MOCVD substraty üçin ýyladyş elementleri

Gysga düşündiriş:

“Semicera Energy Technology Co., Ltd.” Öňdebaryjy ýarymgeçiriji keramikany öňdebaryjy üpjün ediji we Hytaýda bir wagtyň özünde ýokary arassa kremniy karbid keramikasyny üpjün edip biljek ýeke-täk öndüriji (esasanamGaýtadan guruldy SiC) we CVD SiC örtük. Mundan başga-da, kompaniýamyz alýumin, alýumin nitrid, sirkoniýa we kremniý nitrid ýaly keramiki meýdanlara ygrarly.

 

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Grafit gyzdyryjynyň esasy aýratynlyklary:

1. heatingyladyş gurluşynyň birmeňzeşligi.

2. gowy elektrik geçirijiligi we ýokary elektrik ýüki.

3. Poslama garşylyk.

4. zäherlenmezlik.

5. himiki arassalygy.

6. ýokary mehaniki güýç.

Munuň artykmaçlygy energiýa tygşytlaýjy, ýokary baha we pes hyzmat etmekdir. Anti-okislenmä we uzak ömrüň grafitini, grafit galypyny we grafit gyzdyryjynyň ähli böleklerini öndürip bileris.

MOCVD-Substrat-gyzdyryjy-ýyladyjy elementler-MOCVD3-300x300

Grafit gyzdyryjynyň esasy parametrleri

Tehniki spesifikasiýa

Semicera-M3

Köp dykyzlygy (g / cm3)

851.85

Kül mazmuny (PPM)

≤500

Kenar gatylygy

≥45

Resörite garşylyk (μ.Ω.m)

≤12

Fleksural güýç (Mpa)

≥40

Sykyş güýji (Mpa)

≥70

Maks. Galla ölçegi (μm)

≤43

Malylylyk giňelişiniň koeffisiýenti Mm / ° C.

≤4.4 * 10-6

MOCVD substrat gyzdyryjy_ MOCVD üçin ýyladyş elementleri
Semicera Iş ýeri
Semicera iş ýeri 2
Enjam enjamy
CNN gaýtadan işlemek, himiki arassalamak, CVD örtük
Biziň hyzmatymyz

  • Öňki:
  • Indiki: