Köp CVD SiC halkasy

Gysga düşündiriş:

Köp CVD SiC halkalary çig mal hökmünde kremniý çeşme gazyny (kremniý gidridi) we uglerod çeşmesi gazyny (metan ýaly) ulanýar, ýokary temperaturada uly göwrümli SiC materiallaryny substrata ýa-da galypda goýmak üçin ýokary temperaturada reaksiýa berýär. Bu amal, güýçli we yzygiderli halka gurluşyny emele getirip, SiC-ni uly meýdanyň üstünde birmeňzeş ýerleşdirmäge mümkinçilik berýär.

 


Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Silikon karbid näme üçin halka çykýar?

RTPCVD SiC jaň edýärsenagat we ylmy ugurlarda ýokary temperaturada we poslaýjy şertlerde giňden ulanylýar. Ondarymgeçiriji önümçiliginde, optoelektronikada, takyk tehnika we himiýa pudagynda möhüm rol oýnaýar. Applicationsörite programmalar şulary öz içine alýar:

1. icarymgeçiriji önümçiligi:RTP CVD SiC jaň edýärýarymgeçiriji enjamlary ýylatmak we sowatmak, durnukly temperatura gözegçiligini üpjün etmek we amalyň takyklygyny we yzygiderliligini üpjün etmek üçin ulanylyp bilner.

2. Optoelektronika: Ajaýyp ýylylyk geçirijiligi we ýokary temperatura garşylygy sebäpli RTPCVD SiC jaň edýärlazerler, süýümli optiki aragatnaşyk enjamlary we optiki komponentler üçin goldaw we ýylylyk paýlaýyş materiallary hökmünde ulanylyp bilner.

3. Takyk enjamlar: RTP CVD SiC halkalary ýokary temperaturaly peçler, wakuum enjamlary we himiki reaktorlar ýaly ýokary temperaturada we poslaýjy şertlerde takyk gurallar we enjamlar üçin ulanylyp bilner.

4. Himiýa senagaty: Poslama garşylygy we himiki durnuklylygy sebäpli, RTP CVD SiC halkalary himiki reaksiýalarda we katalitik proseslerde gaplarda, turbalarda we reaktorlarda ulanylyp bilner.

 

Epi ulgamy

Epi ulgamy

RTP ulgamy

RTP ulgamy

CVD ulgamy

CVD ulgamy

Önümiň öndürijiligi:

1. 28nm-den aşakdaky amal bilen tanyşyň

2. Super poslama garşylyk

3. Örän arassa öndürijilik

4. Örän gatylyk

5. Highokary dykyzlyk

6. temperatureokary temperatura garşylyk

7. Garşylyk geýiň

kwars önümçilik enjamlary 4

Haryt amaly:

Silikon karbid materiallary ýokary gatylyk, köýnek garşylygy, poslama garşylyk we ýokary temperatura durnuklylygy ýaly aýratynlyklara eýedir. Ajaýyp giňişleýin öndürijilikli önümler gury eriş we TF / Diffuziýa proseslerinde giňden ulanylýar.

Önümiň öndürijiligi:

1. 28nm-den aşakdaky amal bilen tanyşyň

2. Super poslama garşylyk

3. Örän arassa öndürijilik

4. Örän gatylyk

5. Highokary dykyzlyk

6. temperatureokary temperatura garşylyk

7. Garşylyk geýiň

微信截图 _20241018182920
微信截图 _20241018182909

Birleşdirilen prosesi ösdürmek:

Grafit + Sik örtük

Solide CvD sic

Sinterlenen SiC + CVD

SicSintered SiC

Önümiň köp görnüşini ösdürmek:

Jaň

Tablisa

Susseptor

Duş kellesi

Semicera Iş ýeri
Semicera iş ýeri 2
“Semicera” ammar jaýy
Enjam enjamy
CNN gaýtadan işlemek, himiki arassalamak, CVD örtük
Biziň hyzmatymyz

  • Öňki:
  • Indiki: