Öňdebaryjy ýarymgeçiriji önümçilik prosesleri üçin döredilen ilkinji çözgüt, Semicera-dan CVD SiC Etching halkasy. Dykma halkalarymyz, diffuziýa prosesinde iň oňat netijeleri üpjün edip, CVD SiC duş başlarynyň işleýşini ýokarlandyrmak üçin ussatlyk bilen ýasaldy. Ygtybarly gurluşygy we takyk in engineeringenerligi bilen bu halkalar ýokary hilli gury et önümleri üçin zerur ygtybarlylygy we netijeliligi üpjün edýär.
“Semicera” -da kremniy karbidiň ýarymgeçiriji tehnologiýasynda oýnaýan möhüm roluna düşünýäris. CVD SiC dykyz halkalarymyz, dürli amallary, şol sanda MOCVD we beýleki ekiş usullaryny ýerleşdirmek üçin döredildi. Gaty SiC düzümi ajaýyp ýylylyk durnuklylygyny we himiki garşylygy kepillendirýär, şonuň üçin halka halkalarymyzy iň talap edilýän şertler üçin ileri tutulýan saýlama edýär.
Innowasiýa we hil baradaky ygrarlylygymyz, her bir CVD SiC çykaryjy halkanyň iň ýokary pudak standartlaryna laýyk gelmegini üpjün edýär. Özüňiziň çözgütleriňiz üçin “Semicera” -ny saýlaň we özboluşly zerurlyklaryňyza laýyk gelýän deňsiz-taýsyz öndürijiligi we çydamlylygy başdan geçiriň. SiC duş başlary we efir tehnologiýasy boýunça tejribämiz bilen, ýarymgeçiriji meýdançasyndaky üstünlikleriňizi goldamak üçin geldik.
Ondarymgeçiriji meýdanynda, her bir komponentiň durnuklylygy tutuş proses üçin gaty möhümdir. Şeýle-de bolsa, ýokary temperaturaly gurşawda grafit aňsat okislenýär we ýitýär we SiC örtügi grafit bölekleri üçin durnukly goragy üpjün edip biler. InIcarymtopar, 5 grafitden aşakda grafitiň arassalygyna gözegçilik edip bilýän öz grafit arassalaýyş enjamlarymyz bar. Silikon karbid örtüginiň arassalygy hem 5ppm-den pesdir.
China Hytaý bazarynda ýokary hilli
“Gowy hyzmat elmydama siziň üçin, 7 * 24 sagat
DeliverySiz gowşurylan senesi
“Kiçijik MOQ hoş geldiňiz we kabul edildi
OstHörite hyzmatlar
