3μm) | NA | |
| Dyrnaklar | ≤5ea / mm. Jemi uzynlygy ≤Diameter | Jemi uzynlygy≤2 * Diametri | NA |
| Pyrtykal gabygy / çukur / tegmiller / çişmeler / çatryklar / hapalanma | Hiç | NA | |
| Gyrasy çipler / görkezijiler / döwük / alty sany plastinka | Hiç | ||
| Polip görnüşleri | Hiç | Jemi meýdany≤20% | Jemi meýdany ≤30% |
| Öňki lazer belligi | Hiç | ||
| Yzky hil | |||
| Yzyna | C ýüzli CMP | ||
| Dyrnaklar | ≤5ea / mm, Jemi uzynlygy≤2 * Diametri | NA | |
| Yzky kemçilikler (gyrasy çipler / görkezijiler) | Hiç | ||
| Yzky gödeklik | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Yzky lazer belligi | 1 mm (ýokarky gyradan) | ||
| Gyrasy | |||
| Gyrasy | Çamfer | ||
| Gaplamak | |||
| Gaplamak | Wakuum gaplamak bilen epi taýýar Köp wafli kaseta gaplamasy | ||
| * Bellikler NA "NA" haýyş ýok, agzalmadyk zatlar SEMI-STD-e degişli bolup bilmez. | |||
