8 lnch n görnüşli geçiriji SiC substraty, güýçli ýylylyk geçirijiligini, ýokary bölüniş naprýa .eniýesini we ösen ýarymgeçiriji goşundylary üçin ajaýyp hil üpjün edip, güýçli elektron enjamlary üçin deňsiz-taýsyz öndürijiligi üpjün edýär. “Semicera”, ineredenerli 8 lnç n görnüşli “Conductive SiC Substrate” bilen önümçilikde öňdebaryjy çözgütleri hödürleýär.
“Semicera” -nyň 8 lnç n görnüşli geçiriji SiC substraty, elektrik elektronikasynyň we ýokary öndürijilikli ýarymgeçiriji programmalarynyň barha artýan isleglerini kanagatlandyrmak üçin döredilen iň täze materialdyr. Substrat, ýokary güýç dykyzlygyny, ýylylyk netijeliligini we ygtybarlylygyny talap edýän enjamlarda deňsiz-taýsyz öndürijiligi üpjün etmek üçin kremniy karbidiň we n görnüşli geçirijiligiň artykmaçlyklaryny birleşdirýär.
“Semicera” -nyň 8 lnch n görnüşli geçiriji SiC substraty ýokary hilli we yzygiderliligi üpjün etmek üçin seresaplylyk bilen ýasaldy. Heatylylygy netijeli ýaýratmak üçin ajaýyp ýylylyk geçirijiligini özünde jemleýär we güýç inwertorlary, diodlar we tranzistorlar ýaly ýokary güýçli programmalar üçin amatly edýär. Mundan başga-da, bu substratyň ýokary bölek naprýa .eniýesi, ýokary öndürijilikli elektronika üçin ygtybarly platforma üpjün edip, talap edilýän şertlere çydap biljekdigini üpjün edýär.
“Semicera” ýarymgeçiriji tehnologiýanyň ösmeginde 8 lnch n görnüşli “Geçiriji SiC Substrate” -niň möhüm roluny ykrar edýär. Substratlarymyz, netijeli enjamlaryň ösmegi üçin möhüm ähmiýete eýe bolan iň az kemçilik dykyzlygyny üpjün etmek üçin iň häzirki zaman prosesleri ulanyp öndürilýär. Jikme-jikliklere bu üns, has ýokary öndürijilik we çydamlylyk bilen indiki nesil elektronikasynyň önümçiligini goldaýan önümlere mümkinçilik berýär.
8 lnç n görnüşli geçiriji SiC substratymyz awtoulagdan tä dikeldilýän energiýa çenli köp sanly programmanyň zerurlyklaryny kanagatlandyrmak üçin niýetlenendir. n görnüşli geçirijilik, netijeli energiýa enjamlaryny ösdürmek üçin zerur bolan elektrik aýratynlyklaryny üpjün edýär, bu substraty has köp energiýa tygşytlaýan tehnologiýalara geçmegiň esasy bölegi edýär.
“Semicera” -da ýarymgeçiriji önümçiliginde innowasiýa itergi berýän substratlar bilen üpjün etmegi maksat edinýäris. 8 lnch n görnüşli geçiriji SiC substraty, müşderilerimiziň arzalary üçin iň oňat material almagyny üpjün edip, hil we ýokary derejä wepalylygymyzyň subutnamasydyr.
Esasy parametrler
| Ölçegi | 8 dýuým |
| Diametri | 200.0mm + 0mm / -0.2mm |
| Faceerüsti ugrukdyrma | okdan daşda: 4 ° <1120> 士 0,5 ° |
| Kesgitleme ugry | <1100> 士 1 ° |
| Kesgit burçy | 90 ° + 5 ° / -1 ° |
| Çuňlugyň çuňlugy | 1mm + 0.25mm / -0mm |
| Ikinji kwartira | / |
| Galyňlyk | 500.0 士 25.0um / 350.0 ± 25.0um |
| Politip | 4H |
| Geçiriji görnüş | n görnüşi |
