6 ”Aixtron G5 üçin wafli daşaýjy

6 ”Aixtron G5 aýratynlykly surat üçin wafli daşaýjy

Gysga düşündiriş:

“Semicera” -yň “Aixtron G5 6 ″ wafli” göterijisi epitaksial ösüş proseslerinde optimal öndürijiligi gazanmak üçin döredilen takyk hereketlendiriji komponentdir. “Aixtron G5” ulgamy üçin ýörite gurlan daşaýjy, ýokary temperaturaly proseslerde ajaýyp durnuklylygy we birmeňzeş wafli işlemegini üpjün edýär. “Semicera” -nyň öňdebaryjy materiallary we tejribesi bilen bu wafli göteriji ýarymgeçiriji önümçiliginiň netijeliligini we ygtybarlylygyny ýokarlandyrýar, takyk wafli goldawyny we işlemegini talap edýän pudaklar üçin möhüm gural bolýar. Hytaýda uzak möhletli hyzmatdaş bolmagyňyza sabyrsyzlyk bilen garaşýarys.

Bize e-poçta iberiň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

“Semicera” tarapyndan “Aixtron G5” üçin 6 '' Wafer Carrier, Aixtron G5 ulgamlarynda epitaksial ösüş prosesleriniň talaplaryny kanagatlandyrmak üçin döredildi. Qualityokary hilli grafit bilen gurlan buwafli daşaýjywagtynda durnuklylygy we birmeňzeşligi üpjün edýärCVDweMOCVD amallaryepi reaktorynda takyk çökdürmäge mümkinçilik berýär.

A bilenkremniy karbid keramikiörtük, Aixtron G5 üçin 6 '' Wafer daşaýjy, güýçlendirilen çydamlylygy we termiki garşylygy hödürleýär, epitaksial ösüşde ýokary temperaturaly amaly amatly edýär. Bu önüm netijeliligi goldamak üçin işlenip düzülendirwafliýarymgeçiriji önümçiliginde işlemek we iň ýokary öndürijilik.

“Semicera” -da ýarymgeçiriji pudagy üçin iň ýokary derejeli çözgütleri bermäge üns berýäris. Wafli göterijilerimiz, Aixtron G5 ulgamlarynda we beýleki ulgamlarda rahat işlemegi üpjün etmek üçin ygtybarlylyk üçin gurulýarCVD epitaksiýasyreaktorlary. Silikon karbid ýa-da beýleki materiallar bilen işleýärsiňizmi, bu wafli göteriji ösen ýarymgeçiriji öndürmek üçin zerur takyklygy we yzygiderliligi üpjün edýär.

Esasy aýratynlyklary:

• Aixtron G5 ulgamlary we beýleki CVD MOCVD reaktorlary üçin amatly.
• Güýçlendirilen berkligi üçin kremniy karbid keramiki örtükli ýokary hilli grafit duýgur.
• Takyklygy we ýylylyk durnuklylygyny talap edýän epitaksial ösüş prosesleri üçin amatly.
• Çylşyrymly ýarymgeçiriji gurşawda ygtybarly wafli işlemek.

“Semicera”, her 6 '' Wafer Carrier-iň epitaksiýa zerurlyklary üçin iň ýokary standartlara laýyk gelmegini üpjün etmek üçin iň täze çözgütleri bermäge bagyşlanýar.