Esasy maksadymyz elmydama müşderilerimize çynlakaý we jogapkärli kiçi işewürlik gatnaşyklaryny hödürlemek, peç we ojaklar üçin uly arzanladyş senagat kremniy karbid sik gyzdyryjy elementi üçin şahsy ünsi hödürlemek, Hiç wagt gowulaşmazlyk we 0% ýetmezçilige çalyşmak iki esasy ajaýyp syýasatymyz.Size bir zat gerek bolsa, hiç wagt biziň bilen gürleşmekden çekinmäň.
Esasy maksadymyz, müşderilerimize hemişe çynlakaý üns bermek bilen, çynlakaý we jogapkärli kiçi telekeçilik gatnaşyklaryny hödürlemekdirHytaý Sik Rod we Sic gyzdyryjy, Biziň kompaniýamyz “bitewilige esaslanýan, döredilen hyzmatdaşlyga, adamlara gönükdirilen, ýeňiş gazanýan hyzmatdaşlyk” ýörelgesi boýunça işleýär.Dünýäniň dürli künjeginden gelen telekeçi bilen dostlukly gatnaşykda bolup bileris diýip umyt edýäris.
Düşündiriş
Kompaniýamyz, grafitiň, keramikanyň we beýleki materiallaryň üstünde CVD usuly bilen SiC örtük hyzmatlaryny hödürleýär, uglerod we kremnini öz içine alýan ýörite gazlar ýokary arassalyk SiC molekulalaryny, örtülen materiallaryň üstünde goýlan molekulalary almak üçin ýokary temperaturada täsir eder, SIK gorag gatlagyny emele getirýär.
Esasy aýratynlyklary
1. temperatureokary temperaturaly okislenme garşylygy:
oksidlenme garşylygy, temperatura 1600 C-den ýokary bolanda henizem gaty gowy.
2. purokary arassalygy: ýokary temperatura hlorlaşma şertinde himiki bug çökdürilmegi bilen öndürilýär.
3. Eroziýa garşylygy: ýokary gatylyk, ykjam ýer, inçe bölejikler.
4. Poslama garşylyk: kislota, aşgar, duz we organiki reagentler.
CVD-SIC örtüginiň esasy aýratynlyklary
| SiC-CVD häsiýetleri | ||
| Kristal gurluş | FCC β tapgyry | |
| Dykyzlygy | g / sm ³ | 3.21 |
| Gatylyk | Wikers gatylygy | 2500 |
| Galla ölçegi | μm | 2 ~ 10 |
| Himiki arassalyk | % | 99.99995 |
| Atylylyk kuwwaty | J · kg-1 · K-1 | 640 |
| Sublimasiýa temperaturasy | ℃ | 2700 |
| Felexural güýç | MPa (RT 4 bal) | 415 |
| Youngaş modul | Gpa (4pt egilmek, 1300 ℃) | 430 |
| Malylylyk giňelişi (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Malylylyk geçirijiligi | (W / mK) | 300 |
Kompaniýanyň tertibi
WeiTai Energy, Hytaýda kremniy karbid bilen örtülen epitaksial list paletlerini öndürijilerden we üpjün edijilerden biridir.Esasy önümlerimiz: Silikon karbid et plitalary, kremniy karbid gaýyk tirkegleri, kremniy karbid wafli gaýyklary (PV we ýarymgeçiriji), kremniy karbid peç turbalary, kremniy karbid kantilwer padler, kremniy karbid çukurlary, kremniy karbid şöhleleri, şeýle hem CVD SiC örtükleri we TaC örtükleri.
Önümler esasan ýarymgeçiriji we fotoelektrik pudaklarynda ulanylýar, meselem, hrustal ösüş, epitaksiýa, efirlemek, gaplamak, örtük we diffuziýa peç enjamlary.Zawodymyzdan arzan bahadan SIC örtükli epitaksial list paletlerini satyn alyň.Biziň öz markamyz bar we köpüsini goldaýarys.Önümlerimiz bilen gyzyklanýan bolsaňyz, arzan bahany bereris.Iň ýokary hilli arzan önümlerimize hoş geldiňiz.
Kompaniýamyzda önüm öndürmegiň ähli zerur baglanyşyklaryny tamamlap bilýän we önümiň hiline has ýokary gözegçilik edip bilýän galyp, sintezlemek, gaýtadan işlemek, örtük enjamlary we ş.m. ýaly doly önümçilik enjamlary bar;Iň amatly önümçilik meýilnamasy, önümiň zerurlyklaryna görä saýlanyp bilner, netijede arzan bahadan we müşderilere has bäsdeşlik önümleri bilen üpjün ediler;Müşderilere has çalt we kepillendirilen gowşuryş wagtyny üpjün edip, sargyt gowşuryş talaplaryna esaslanyp we onlaýn sargyt dolandyryş ulgamlary bilen bilelikde önümçiligi çeýe we netijeli tertipläp bileris.
Enjamlar
Esasy maksadymyz elmydama müşderilerimize çynlakaý we jogapkärli kiçi işewürlik gatnaşyklaryny hödürlemek, peç we ojaklar üçin uly arzanladyş senagat kremniy karbid sik gyzdyryjy elementi üçin şahsy ünsi hödürlemek, Hiç wagt gowulaşmazlyk we 0% ýetmezçilige çalyşmak iki esasy ajaýyp syýasatymyz.Size bir zat gerek bolsa, hiç wagt biziň bilen gürleşmekden çekinmäň.
Uly arzanladyşHytaý Sik Rod we Sic gyzdyryjy, Biziň kompaniýamyz “bitewilige esaslanýan, döredilen hyzmatdaşlyga, adamlara gönükdirilen, ýeňiş gazanýan hyzmatdaşlyk” ýörelgesi boýunça işleýär.Dünýäniň dürli künjeginden gelen telekeçi bilen dostlukly gatnaşykda bolup bileris diýip umyt edýäris.
