6 Inç ýarym izolýasiýa HPSI SiC Wafer

Gysga düşündiriş:

“Semicera” -yň 6 inç ýarym izolýasiýa HPSI SiC wafli ýokary öndürijilikli elektronikada iň ýokary netijelilik we ygtybarlylyk üçin işlenip düzülendir. Bu wafli ajaýyp ýylylyk we elektrik aýratynlyklaryny özünde jemleýär, olary dürli enjamlar, şol sanda güýç enjamlary we ýokary ýygylykly elektronika üçin amatly edýär. Iň ýokary hilli we täzelik üçin Semicera saýlaň.


Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

“Semicera” -yň 6 inç ýarym izolýasiýa HPSI SiC wafli häzirki zaman ýarymgeçiriji tehnologiýasynyň berk talaplaryny kanagatlandyrmak üçin döredildi. Ajaýyp arassalygy we yzygiderliligi bilen bu wafli ýokary netijelilikli elektron böleklerini ösdürmek üçin ygtybarly esas bolup hyzmat edýär.

Bu HPSI SiC wafli, ajaýyp ýylylyk geçirijiligi we elektrik izolýasiýasy bilen tanalýar, bu güýç enjamlarynyň we ýokary ýygylykly zynjyrlaryň işleýşini gowulandyrmak üçin möhüm ähmiýete eýe. Insarym izolýasiýa häsiýetleri elektrik päsgelçiligini azaltmaga we enjamyň netijeliligini ýokarlandyrmaga kömek edýär.

“Semicera” tarapyndan ulanylýan ýokary hilli önümçilik prosesi, her bir wafli birmeňzeş galyňlygy we iň az ýerüsti kemçilikleri üpjün edýär. Bu takyklyk, radio ýygylyk enjamlary, kuwwat inwerterleri we öndürijilik we çydamlylyk esasy faktorlar bolan LED ulgamlary ýaly ösen programmalar üçin zerurdyr.

Döwrebap önümçilik usullaryny ulanmak bilen, Semicera diňe bir önümçilik standartlaryna laýyk gelmän, eýsem önümçilik standartlaryndan ýokary bolan wafli bilen üpjün edýär. 6 dýuým ululyk ýarymgeçiriji pudagyndaky gözleglere we täjirçilik goşundylaryna hyzmat edip, önümçiligi giňeltmekde çeýeligi hödürleýär.

“Semicera” -yň 6 inç ýarym izolýasiýa HPSI SiC waferi saýlamak, yzygiderli hil we öndürijilik berýän önüme maýa goýmagy aňladýar. Bu wafli, “Semicera” -nyň innowasiýa materiallary we oýlanyşykly ussatlyk arkaly ýarymgeçiriji tehnologiýasynyň mümkinçiliklerini ösdürmek baradaky borçnamasynyň bir bölegidir.

Harytlar

Önümçilik

Gözleg

Dummy

Kristal parametrler

Politip

4H

Faceerüsti ugrukdyryş säwligi

<11-20> 4 ± 0,15 °

Elektrik parametrleri

Dopant

n görnüşli azot

Çydamlylyk

0.015-0.025ohm · sm

Mehaniki parametrler

Diametri

150.0 ± 0,2mm

Galyňlyk

350 ± 25 μm

Esasy tekiz ugry

[1-100] ± 5 °

Esasy tekiz uzynlyk

47.5 ± 1,5mm

Ikinji kwartira

Hiç

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5mm * 5mm)

≤5 μm (5mm * 5mm)

≤10 μm (5mm * 5mm)

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Warp

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Öň (Si-face) gödeklik (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm * 5μm)

Gurluşy

Mikrop turbanyň dykyzlygy

<1 ea / cm2

<10 ea / cm2

<15 ea / cm2

Metal hapalar

≤5E10atoms / cm2

NA

BPD

001500 ea / cm2

0003000 ea / cm2

NA

TSD

≤500 ea / cm2

0001000 ea / cm2

NA

Öň hili

Öň tarapy

Si

Faceerüsti gutarmak

Si-ýüzli CMP

Bölejikler

≤60ea / wafli (ölçegi≥0.3μm)

NA

Dyrnaklar

≤5ea / mm. Jemi uzynlygy ≤Diameter

Jemi uzynlygy≤2 * Diametri

NA

Pyrtykal gabygy / çukur / tegmiller / çişmeler / çatryklar / hapalanma

Hiç

NA

Gyrasy çipler / görkezijiler / döwük / alty sany plastinka

Hiç

Polip görnüşleri

Hiç

Jemi meýdany≤20%

Jemi meýdany ≤30%

Öňki lazer belligi

Hiç

Yzky hil

Yzyna

C ýüzli CMP

Dyrnaklar

≤5ea / mm, Jemi uzynlygy≤2 * Diametri

NA

Yzky kemçilikler (gyrasy çipler / görkezijiler)

Hiç

Yzky gödeklik

Ra≤0.2nm (5μm * 5μm)

Yzky lazer belligi

1 mm (ýokarky gyradan)

Gyrasy

Gyrasy

Çamfer

Gaplamak

Gaplamak

Wakuum gaplamak bilen epi taýýar

Köp wafli kaseta gaplamasy

* Bellikler NA "NA" haýyş ýok, agzalmadyk zatlar SEMI-STD-e degişli bolup bilmez.

tech_1_2_size
SiC wafli

  • Öňki:
  • Indiki: