Silikon karbid örtügi bilen tanyşlyk
Himiki bug çöketligimiz (CVD) Silikon Karbid (SiC) örtügi, ýokary poslama we termiki garşylygy talap edýän şertler üçin örän çydamly we könelişýän gatlakdyr.Silikon Karbid örtügiýokary öndürijilik aýratynlyklaryny hödürläp, CVD prosesi arkaly dürli substratlarda inçe gatlaklarda ulanylýar.
Esasy aýratynlyklary
● - Aýratyn arassalyk: Ultra arassa kompozisiýa bilen öwünmek99.99995%, biziňSiC örtükduýgur ýarymgeçiriji amallarda hapalanmak töwekgelçiligini azaldýar.
● -Okarky garşylyk: Geýimlere we poslama garşy ajaýyp garşylygy görkezýär, himiki we plazma sazlamalaryny kynlaşdyrýar.
● -Yokary ýylylyk geçirijiligi: Ajaýyp ýylylyk aýratynlyklary sebäpli aşa temperaturada ygtybarly öndürijiligi üpjün edýär.
●-Ölçegli durnuklylyk: Pes ýylylyk giňelme koeffisiýenti sebäpli, dürli temperatura boýunça gurluş bitewiligini saklaýar.
● -Göçürilen gatylyk: Gatylyk derejesi bilen40 GPa, SiC örtügimiz ep-esli täsire we aşgazana çydamly.
● -Sumşak üstü tamamlamak: Aýna meňzeş görnüşi üpjün edýär, bölejikleriň emele gelmegini azaldýar we iş netijeliligini ýokarlandyrýar.
Goýmalar
Icarym SiC örtükleriýarymgeçiriji önümçiliginiň dürli etaplarynda ulanylýar, şol sanda:
● -LED çip önümçiligi
● -Polisilikon önümçiligi
● -Ondarymgeçirijiniň kristal ösüşi
● -Silikon we SiC epitaksi
● -Malylylyk okislenmesi we diffuziýa (TO&D)
Highokary kuwwatly izostatiki grafitden, uglerod süýümi bilen güýçlendirilen ugleroddan we suwuklandyrylan düşekli reaktorlar üçin niýetlenen 4N gaýtadan gurlan kremniy karbidden öndürilen SiC bilen örtülen komponentleri üpjün edýäris,STC-TCS öwrüjileri, CZ birlik reflektorlary, SiC wafli gaýyk, SiCwafer paddeli, SiC wafli turbasy we PECVD-de ulanylýan wafli göterijiler, kremniniň epitaksiýasy, MOCVD amallary.
Peýdalary
● -Giňeldilen ömri: Umumy önümçiligiň netijeliligini ýokarlandyryp, enjamlaryň iş wagty we tehniki hyzmat çykdajylaryny ep-esli azaldar.
● -Kemeldilen hil: Ondarymgeçirijini gaýtadan işlemek üçin zerur bolan ýokary arassalyk ýüzlerine ýetýär, şeýlelik bilen önümiň hilini ýokarlandyrýar.
● -Effektiň ýokarlanmagy: Termiki we CVD proseslerini optimizirleýär, netijede sikl has gysga we has ýokary hasyl bolýar.
Tehniki aýratynlyklar
● -Gurluşy: FCC β fazaly polikristal, esasan (111) gönükdirilen
● -Dykyzlygy: 3,21 g / sm³
Ard -Hardness: 2500 Wikes gatylygy (500g ýük)
● -Güýçli berklik: 3.0 MPa · m1/2
● -Termal giňelme koeffisiýenti (100–600 ° C): 4.3 x 10-6k-1
● -Elastik modul (1300 ℃):435 GPa
● -Tipiki filmiň galyňlygy:100 µm
●-faceerüsti gödeklik:2-10 µm
Arassalyk maglumatlary (owalpyldawuk akymyň köpçülik spektroskopiýasy bilen ölçelýär)
| Element | ppm | Element | ppm |
| Li | <0,001 | Cu | <0.01 |
| Be | <0,001 | Zn | <0.05 |
| Al | <0.04 | Ga | <0.01 |
| P | <0.01 | Ge | <0.05 |
| S | <0.04 | As | <0,005 |
| K | <0.05 | In | <0.01 |
| Ca | <0.05 | Sn | <0.01 |
| Ti | <0,005 | Sb | <0.01 |
| V | <0,001 | W | <0.05 |
| Cr | <0.05 | Te | <0.01 |
| Mn | <0,005 | Pb | <0.01 |
| Fe | <0.05 | Bi | <0.05 |
| Ni | <0.01 |
|
