Okislenmä garşy ýokary arassalyk SiC örtükli MOCVD gapagy

Okislenmä garşy ýokary arassalyk SiC örtülen MOCVD tarelkasy Aýratyn surat

Gysga düşündiriş:

“Semicera Energy Technology Co., Ltd.”, wafli we ösen ýarymgeçiriji sarp ediş materiallary boýunça ýöriteleşen öňdebaryjy üpjün edijidir.Icarymgeçiriji önümçiligine ýokary hilli, ygtybarly we innowasiýa önümleri bermäge bagyşlan,fotowoltaik pudagywe beýleki ugurlar.

Önümimiziň hataryna kremniý karbid, kremniý nitrid, alýumin oksidi we ş.m. ýaly dürli materiallary öz içine alýan SiC / TaC örtülen grafit önümleri we keramiki önümler girýär.

Ynamly üpjün ediji hökmünde önümçilik prosesinde sarp edilýän zatlaryň ähmiýetine düşünýäris we müşderilerimiziň isleglerini kanagatlandyrmak üçin iň ýokary hilli standartlara laýyk gelýän önümleri eltmäge borçlanýarys.

Bize e-poçta iberiň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Düşündiriş

Biziň kompaniýamyz üpjün edýärSiC örtükgrafit, keramika we beýleki materiallaryň üstünde CVD usuly bilen işlemek, uglerod we kremnini öz içine alýan ýörite gazlar ýokary temperaturada ýokary arassalyk SiC molekulalaryny, örtülen materiallaryň üstünde goýlan molekulalary almak üçin ýokary temperaturada täsir edip, a emele getirýärSiC gorag gatlagy.

Esasy aýratynlyklary

1. temperatureokary temperaturaly okislenme garşylygy:
oksidlenme garşylygy, temperatura 1600 C-den ýokary bolanda henizem gaty gowy.
2. purokary arassalygy: ýokary temperaturaly hlorlaşma şertinde himiki buglaryň çökmegi bilen öndürilýär.
3. Eroziýa garşylygy: ýokary gatylyk, ykjam ýer, inçe bölejikler.
4. Poslama garşylyk: kislota, aşgar, duz we organiki reagentler.

CVD-SIC örtüginiň esasy aýratynlyklary

SiC-CVD häsiýetleri
Kristal gurluş	FCC β tapgyry
Dykyzlygy	g / sm ³	3.21
Gatylyk	Wikers gatylygy	2500
Galla ölçegi	μm	2 ~ 10
Himiki arassalyk	%	99.99995
Atylylyk kuwwaty	J · kg-1 · K-1	640
Sublimasiýa temperaturasy	℃	2700
Felexural güýç	MPa (RT 4 bal)	415
Youngaş modul	Gpa (4pt egilmek, 1300 ℃)	430
Malylylyk giňelişi (CTE)	10-6K-1	4.5
Malylylyk geçirijiligi	(W / mK)	300