6 lnç n görnüşli sic substrat

Silikon karbid (SiC) ýeke kristal materialda uly zolakly boşluk giňligi (~ Si 3 gezek), ýokary ýylylyk geçirijiligi (~ Si 3,3 gezek ýa-da GaAs 10 gezek), ýokary elektron doýgunlygyň göçüş tizligi (~ Si 2,5 esse), ýokary bölek elektrik meýdan (~ Si 10 gezek ýa-da GaAs 5 gezek) we beýleki ajaýyp aýratynlyklar.

Üçünji nesil ýarymgeçiriji materiallara esasan SiC, GaN, göwher we ş.m. girýär, sebäbi zolagyň boşlugynyň giňligi (meselem) 2,3 elektron woltdan (eV) uly ýa-da deňdir, giň zolakly boşluk ýarymgeçiriji materiallar hem diýilýär. Birinji we ikinji nesil ýarymgeçiriji materiallar bilen deňeşdirilende, üçünji nesil ýarymgeçiriji materiallar ýokary ýylylyk geçirijiliginiň, ýokary döwülýän elektrik meýdanynyň, ýokary doýgun elektron göçüş tizliginiň we ýokary baglanyşyk energiýasynyň artykmaçlyklaryna eýedir, bu bolsa häzirki zaman elektron tehnologiýasynyň täze talaplaryna laýyk bolup biler temperatura, ýokary güýç, ýokary basyş, ýokary ýygylyk we radiasiýa garşylygy we beýleki agyr şertler. Milli goranmak, awiasiýa, aerokosmos, nebit gözlemek, optiki ammar we ş.m. ýaly ugurlarda möhüm amaly perspektiwalara eýedir we giň zolakly aragatnaşyk, gün energiýasy, awtoulag önümçiligi ýaly köp strategiki pudaklarda energiýa ýitgisini 50% -den gowrak azaldyp biler, ýarymgeçiriji yşyklandyryş we akylly set, we enjamlaryň göwrümini 75% -den gowrak azaldyp biler, bu adamzat ylmynyň we tehnologiýasynyň ösmegi üçin möhüm ähmiýete eýe.

“Semicera” energiýasy müşderilere ýokary hilli geçiriji (geçiriji), ýarym izolýasiýa (ýarym izolýasiýa), HPSI (ýokary arassa ýarym izolýasiýa) kremniy karbid substraty bilen üpjün edip biler; Mundan başga-da, müşderilere birmeňzeş we birmeňzeş kremniy karbid epitaksial listleri berip bileris; Şeýle hem, epitaksial sahypany müşderileriň aýratyn zerurlyklaryna görä düzüp bileris, iň az sargyt mukdary ýok.