“Semicera” dürli komponentler we göterijiler üçin ýöriteleşdirilen tantal karbid (TaC) örtüklerini üpjün edýär.“Semicera” öňdebaryjy örtük prosesi tantal karbid (TaC) örtüklerine ýokary arassalygy, ýokary temperatura durnuklylygyny we ýokary himiki çydamlylygy gazanmaga, SIC / GAN kristallarynyň we EPI gatlaklarynyň önüminiň hilini ýokarlandyrmaga mümkinçilik berýär (Grafit bilen örtülen TaC duýgur) we esasy reaktor komponentleriniň ömrüni uzaltmak. Tantal karbid TaC örtüginiň ulanylmagy, gyradaky meseläni çözmek we hrustal ösüşiň hilini ýokarlandyrmakdyr, Semicera bolsa tantal karbid örtük tehnologiýasyny (CVD) halkara ösen derejä ýetirip, üstünlik gazandy.
Custöriteleşdirilen tantal karbid bilen örtülen halkalar, müşderileriň aýratyn zerurlyklaryna we amaly talaplaryna esaslanyp, tantal karbid örtük tehnologiýasyna laýyklykda aýratyn dizaýn edilen we öndürilen halka önümleri.
Aşakda tantal karbid bilen örtülen halkalaryň umumy beýany bar:
1. Materiallary saýlamak: Müşderiniň isleglerine görä, önümiň hilini we öndürijiligini üpjün etmek üçin ýokary arassa tantal materiallary substrat hökmünde saýlanýar.
2. Ölçegi we görnüşi: Müşderi tarapyndan berlen talaplara ýa-da dizaýn çyzgylaryna görä, tantal karbid bilen örtülen halkanyň göwrümi, diametri, galyňlygy we görnüşi aýratyn amaly ssenariýalara we enjam talaplaryna uýgunlaşdyrylýar.
3.
4. Geýmäge garşylyk we poslama garşylyk: Örtük prosesini we parametrlerini optimizirlemek bilen, tantal karbid bilen örtülen halkanyň belli bir gurşawyň talaplaryny kanagatlandyrmak üçin ajaýyp aşaga garşylygy we poslama garşylygy barlygyny üpjün ediň.
5. Möhürleme öndürijiligi: Müşderiniň möhürleme talaplaryna laýyklykda, tantal karbid bilen örtülen halkanyň möhürleýiş gurluşy, möhürlemegiň netijeli işlemegi we gazyň ýa-da suwuklygyň syzmagynyň öňüni almak üçin işlenip düzülendir we öndürilýär.
6. Hil gözegçiligi: Hususylaşdyrma prosesinde önümleriň yzygiderliligini, ygtybarlylygyny we laýyklygyny üpjün etmek üçin berk hil gözegçiligi we synag geçirilýär.
bilen we TaC bilen
TaC ulanandan soň (sagda)
Mundan başga-da, Semicera'sTaC bilen örtülen önümlerbilen deňeşdirilende has uzak hyzmat ediş möhletini we has ýokary temperatura garşylygyny görkezýärSiC örtükleri.Laboratoriýa ölçegleri biziň muny görkezdiTaC örtükleriuzak wagtlap 2300 gradusa çenli temperaturada yzygiderli çykyş edip biler. Aşakda nusgalarymyzyň käbir mysallary:
